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公开(公告)号：KR1019940016448A
公开(公告)日：1994-07-23
申请号：KR1019920025021
申请日：1992-12-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/08
Abstract: 본 발명은 표면이 평탄한 박막을 갖는 반도체기판의 제조방법에 관한 것으로, 실리콘기판(21)상에 접착용 박막(23)을 형성하는 공정과, 박막(23)상에 다결정실리콘막(25)을 형성하는 공정과, 다결정 실리콘막(25)의 표면을 평탄화하는 공정과, 평탄화된 표면(26a)를 갖는 다결정 실리콘막(25)상에 반도체기판(27)을 접착한 다음 실리콘기판(21)을 제거하는 공정을 포함하는 평탄한 박막을 갖는 반도체기판의 제조방법.
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR1019950021796A
公开(公告)日：1995-07-26
申请号：KR1019930028481
申请日：1993-12-18
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/84
Abstract: 본 발명은 기판접합기술을 이용한 압력센서 감지부 제조방법에 관한 것으로서, 종래 기술은 수압부의 크기에 의해 다이어-프램의 크기가 결정되는 문제점을 해결하기 위하여 본 발명에서는 결정방향이 다른 두 기판을 산화막을 개재시켜 접합시키고, 한 기판을 박막화하여 다이러프램 두께로 만들고, 다른 기판에 수압부를 구현하며, 이 수압부를 통해 산화막을 제거시키면 수압부의 크기와 관계없이 다이어프램의 면적을 임의로 조절할 수 있는 제조방법을 제공함으로써 수압부와 다이 어프램을 독립적으로 구현하여 수압부 면적보다 면적이 넓은 다이어프램의 압력센서 감지부를 제작할 수 있는 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR1019940016393A
公开(公告)日：1994-07-23
申请号：KR1019920025395
申请日：1992-12-24
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G01L21/00
Abstract: 본 발명은 원자난 분자를 양전하로 이온화시킨 후 이들 이온들이 포집될때 발생하는 이온전류를 이용하여 진공도를 측정하는 진공게이지(Gauge)에 관한 것으로서 선단이 뾰족하게 가공되어 전장이 집중된 음극과, 상기 음극으로 부터 방출된 전자포집부를 갖는 전계전자 방출구조와 이를 둘러쌓도록 구성된 이온포집부와, 규소, 다결정규소, 다공성규소 및 금속을 사용하는 음극과, 상기 음극으로 부터 전자를 방출시키고 이들 전자에 의해 생성된 양이온이 음극으로 이동하는 것을 방지하기 위한 게이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 이온전류를 이용한 진공게이지.
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公开(公告)号：KR1019940016339A
公开(公告)日：1994-07-23
申请号：KR1019920025011
申请日：1992-12-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01J1/16
Abstract: 본 발명은 측벽(side wall)을 이용하여 전자방출용 음극을 제조하는 방법에 관한 것으로, 기판을 소정패턴으로 식각하여 돌출된 구조의 전자방출 제어전극을 형성하는 공정과, 전자방출전극과 제어전극의 전기적 절연을 위해 상기 제어전극의 측벽과 기판의 상부에 절연막을 형성하는 공정과, 측벽도전층과의 전기적접속을 위해 상기 절연막의 상부표면에만 도전층을 형성하는 공정과, 상기 측벽도전층을 형성하기 위해 절연막의 측벽에만 도전층을 형성하는 공정과, 상기 절연막의 상부표면의 일부를 식각하여 상기 측벽도전층과 제어전극이 서로 대향하도록 한 것이다.
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