-
公开(公告)号：KR1019960005331B1
公开(公告)日：1996-04-23
申请号：KR1019930027629
申请日：1993-12-14
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H05B33/10
Abstract: forming first insulation layer(202), a conductor(203) and second insulation layer(204) on a substrate(201); forming trench by removing some position of the insulation layers(202)(204) and the conductor(203); depositing third insulation layer(206) on the side wall and top of the trench; forming insulation layer on the side-wall by engraving the insulation layer; depositing electron emission material(208); and forming cathode by removing the second insulation layer(204) and side-wall(207) positioned between a gate(211) and a side-wall(209).
Abstract translation: 在衬底（201）上形成第一绝缘层（202），导体（203）和第二绝缘层（204）; 通过去除绝缘层（202）（204）和导体（203）的一些位置来形成沟槽; 在所述沟槽的侧壁和顶部上沉积第三绝缘层（206）; 通过雕刻绝缘层在侧壁上形成绝缘层; 沉积电子发射材料（208）; 以及通过去除位于浇口（211）和侧壁（209）之间的第二绝缘层（204）和侧壁（207）来形成阴极。
-
公开(公告)号：KR1019950021180A
公开(公告)日：1995-07-26
申请号：KR1019930027344
申请日：1993-12-11
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B27/10
Abstract: 본 발명은 기판의 이방성 식각과 기판접합기술을 이용하여 광을 여러방향으로 분할시킬 수 있도록 하는 이방성 식각과 기판접합에 의한 광분할기 및 제작방법에 관한 것으로 서로 다른 방향을 갖는 〈100〉기판과〈410〉기판을 접합하여 한 기판을 식각한 다음 상기 식각영역을 틀로하여 광반사층을 형성한 뒤 다결정 규소 등의 물질을 채워 평탄화한 다음 상기 기판을 제거하므로서 광반사면을 갖도록하여 광신호 처리에서 들어오는 광신호를 피라미드형 광분할기의 상기 광반사면에 의하여 반사방향을 변화시켜 광신호를 분할하도록 하는 것이다.
-
公开(公告)号：KR1019940016741A
公开(公告)日：1994-07-25
申请号：KR1019920025334
申请日：1992-12-24
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01J31/18
Abstract: 본 발명은 전기적으로 위치선정이 가능한 전자방출 기판의 제조방법에 관한 것이고, 규소기판상에 소정간격을 두고 종방향으로 복수의 홈을 형성하여 절연물질을 충진하는 공정과, 상기 규소기판의 상부 표면에 금속층을 도포한 다음 상기 홈의 넓이보다 넓은 홈을 갖도록 상기 금속층을 식각하는 공정과, 상기 금속층들 사이의 전기적 절연을 위해 절연 물질을 도포하는 공정과, 상기 절연물질상부에 기판접합용 다결정규소를 형성한 다음 표면을 평탄화하는 공정과, 상기 다결정규소에 지지기판을 접착한 다음 상기 절연물질이 노출될 때까지 상기 규소기판을 연마하는 공정과, 상기 절연물질에 의해 전기적으로 분리된 규소기판의 상부에 음극형성용 마스크를 사용하여 음극을 형성하는 공정과, 상기 음극상부에 규소산화막을 형성하는 공정과, 상 규소산화막상부에 절연물질을 도포한다음 평탄화하는 공정과, 상기 평탄화된 절연물질상부에 금속박막을 스트라임선 형상으로 형성하는 공정과, 상기 금속박막을 소정 패턴으로 식각하여 상기 음극에 대응하는 부분에서 개구를 형성한 다음 상기 절연물질과 규소산화막을 제거하여 음극선단이 노출되게 하는 공정을 포함하는 전자방출 기판의 제조방법이다.
-
公开(公告)号：KR1019940000494B1
公开(公告)日：1994-01-21
申请号：KR1019900021818
申请日：1990-12-26
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/00
Abstract: The method is characterized by consisting of the following steps: (a) depositing a silicon nitride layer (11) on a supporting silicon substrate (12) to a fixed thickness and forming a region (13) for selective oxidation by etching the silicon nitride layer with photolithography and nitride layer etching, (b) forming a silicon oxide layer (13) by the selective oxidation of the region for a gas channel, removing the nitride layer and the selective oxide layer sequentially by using the selective oxide mask, and finally forming the gas channel (14). In this method, both selective oxidation and dry etching can be applied to make the gas channel.
Abstract translation: 该方法的特征在于包括以下步骤：（a）将氮化硅层（11）沉积在支撑硅衬底（12）上至固定厚度，并通过蚀刻氮化硅层形成用于选择性氧化的区域（13） 通过光刻和氮化物层蚀刻，（b）通过气体通道区域的选择性氧化形成氧化硅层（13），通过使用选择性氧化物掩模依次去除氮化物层和选择性氧化物层，最后形成 气体通道（14）。 在这种方法中，可以应用选择性氧化和干蚀刻来制造气体通道。
-
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019970011489B1
公开(公告)日：1997-07-11
申请号：KR1019920025022
申请日：1992-12-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01J9/02
Abstract: A method of fabricating a fine vacuum device having the cathode for emitting electrons includes the steps of depositing polysilicon 2 on a substrate 1 using low pressure chemical vapor deposition, the polysilicon 2 being configured of fine crystal of single-crystalline silicon and amorphous silicon between the fine crystals, the fine crystal of the surface of the polysilicon being buried with the amorphous silicon or a part of the surface being exposed, etching the surface of the polysilicon 2 without using a separate mask to allow the amorphous silicon to be etched faster than the single-crystalline silicon constructing the fine crystal, thereby projecting the single-crystalline silicon, forming a photoresist mask on the polysilicon 2 to expose it, removing the exposed portion of the polysilicon to expose the substrate 1, to form a plurality of divided regions 3 in parallel.
Abstract translation: 制造具有用于发射电子的阴极的精细真空装置的方法包括以下步骤：使用低压化学气相沉积将多晶硅2沉积在基板1上，多晶硅2由单晶硅和非晶硅的细晶构成， 精细晶体，多晶硅表面的精细晶体被非晶硅或部分表面被暴露而蚀刻，蚀刻多晶硅2的表面，而不使用单独的掩模，以使非晶硅的蚀刻比 构成细晶体，由此投影单晶硅，在多晶硅2上形成光致抗蚀剂掩模以使其暴露，除去多晶硅的暴露部分以露出衬底1，形成多个分割区域3 在平行下。
-
公开(公告)号：KR1019970009971B1
公开(公告)日：1997-06-19
申请号：KR1019930028479
申请日：1993-12-18
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/30
Abstract: The present invention relates to a method of making a diaphragm by using a substrate junction and a silicon substrate's anisotropic etching characteristics. This method includes the steps of preparing substrates (301, 302) different from each other in crystal direction; joining the substrates (301, 302) and making the substrate (301) thin to a given thickness by grinding; forming etching-protecting mask on the substrate (302) and selectively removing the substrate (302) relatively faster than removing the substrate (301) by using the anisotropic etching characteristics.
Abstract translation: 本发明涉及通过使用衬底接合和硅衬底的各向异性蚀刻特性来制造隔膜的方法。 该方法包括在晶体方向上准备彼此不同的衬底（301,302）的步骤; 通过研磨使所述基板（301,302）接合并使所述基板（301）变薄至给定厚度; 在基板（302）上形成蚀刻保护掩模，并且通过使用各向异性蚀刻特性比去除基板（301）相对更快地选择性地移除基板（302）。
-
公开(公告)号：KR1019970006742B1
公开(公告)日：1997-04-29
申请号：KR1019930028481
申请日：1993-12-18
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/84
Abstract: A method is described that uses a substrate joining technique and anisotropic etching characteristic of a silicon substrate to fabricate the detection part of a pressure sensor. The method includes of the steps of joining two substrates 201 and 202 having a crystal direction different from each other via an oxide layer 202, making one of the substrates 201 and 202 be the thin film having a thickness of a diaphram 207, forming a pressure receiving part 205 at a desired portion of the the substrates 201 using selective anisotropic etching, and etching the substrates 201 to form a space region 206 between the the substrates 201 and diaphram 207. Thereby, it is possible to form the detection part having a wider section area of diaphram 207 than that of the pressure receiving part 205.
Abstract translation: 描述了使用硅衬底的衬底接合技术和各向异性蚀刻特性来制造压力传感器的检测部分的方法。 该方法包括通过氧化物层202将具有彼此不同的晶体方向的两个基板201和202接合的步骤，使得基板201和202中的一个成为厚度为20μm的薄膜，形成压力 使用选择性各向异性蚀刻在基板201的期望部分处接收部分205，并且蚀刻基板201以在基板201和二角膜207之间形成空间区域206.由此，可以形成具有更宽的检测部分 堤面207的剖面面积大于受压部分205的截面面积。
-
公开(公告)号：KR1019970004214B1
公开(公告)日：1997-03-26
申请号：KR1019930029625
申请日：1993-12-24
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01H59/00
Abstract: The micro relay for operating with low voltage less than 10 V has rapid response speed less than 100 micro second. The relay has a cantilever shape thin metal electrode on SiO2 insulator. The gap between electrodes is less than 2 micro meter to be driven with low voltage. It also uses liquified mercury as upper cover plate to maintain low contact resistance and prolong operation time.
Abstract translation: 用于低于10 V低电压工作的微型继电器，响应速度快于100微秒。 继电器在SiO2绝缘体上具有悬臂形薄金属电极。 电极之间的间隙小于2微米，以低电压驱动。 它还使用液化汞作为上盖板，以保持低接触电阻并延长操作时间。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
44
records
(took 0.019 seconds)
