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公开(公告)号：KR1020150033127A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：KR1020130112719
申请日：2013-09-23
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G02B5/0268 , Y10T428/24893 , H01L51/0096 , H01L51/5275 , H01L2251/53 , H05B33/22
Abstract: 본발명의일 실시예에따른광 기능성기판의형성방법은용기에담긴물의표면에입자들을도포하여상기입자들로이루어진단층막을형성하는것, 기판을상기용기내에담그는것, 및상기기판을상기용기밖으로끌어올려상기기판상에제 1 방향으로상기입자들로이루어진패턴들을형성하는것, 및상기기판상에상기패턴들을덮는평탄막을형성하는것을포함한다.
Abstract translation: 根据本发明的一个实施方案，一种形成光功能基材的方法包括以下步骤：在容器中的水表面上涂覆颗粒并形成包含该颗粒的单层膜; 将基材浸渍在容器中; 通过将所述基板拖出所述容器而在第一方向上形成包括所述基板上的所述颗粒的图案; 并形成平滑膜以覆盖基板上的图案。
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12.发明公开불규칙한 주름 구조를 형성할 수 있는 화합물, 이를 포함하는 조성물, 불규칙한 주름 구조를 포함하는 필름, 이의 형성 방법 및 이를 포함하는 유기 발광 소자 有权用于形成随机皱纹结构的化学化合物，包含该化合物的组合物，具有结构的膜，形成膜的方法和包含膜的OLED
公开(公告)号：KR1020140016125A
公开(公告)日：2014-02-07
申请号：KR1020120116706
申请日：2012-10-19
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: C07C43/166 , C09K11/06 , H01L51/50
CPC classification number: H01L51/0034 , H01L51/5268 , H01L51/5281
Abstract: The present invention provides a compound capable of forming an irregular wrinkled structure, a composition containing the compound, a film having the irregular wrinkled structure, a method of forming the film, and an organic light emitting diode comprising the film. The film can be formed with the irregular wrinkled structure by simply coating the compound of the present invention, and curing using UV rays or heat. By applying the formed film to the organic light emitting diode, light emitted from the organic light emitting diode is scattered on the surface of irregular wrinkles and is extracted to the outside after controlling the optical wave or total reflection. A random structure located on the outside of the diode functions as a light extraction unit for improving the light efficiency of the organic light emitting diode.
Abstract translation: 本发明提供能够形成不规则起皱结构的化合物，含有化合物的组合物，具有不规则起皱结构的膜，形成膜的方法和包含该膜的有机发光二极管。 通过简单地涂覆本发明的化合物，并使用紫外线或热固化，可以形成具有不规则起皱结构的膜。 通过将形成的膜施加到有机发光二极管，从有机发光二极管发出的光被散布在不规则褶皱的表面上，并且在控制光波或全反射之后被提取到外部。 位于二极管外侧的随机结构用作提取有机发光二极管的光效率的光提取单元。
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公开(公告)号：KR1020130066271A
公开(公告)日：2013-06-20
申请号：KR1020110133026
申请日：2011-12-12
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L51/56
CPC classification number: H01L51/5268
Abstract: PURPOSE: A method for fabricating an organic light emitting diode is provided to simplify a fabrication process, by not including a vacuum process in an optical extraction mask forming process. CONSTITUTION: A substrate(100) is prepared. A rugged part(101) is formed on the substrate and is arranged at random. A planarization layer(102) planarizing the rugged part is formed on the rugged part. A first electrode is formed on the planarization layer. An organic light emission layer(104) is formed on the first electrode. A second electrode(105) is formed on the organic light emitting layer.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造有机发光二极管的方法，以通过在光学提取掩模形成工艺中不包括真空工艺来简化制造工艺。 构成：制备基材（100）。 在基板上形成粗糙部分（101）并且随机布置。 在粗糙部分上形成平坦化凹凸部分的平坦化层（102）。 在平坦化层上形成第一电极。 在第一电极上形成有机发光层（104）。 在有机发光层上形成第二电极（105）。
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公开(公告)号：KR1020130038722A
公开(公告)日：2013-04-18
申请号：KR1020110103231
申请日：2011-10-10
Applicant: 한국전자통신연구원 , 건국대학교 산학협력단
CPC classification number: H02M3/073 , G09G3/3696 , H02M2003/077
Abstract: PURPOSE: A direct current voltage conversion circuit of a liquid crystal display device is provided to correspond to the dispersion of broad threshold voltage by applying positive gate source voltage when turning on a TFT(Thin Film Transistor), and applying negative gate source voltage when turning off the TFT. CONSTITUTION: A main pumping circuit part(710) comprises multiple TFTs(M1-M8). The multiple TFTs are turned on and off by turns. A main pumping circuit part outputs voltage for driving a liquid crystal display device. A switch control signal generating part(720) controls the voltage applied to the gate of multiple thin film transistors with a clock signal inversion.
Abstract translation: 目的：提供液晶显示装置的直流电压转换电路，以便在开启TFT（薄膜晶体管）时施加正栅极源电压，并在转动时施加负栅极源电压，以对应于宽阈值电压的偏差 关掉TFT。 构成：主泵电路部分（710）包括多个TFT（M1-M8）。 多个TFT轮流打开和关闭。 主泵电路部分输出用于驱动液晶显示装置的电压。 开关控制信号生成部（720）通过时钟信号反转来控制施加到多个薄膜晶体管的栅极的电压。
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公开(公告)号：KR101213225B1
公开(公告)日：2012-12-17
申请号：KR1020090026876
申请日：2009-03-30
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
Abstract: 본발명은상변화메모리소자를이용한비휘발성프로그래머블스위치소자에대한것으로, 이소자는제1 금속전극층, 상기제1 금속전극층상부에형성되며, 채널층및 상기채널층을사이에두고서로마주보는저저항의소스/드레인을포함하는반도체박막층, 상기반도체박막층의일부를노출하는포어영역을포함하며상기반도체박막층상에형성되는절연체박막층, 상기절연체박막층의상기포어영역을매립하는반응원료층, 상기반응원료층상부에형성된제2 금속전극층및 고상반응에의해상기반응원료층과상기반도체박막층이반응하여형성되는상변화동작층을포함한다. 따라서, 고상반응에의해형성되어메모리동작에필요한동작영역을최소화하여소비전력을줄이고, 통상의트랜지스터구조를그대로사용하여 LSI 제조과정에서의공정정합성을높일수 있을뿐만아니라, 상변화메모리소자의동작에있어서쓰기와읽기동작을용이하게분리할수 있는 4단자형소자구조를제공함으로써비휘발성프로그래머블스위치소자의소형화, 저소비전력화및 고신뢰성화에크게기여할수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101183972B1
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：KR1020080127604
申请日：2008-12-16
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/09 , H01L31/101
Abstract: 본 발명은 적외선 감지용 픽셀 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 볼로미터 구조체의 대칭적 적층 구조를 구현함으로써 스트레스에 둔감한 적외선 감지용 픽셀 및 이의 제조 방법을 제공한다.
이를 위하여, 본 발명의 일실시 예에 따른 적외선 감지용 픽셀은, 내부에 신호 취득 회로(Read-Out Integrated Circuit; ROIC)가 포함되어 있으며, 적외선 반사를 위한 반사층이 적층된 기판; 상기 기판으로부터 간격을 두고 형성되며, 온도 감응형 저항체, 상기 온도 감응형 저항체의 일면에 패턴을 가지고 형성되는 제 1 금속층, 적외선을 보완적으로 흡수하기 위하여 상기 온도 감응형 저항체의 타면에 상기 제 1 금속층과 상보적인 패턴으로 형성되는 제 2 금속층 및 상기 온도 감응형 저항체와 상기 제 1 금속층 사이에 형성된 절연층을 포함하는 볼로미터 구조체; 및 상기 제 1 금속층 및 상기 제 2 금속층에서 흡수된 적외선에 따른 상기 온도 감응형 저항체의 저항 변화를 상기 제 2 금속층으로부터 입력받아 상기 신호 취득 회로로 전달하는 금속 패드를 포함한다.
그럼으로써, 향상된 응답도를 기대할 수 있으며, 스트레스에 강한 구조 및 간단한 구조를 구현할 수 있고, 이로 인한 공정 수율의 향상을 도모할 수 있고, 그 부피를 줄임으로써 응용되는 제품의 부피, 무게 및 가격 등의 감소 효과를 기대할 수 있다.
볼로미터, 적외선 센서, 온도 감응 저항체-
公开(公告)号：KR101020683B1
公开(公告)日：2011-03-11
申请号：KR1020100102476
申请日：2010-10-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
Abstract: 본 발명은 비휘발성 메모리 소자에 관한 것으로, 상 변화 메모리 소자의 제조 방법은, (a) 기판 상에 제 1 반응층을 형성하는 단계; (b) 상기 제 1 반응층 상부의 일부를 노출시키는 컨택 홀이 형성되도록 상기 제 1 반응층을 덮는 절연층을 형성하는 단계; (c) 상기 컨택 홀을 매립하는 제 2 반응층을 형성하는 단계; 및 (d) 상기 제 1 반응층 및 상기 제 2 반응층을 이루는 물질 간의 고상 반응을 일으킴으로써 상기 제 1 반응층 및 상기 제 2 반응층 사이에 상 변화층을 생성하는 단계를 포함한다. 따라서, 낮은 전력 소모를 가지며 동작 속도가 빠른 상 변화 메모리 소자를 제공할 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种非易失性存储器件，该方法包括：（a）在衬底上形成第一反应层; （b）形成覆盖第一反应层的绝缘层，以形成暴露第一反应层的上部的一部分的接触孔; （c）形成填充接触孔的第二反应层; 并且（d）通过在第一反应层和第二反应层之间引起固相反应而在第一反应层和第二反应层之间产生相变反应。 因此，可以提供具有低功耗和高操作速度的相变存储器件。
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公开(公告)号：KR1020100063618A
公开(公告)日：2010-06-11
申请号：KR1020090028248
申请日：2009-04-01
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: PURPOSE: A high-sensitivity MEMS type z-axis vibration sensor and a manufacturing method thereof are provided to apply to a seismometer detecting a low frequency of a seismic wave with very little vibration quantity and low vibration speed. CONSTITUTION: A manufacturing method of a high-sensitivity mems type z-axis vibration sensor is as follows. After preparing a SOI substrate, The top silicon layer(130a) of the SOI substrate to be used as a bottom electrode is doped. A poly silicon layer(170a) to be used as a center ground electrode and an oxide film of a predetermined thickness are formed at the top of the doped top silicon layer. The poly silicon layer is doped. A sacrifice layer oxidation film(147a) of a predetermined thickness and a top electrode(190) are formed at the top of the doped poly silicon layer. An etching process is continuously performed from the silicon wafer(110) of the bottom of the SOI substrate to isolate the area to be further connected to center of mass of a center ground electrode from the doped top silicon layer. By etching the sacrifice layer oxidation film and the oxide film through the top of the top electrode, the doped poly silicon layer forms a vibration space capable of vibrating in the Z-axis direction.
Abstract translation: 目的：提供一种高灵敏度的MEMS型z轴振动传感器及其制造方法，以应用于以非常小的振动量和低振动速度检测地震波的低频的地震仪。 构成：高灵敏度mems型z轴振动传感器的制造方法如下。 在准备SOI衬底之后，掺杂用作底部电极的SOI衬底的顶部硅层（130a）。 在掺杂的顶部硅层的顶部形成用作中心接地电极的多晶硅层（170a）和预定厚度的氧化物膜。 多晶硅层被掺杂。 在掺杂多晶硅层的顶部形成预定厚度的牺牲层氧化膜（147a）和顶部电极（190）。 从SOI衬底的底部的硅晶片（110）连续地进行蚀刻处理，以将与中心接地电极的质心相连接的区域与掺杂的顶部硅层隔离。 通过蚀刻牺牲层氧化膜和氧化膜通过顶部电极的顶部，掺杂的多晶硅层形成能够在Z轴方向振动的振动空间。
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公开(公告)号：KR1020100037284A
公开(公告)日：2010-04-09
申请号：KR1020080096529
申请日：2008-10-01
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L45/1226 , H01L45/06 , H01L45/1206 , H01L45/144 , H01L45/1625 , H01L45/1675 , G11C13/0004 , H01L21/31144 , H01L21/67069 , H01L45/143
Abstract: PURPOSE: A non-volatile programmable switch device using a phase-change memory device and a method for manufacturing the same are provided to reduce the power consumption of the switch device using heating due to the resistance of a phase-change material in order to perform a memory operation. CONSTITUTION: A first metal electrode layer(12) is formed on a substrate(10). A plurality of lead-in regions is electrically connected to the terminal of the first metal electrode layer on the substrate. A phase-change material layer(14) includes a channel region which is arranged between the lead-in regions and which is a self-heating type channel structure. An insulation layer is formed on the first metal electrode layer and the phase-change material layer. A via-hole is formed on the upper side of the first metal electrode layer. A second metal electrode layer(20) buries the via-hole.
Abstract translation: 目的：提供使用相变存储器件的非易失性可编程开关器件及其制造方法，以便由于相变材料的电阻而使用加热来切换开关器件的功耗以便执行 一个记忆操作。 构成：在基板（10）上形成第一金属电极层（12）。 多个导入区域电连接到基板上的第一金属电极层的端子。 相变材料层（14）包括布置在引入区域之间并且是自加热型沟道结构的沟道区域。 在第一金属电极层和相变材料层上形成绝缘层。 在第一金属电极层的上侧形成通孔。 第二金属电极层（20）埋设通孔。
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公开(公告)号：KR1020090122095A
公开(公告)日：2009-11-26
申请号：KR1020080063418
申请日：2008-07-01
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/143 , H01L45/144
Abstract: PURPOSE: A phase change memory and a manufacturing method thereof are provided to reduce power consumption of a memory device by minimizing the heat loss by the thermal conductivity of a metal electrode. CONSTITUTION: A phase change memory device includes a substrate(10), a first metal electrode layer(12), a phase change material layer(14), an insulation layer, a via hole, and a second metal electrode layer(20). A plurality of first metal electrode layers are formed on the substrate. The phase change material layer is formed between the first metal electrode layers on the substrate. The phase change material layer is comprised of a self heating channel structure. The insulation layer is formed on the first metal electrode layers and the phase change material layers. The via hole is formed on the first metal electrode layers. The second metal electrode layer fills the via hole.
Abstract translation: 目的：提供一种相变存储器及其制造方法，通过使金属电极的导热率的热损失最小化来降低存储器件的功耗。 一种相变存储器件，包括：衬底（10），第一金属电极层（12），相变材料层（14），绝缘层，通孔和第二金属电极层（20）。 在基板上形成多个第一金属电极层。 相变材料层形成在基板上的第一金属电极层之间。 相变材料层由自加热通道结构组成。 绝缘层形成在第一金属电极层和相变材料层上。 通孔形成在第一金属电极层上。 第二金属电极层填充通孔。
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