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公开(公告)号：KR101857160B1
公开(公告)日：2018-05-15
申请号：KR1020110136674
申请日：2011-12-16
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/10
CPC classification number: H01S5/021 , H01S3/0637 , H01S5/0205 , H01S5/026 , H01S5/028 , H01S5/1032 , H01S5/125 , H01S5/2272 , H01S5/3027
Abstract: 본발명은반도체레이저제조방법을제공한다. 상기방법은선택된영역내에만레이저발진을위한게르마늄단결정막을선택적에피성장방법으로형성되도록하여, 패브리페로양단의표면거칠기를최소화하도록하고, 반도체레이저제작공정에서절단및 연마공정필요없도록한다.
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公开(公告)号：KR1020160074809A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：KR1020140183224
申请日：2014-12-18
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H04B10/43
CPC classification number: H04B10/43 , Y02P70/611
Abstract: 본발명은광 송수신모듈을제공한다. 광송수신모듈은다층의유전체층들및 다층의금속층들이교대로적층된인쇄회로기판, 상기인쇄회로기판상에배치되어광 신호를전기신호로변환하는광 검출기, 상기인쇄회로기판의상의일측에배치되고전기신호를전달하는제 1 전송선로를포함하는보정부, 상기광 검출기에전원을공급하는전원공급선및 상기제 1 전송선로와연결되어외부에상기전기신호를전달하는제 1 고주파커넥터를포함하고, 상기인쇄회로기판은상기다층의유전체층들및 상기다층의금속층들을전기적으로연결하는복수개의비아들을포함하고, 상기보정부는상기인쇄회로기판상에서돌출되어상기광 검출기와의높이차를보정한다.
Abstract translation: 本发明涉及具有高传输效率的光收发模块。 光收发模块包括：多个电介质层和多个金属层交替堆叠的印刷电路板; 光检测器，设置在印刷电路板上，并将光信号转换为电信号; 补偿单元，设置在印刷电路板的一侧，并且包括传输电信号的第一传输线; 向光检测器供电的电源线; 以及连接到第一传输线的第一高频连接器，并传送电信号。 印刷电路板包括电连接电介质层和金属层的多个通孔，并且补偿单元从印刷电路板突出以补偿相对于光检测器的高度差。
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公开(公告)号：KR101796148B1
公开(公告)日：2017-11-13
申请号：KR1020100116877
申请日：2010-11-23
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/102 , H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/028
CPC classification number: H01L31/102 , H01L31/18
Abstract: 광검출소자및 이를제조하는방법을제공한다. 광검출소자는, 기판표면에형성된제1 도전패턴, 기판상에배치되고제1 도전패턴의적어도일부를노출시키는홈을포함하는절연패턴, 절연패턴의홈을매립하며절연패턴의상부면보다높은상부면을갖는광 흡수층, 광흡수층상에배치되는제2 도전패턴, 그리고, 제1 및제2 도전패턴에각각전기적으로연결되는연결단자들을포함할수 있다.
Abstract translation: 及其制造方法。 光学检测chulsoja埋设在所述第一导电图案，所述绝缘图案的绝缘图案槽设置在基板上，并且包括一个槽暴露至少形成在基板表面上的第一导电图案的一个部分和所述顶面比棉分离图案上更高 设置在光吸收层上的第二导电图案以及分别电连接到第一导电图案和第二导电图案的连接端子。
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公开(公告)号：KR101705725B1
公开(公告)日：2017-02-13
申请号：KR1020130061169
申请日：2013-05-29
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/028 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 본발명은반도체광검출기에서상대적으로낮은전압을인가하면서도, 높은이득을성취하여, 수신감도를증가시키고, 고속특성을가질수 있는실리콘기판기반의게르마늄반도체광검출기를제공한다. 실리콘기판상에게르마늄기반의증폭층, 즉단일게르마늄층이나게르마늄/실리콘초격자층을적용하고, 그상부에게르마늄챠지층을적용하며, 상기챠지층 상에게르마늄광 흡수층을적용하고, 상기광흡수층상의폴리실리콘제2 콘택층을적용한다. 또한여기서광흡수층은게르마늄양자점/양자선층을적용할수도있다.
Abstract translation: 本发明对半导体光电检测器施加相对较低的电压，并提供具有高增益，增加接收灵敏度和高速特性的基于硅衬底的Ge半导体光电检测器。 在硅衬底上形成Ge基放大层，即单个Ge层或Ge / Si超晶格层。 在其上形成Ge电荷层。 在电荷层上形成Ge光吸收层。 在光吸收层上形成多晶硅第二接触层。 此外，光吸收层可以形成为Ga量子点/量子线层。
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公开(公告)号：KR1020140138523A
公开(公告)日：2014-12-04
申请号：KR1020130099082
申请日：2013-08-21
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G02B6/43 , G02B6/12007 , G02B6/30 , H01L33/0075
Abstract: 본 발명은 광 입출력 장치, 및 그를 구비한 광 전자 시스템을 개시한다. 상기 장치는, 벌크 실리콘 기판, 벌크 실리콘 기판의 일측 상에 단일 집적된 수직 입사형 광검출 소자, 상기 수직 입사형 광검출 소자에 인접되는 상기 벌크 실리콘 기판 상의 타측 상에 단일 집적된 수직 출력형 광원 소자를 포함한다. 수직 출력형 광원 소자는 웨이퍼 본딩에 의해 실리콘 기판 상에 결합되어 형성되는 III-V족 화합물 반도체 광원 활성층을 포함할 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种光学I / O设备和包括该光学I / O设备的光学电子系统。 该器件包括：体硅衬底; 一个垂直入射型光电检测元件，集成在一块硅衬底上; 以及集成在与所述垂直入射型光检测元件相邻的所述体硅基板的另一侧上的垂直输出光源元件。 垂直输出光源元件可以包括通过晶片接合耦合到硅衬底的III-V族化学半导体光源激活层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020140025270A
公开(公告)日：2014-03-04
申请号：KR1020130061169
申请日：2013-05-29
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/028 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/028 , H01L31/035209 , H01L31/035236 , H01L31/1808
Abstract: The present invention applies a relatively low voltage to a semiconductor photo detector and provides a silicon-substrate-based Ge semiconductor photo detector which has high gain, increase receiving sensitivity, high speed characteristic. A Ge based amplification layer, that is a single Ge layer or Ge/Si supper lattice layer is formed on the silicon substrate. A Ge charge layer is formed on it. A Ge light absorption layer is formed on the charge layer. A polysilicon second contact layer is formed on the light absorption layer. Also, the light absorption layer may be formed as a Ga quantum dot/ quantum line layer.
Abstract translation: 本发明对半导体光电检测器施加相对较低的电压，并提供具有高增益，增加接收灵敏度和高速特性的基于硅衬底的Ge半导体光电检测器。 在硅衬底上形成Ge基放大层，即单个Ge层或Ge / Si超晶格层。 在其上形成Ge电荷层。 在电荷层上形成Ge光吸收层。 在光吸收层上形成多晶硅第二接触层。 此外，光吸收层可以形成为Ga量子点/量子线层。
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公开(公告)号：KR1020130069116A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：KR1020110136674
申请日：2011-12-16
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/10
CPC classification number: H01S5/021 , H01S3/0637 , H01S5/0205 , H01S5/026 , H01S5/028 , H01S5/1032 , H01S5/125 , H01S5/2272 , H01S5/3027
Abstract: PURPOSE: A semiconductor laser and a manufacturing method thereof are provided to grow a laser gain medium on a semiconductor substrate by a selective epitaxy method, thereby manufacturing the semiconductor laser without cutting or polishing both sides of a Fabry-Perot cavity. CONSTITUTION: A germanium monocrystal Fabry-Perot cavity is grown on a substrate by a selective epitaxy method. A spacer(31) is separated from one side of the Fabry-Perot cavity. An optical coupler(33) is separated from the other end of the Fabry-Perot cavity. The height of the top surface of the Fabry-Perot cavity is different from the height of the spacer or the optical coupler.
Abstract translation: 目的：提供一种半导体激光器及其制造方法，以通过选择性外延法在半导体衬底上生长激光增益介质，从而制造半导体激光器而不切割或抛光法布里 - 珀罗腔的两侧。 构成：通过选择性外延法在基底上生长锗单晶法布里 - 珀罗腔。 间隔物（31）从法布里 - 珀罗腔的一侧分离。 光耦合器（33）与法布里 - 珀罗腔的另一端分离。 法布里 - 珀罗腔的上表面的高度不同于间隔物或光耦合器的高度。
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公开(公告)号：KR102199978B1
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：KR1020140183224
申请日：2014-12-18
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H04B10/43
Abstract: 본발명은광 송수신모듈을제공한다. 광송수신모듈은다층의유전체층들및 다층의금속층들이교대로적층된인쇄회로기판, 상기인쇄회로기판상에배치되어광 신호를전기신호로변환하는광 검출기, 상기인쇄회로기판의상의일측에배치되고전기신호를전달하는제 1 전송선로를포함하는보정부, 상기광 검출기에전원을공급하는전원공급선및 상기제 1 전송선로와연결되어외부에상기전기신호를전달하는제 1 고주파커넥터를포함하고, 상기인쇄회로기판은상기다층의유전체층들및 상기다층의금속층들을전기적으로연결하는복수개의비아들을포함하고, 상기보정부는상기인쇄회로기판상에서돌출되어상기광 검출기와의높이차를보정한다.
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公开(公告)号：KR101865752B1
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：KR1020110130309
申请日：2011-12-07
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L31/1804 , G02B6/12004 , G02B6/131 , H01L31/02327 , H01L31/103 , H01L31/1037 , H01L31/109 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 광검출기의형성방법이제공된다. 본발명에따른광 검출기의형성방법은반도체층이제공된기판을준비하는것, 상기반도체층내에트렌치를형성하는것, 상기트렌치내에선택적단결정성장공정에의해서제1 단결정막및 제2 단결정막을형성하는것 및상기제1 단결정막, 상기제2 단결정막및 상기반도체층을패터닝하는것에의해서제1 단결정패턴, 제2 단결정패턴및 광도파로를형성하는것을포함할수 있다.
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