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公开(公告)号：KR1020170120752A
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：KR1020160048965
申请日：2016-04-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L23/34 , H01L23/36 , H01L23/373 , H01L25/00 , H01L23/367 , H01L23/498 , H01L25/065
CPC classification number: H01L24/32 , H01L24/83 , H01L25/0657 , H01L2224/32111 , H01L2224/83191 , H01L2225/0651 , H01L2225/06517
Abstract: 본발명은반도체소자및 그제조방법에관한것이다. 본발명에따른반도체소자는그 일면상에리세스부를갖는제1 반도체칩; 상기제1 반도체칩의상기리세스부내에채워진제1 접착패턴; 및상기제1 접착패턴상에배치된제2 반도체칩을포함할수 있다. 제2 반도체칩은향상된열 방출특성을나타낼수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。 根据本发明的半导体器件包括：具有表面上发射部分的第一半导体芯片; 填充在第一半导体芯片的凹陷部分中的第一粘合剂图案; 以及设置在第一粘合剂图案上的第二半导体芯片。 第二半导体芯片可以表现出改进的散热特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020140025265A
公开(公告)日：2014-03-04
申请号：KR1020130033585
申请日：2013-03-28
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/10
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/10 , H01L31/035218 , H01L31/035227 , H01L31/035254 , H01L31/18
Abstract: The present invention discloses a photodetector and a method for manufacturing the same. The detector comprises: a substrate; a first contact layer on the substrate; an amplifying layer on the first contact layer; a second contact layer on the amplifying layer; and a light absorbing layer on the second contact layer. The amplifying layer, the second contact layer, and the light absorbing layer can comprise germanium.
Abstract translation: 本发明公开了一种光检测器及其制造方法。 检测器包括：基板; 基底上的第一接触层; 第一接触层上的放大层; 放大层上的第二接触层; 和在第二接触层上的光吸收层。 放大层，第二接触层和光吸收层可以包括锗。
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公开(公告)号：KR1020160089927A
公开(公告)日：2016-07-29
申请号：KR1020150009304
申请日：2015-01-20
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L31/022416 , H01L31/03529 , H01L31/1075 , H01L31/1808 , Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/02027 , H01L31/18
Abstract: 본발명은광수신소자에관한것이다. 본발명의실시예에따르면, 기판, 상기기판의상부의제1 도핑영역, 상기기판내에제공되고, 상기제1 도핑영역을둘러싸고상기제1 도핑영역의측면과옆으로이격된링 구조의제2 도핑영역, 상기제1 도핑영역상의광 흡수층, 상기광 흡수층상의컨택층, 상기컨택층상의제1 전극, 및상기제2 도핑영역상의제2 전극을포함하는광 수신소자가제공될수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种光接收装置。 根据本发明的实施例，提供了一种光接收装置，其包括：基板; 在所述基板的上部的第一掺杂区域; 设置在所述衬底中的环结构的第二掺杂区域，被配置为围绕所述第一掺杂区域并且与所述第一掺杂区域的侧表面横向分离; 在第一掺杂区域上的光吸收层; 光吸收层上的接触层; 接触层上的第一电极; 和第二掺杂区上的第二电极。
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公开(公告)号：KR101705725B1
公开(公告)日：2017-02-13
申请号：KR1020130061169
申请日：2013-05-29
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/028 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 본발명은반도체광검출기에서상대적으로낮은전압을인가하면서도, 높은이득을성취하여, 수신감도를증가시키고, 고속특성을가질수 있는실리콘기판기반의게르마늄반도체광검출기를제공한다. 실리콘기판상에게르마늄기반의증폭층, 즉단일게르마늄층이나게르마늄/실리콘초격자층을적용하고, 그상부에게르마늄챠지층을적용하며, 상기챠지층 상에게르마늄광 흡수층을적용하고, 상기광흡수층상의폴리실리콘제2 콘택층을적용한다. 또한여기서광흡수층은게르마늄양자점/양자선층을적용할수도있다.
Abstract translation: 本发明对半导体光电检测器施加相对较低的电压，并提供具有高增益，增加接收灵敏度和高速特性的基于硅衬底的Ge半导体光电检测器。 在硅衬底上形成Ge基放大层，即单个Ge层或Ge / Si超晶格层。 在其上形成Ge电荷层。 在电荷层上形成Ge光吸收层。 在光吸收层上形成多晶硅第二接触层。 此外，光吸收层可以形成为Ga量子点/量子线层。
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公开(公告)号：KR1020140138523A
公开(公告)日：2014-12-04
申请号：KR1020130099082
申请日：2013-08-21
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G02B6/43 , G02B6/12007 , G02B6/30 , H01L33/0075
Abstract: 본 발명은 광 입출력 장치, 및 그를 구비한 광 전자 시스템을 개시한다. 상기 장치는, 벌크 실리콘 기판, 벌크 실리콘 기판의 일측 상에 단일 집적된 수직 입사형 광검출 소자, 상기 수직 입사형 광검출 소자에 인접되는 상기 벌크 실리콘 기판 상의 타측 상에 단일 집적된 수직 출력형 광원 소자를 포함한다. 수직 출력형 광원 소자는 웨이퍼 본딩에 의해 실리콘 기판 상에 결합되어 형성되는 III-V족 화합물 반도체 광원 활성층을 포함할 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种光学I / O设备和包括该光学I / O设备的光学电子系统。 该器件包括：体硅衬底; 一个垂直入射型光电检测元件，集成在一块硅衬底上; 以及集成在与所述垂直入射型光检测元件相邻的所述体硅基板的另一侧上的垂直输出光源元件。 垂直输出光源元件可以包括通过晶片接合耦合到硅衬底的III-V族化学半导体光源激活层。
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公开(公告)号：KR1020140025270A
公开(公告)日：2014-03-04
申请号：KR1020130061169
申请日：2013-05-29
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/028 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/028 , H01L31/035209 , H01L31/035236 , H01L31/1808
Abstract: The present invention applies a relatively low voltage to a semiconductor photo detector and provides a silicon-substrate-based Ge semiconductor photo detector which has high gain, increase receiving sensitivity, high speed characteristic. A Ge based amplification layer, that is a single Ge layer or Ge/Si supper lattice layer is formed on the silicon substrate. A Ge charge layer is formed on it. A Ge light absorption layer is formed on the charge layer. A polysilicon second contact layer is formed on the light absorption layer. Also, the light absorption layer may be formed as a Ga quantum dot/ quantum line layer.
Abstract translation: 本发明对半导体光电检测器施加相对较低的电压，并提供具有高增益，增加接收灵敏度和高速特性的基于硅衬底的Ge半导体光电检测器。 在硅衬底上形成Ge基放大层，即单个Ge层或Ge / Si超晶格层。 在其上形成Ge电荷层。 在电荷层上形成Ge光吸收层。 在光吸收层上形成多晶硅第二接触层。 此外，光吸收层可以形成为Ga量子点/量子线层。
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