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公开(公告)号：KR100160912B1
公开(公告)日：1998-12-15
申请号：KR1019950053676
申请日：1995-12-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01H47/00
Abstract: 본 발명은 정전구동 마이크로 릴레이 소자 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 본원 발명은 기판(10)상의 소정영역에 일부분이 단속되어 종방향으로 형성된 하부 접촉전극(12)과, 상기 하부 접촉전극(12)의 양측에 각각 형성되어 있는 하부 구동전극(13,14)과, 상기 하부 접촉전극(12)과 수직으로 대응하는 부분이 오목한 형상을 갖도록 아래로 굴곡진 제1오목부(17)가 형성되어 있고 상기 하부 구동전극(13,14)과 수직으로 대응하는 부분이 오목한 형상을 갖도록 각각 아래로 굴곡진 제2오목부(18,19)가 형성되어 있으며 하부 접촉전극(12)과 하부 구동전극(13,14)사이에 소정의 공간이 형성되도록 소정의 높이에 브릿지형상으로 형성되어 있는 브릿지 몸체(21)와, 상기 하부 접촉전극(12)과 대면하는 브릿지 몸체(21)의 제1오목부의 배면에 형성되어 있는 상부 접촉전극(20)� ��, 상기 브릿지 몸체(21)의 전면에 형성되어 있는 상부 구동전극(20)을 포함하는 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR1019970053295A
公开(公告)日：1997-07-31
申请号：KR1019950050521
申请日：1995-12-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/68
Abstract: 본 발명은 반도체 제조장비의 웨이퍼 측면파지를 위한 구동기구에 관한 것으로 종래의 웨이퍼 이송장치는 장비내에서 웨이퍼를 공정모듈에 이송할 때, 삼발이, 공압구동기 및 벨로우즈 등의 복잡한 부설장치가 공정모듈에 필요하게 되어, 진공배기 속도, 공정안정도 및 공정균일도가 나빠지게 되며 또한 웨이퍼 측면파지형 집게의 구조는 위와 같은 문제점을 개선하기는 하지만, 집게손가락이 웨이퍼를 잡을 때 각 집게손가락에 개별적으로 작동되는 인장스프링에 의한 탄성력에만 의존하여 개별적으로 작용하므로, 집게의 좌우방향에 대한 각도의 균형 및 강성이 작다는 문제점이 있어 웨이퍼의 파지가 실패할 우려가 있었으나 본 발명은 집게를 구동하는 두 회전축의 풀리(pulley) 주위에 인장강성이 높은 연동용 스틸 벨트(steel belt)를 8자 형태로 감아 개의 집게손가락의 회전운동이 연동되도록 하여 웨이퍼를 보다 안정하게 파지할 수 있고, 또한 집게의 측면방향에 대한 강성을 부여함으로써 웨이퍼의 이송속도를 증가시킬 수 있도록 한 웨이퍼 측면파지 이송용 집게(end effector)의 구동기구에 관한 것임.
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公开(公告)号：KR1019970051605A
公开(公告)日：1997-07-29
申请号：KR1019950053673
申请日：1995-12-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01H47/00
Abstract: 본 발명은 표면 마이크로 머시닝을 이용한 마이크로 릴레이 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 100면 또는 110면의 방향성을 갖는 실리콘 웨이퍼 기판에 절연을 위한 산화막 및 질화막을 순차적으로 올린 후, 수은 주입구 부분의 산화막과 질화막을 건식식각으로 제거하는 제1단계와; 상기 제1단계의 질화막 상부에 수 ㎛ 이상의 후막 산화막을 올린 후, 히터와 신호전극 등을 갖는 릴레이 구조체 형태로 후막 산화막을 건식식각하고 후막의 전해 및 무전해 도금으로 신호의 배선을 제작하는 제2단계와; 상기 제2단계의 수행 후, 산화막 희생층과 습식식각 선택비가 큰 폴리 실리콘을 증착하고, 그 위에 수은주입구 식각시 웨이퍼 전면의 보호 및 완벽한 구조체 밀폐를 위해 수 ㎛ 후막의 산화막을 형성하는 제3단계와; 상기 제3단계의 수행 후, 수은 주입 구멍을 만들기 위해 웨이퍼 뒷면의 질화막, 산화막을 건식식각한 후 비등방성 용액으로 수백 ㎛ 이상을 습식식각하고, 희생층을 습식 용액으로 제거하여 수은 주입구를 형성하는 제4단계와; 상기 제4단계에서 형성된 수은 주입구를 이용하여 액체 접점인 수은을 주입하고 글라스를 이용하여 자외선 접착제로 본딩하여 웨이퍼 뒷면을 밀봉하는 제5단계를 포함하여 이루어지며, 고온의 아노딕 본딩을 사용하지 않아 배선 금속의 산화를 막을 수 있으므로 접점의 저 저항을 이룰 수 있고, 대량생산이 가능하여 저렴하고, 릴레이 어레이의 구성을 용이하다는 장점이 있다.
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公开(公告)号：KR1019960026526A
公开(公告)日：1996-07-22
申请号：KR1019940032936
申请日：1994-12-06
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/68
Abstract: 본 발명은 반도체 제조장치에 관한 것으로 특히, 집게에 의하여 웨이퍼의 측면 부위를 잡도록 하여 삼발이의 도움없이도 카세트에서 웨이퍼척까지 웨이퍼를 용이하게 주고 받을 수 있도록 한 웨이퍼 측면파지 이송 반도체 제조장치에 관한 것이다.
본 발명에서는 웨이퍼를 잡는 집게의 구조를 변경함으로써 삼발이와 같은 웨이퍼 운송기구를 제거시켜도 용이하게 웨이퍼를 파지할 수 있도록 한 것으로서 웨이퍼의 측면이 일반적으로 원형가공(ROUNDING)되어 있다는 것에 착안하여 웨이퍼의 아랫면 대신에 측면부위를 집게가 잡도록 하므로서 삼발이가 없이도 웨이퍼의 파지, 운송이 용이하게 이루어지도록 하며, 따라서 종래의 삼발이와 같은 웨이퍼 운송장치를 제거함으로써 장비의 구조가 간단하게 구성되며, 진공반응기의 배기구를 연직하방에 설치하여 상측의 가스공급기로부터 공급되는 공정가스의 흐름이 축대칭을 이루도록 함으로써 공정균일도를 높이도록 함을 특징으로 한다.-
公开(公告)号：KR100174871B1
公开(公告)日：1999-02-01
申请号：KR1019950049249
申请日：1995-12-13
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L43/00
CPC classification number: H01H1/0036 , H01H29/28 , H01H61/02 , H01H2001/0042 , H01H2029/008 , H01H2061/006
Abstract: 본 발명은 랫칭형 열구동 마이크로 릴레이 소자에 관한 것으로, 특히 반도체 기판의 벌크내에 형성되는 릴레이 소자에 관한 것이다.
본 발명의 랫칭형 마이크로 릴레이 소자는 소정의 체적을 가지며 그 내부의 공기를 가열하는 히터(12)가 설치되어 있는 능동저장고(10)와, 상기 능동저장고(10)와 소정간격으로 이격되어 그 내부에 히터(42)가 설치되어 있으며 동일한 체적을 갖는 수동저장고(40)와, 상기 능동저장고(10)와 수동저장고(40) 사이에 공간으로 연장되어 접점금속인 액체금속(50)의 이동로로서 역할을 하는 채널(20)과, 서로 이격되어 상기 채널(20)의 소정영역에서 각각 채널의 내부에 일단이 삽입되어 외부로 진행하는 제1신호전극(30)과, 상기 제1신호전극(30)과 일정 간격으로 이격되어 동일한 형상으로 형성되어 있는 제2신호전극(32)과, 상기 채널의 내부에 실장되어 제1신호전극(30)과 제2신호전극(32)의 접점으로서의 역할을 하는 액체금속(50)과, 반도체 기판(100)의 상, 하측면에 접합 되어 있는 상, 하부 유리기판(120, 130)을 포함하여 구성된다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100160909B1
公开(公告)日：1998-12-15
申请号：KR1019950052658
申请日：1995-12-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01H1/00
Abstract: 본 발명은 자기력 구동 마이크로 릴레이 구조체 및 그 제작방법에 관한 것으로서, 실리콘 웨이퍼 기판의 상부면과 바닥면에 절연을 위해 열 산화막을 올린 후, 상기 바닥면 위에 도금의 전극이 될 얇은 금속층을 형성하는 제1단계와; 상기 금속층 위에 폴리이미드를 입혀 패턴을 전사하여 다수의 소정 부분의 금속층이 나타나도록 건식식각하는 제2단계와; 상기 나타난 금속층을 전극으로 하여 구리를 전해 및 무전해 도금으로 코일 바닥면을 제작하는 제3단계와; 상기 코일부분을 제외한 금속층을 제거한 후 산화막 또는 폴리이미드를 덮어 코일 부분인 구리를 보호하는 제4단계와; 후막의 자성체 코아를 형성하기 위해 마스크로 사용할 기판 상부면의 열 산화막을 코아의 패턴 형태로 건식식각한 후 습식 식각방법에 의해 소정 깊이 이상을 식각하는 제5단계와; 상기 제5단계의 식각된 코아 형성부분에 금속층을 입힌 후 자성체를 전기도금으로 제작하는 제6단계와; 상기 도금 전극으로 사용한 금속층을 건식식각으로 제거하고, 절연을 위해 상기 형성된 코아 상부에 소정크기의 산화막을 형성하는 제7단계와; 상기 기판 밑면의 구리코일을 웨이퍼 윗면으로 연결배선하기 위해 습식식각에서 마스크로 사용할 산화막을 건식식각한 후, 비등방성 식각을 하여 밑면의 구리코일 배선이 나타날 때까지 식각하고, 무전해 도금으로 코일 배선 부분을 채우는 제8단계와; 상기 제5단계와 제6단계의 수행 후에 형성된 후막의 분리된 자성체 상부에 형성된 산화막을 식각한 후 밑면 전극이 될 금을 리프트 오프 방법으로 제작하고, 후막의 알루미늄 또는 폴리이미드를 채워 넣은 희생층을 형성하여 전극접점 부위를 형성하는 제9단계와; 상기 희생층 위에 릴레이의 윗면 전극이 될 금과 전기적 절연을 위한 산화막을 올리는 제10단계를 포함하여 이루어지며 실리콘 웨이퍼의 벌크 마이크로 머시닝 기술, 전기도금 기술 및 반도체 공정기술을 이용하여 기존의 릴레이보다 소형이고, 집적회로 공정과 호환성이 있는 자기 구동 마이크로 릴레이 구조체 구조에 관한 것으로, 수백 ㎒에서 반복 스위칭 동작과 아울러 저 접점저항을 이룰 수 있으며, 대량생산이 가능하여 저렴하고, 릴레이 어레이(array)구성이 용이하다는 장점이 있다.
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公开(公告)号：KR100160908B1
公开(公告)日：1998-12-15
申请号：KR1019950052659
申请日：1995-12-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01H51/00
Abstract: 본 발명은 리드형 자기구동 마이크로 릴레이 및 그 제조방법에 관한 것으로, 110면의 방향성을 갖는 실리콘 웨이퍼 기판을 이방성 에칭을 통해 수백 ㎛를 수직에칭한 후, 절연을 위한 열 산화막을 형성하고 질화막을 증착하는 제1단계와; 상기 제1단계의 질화막 위에 아래 코일 전극을 형성하기 위한 금속을 증착하고 패턴화한 다음, 절연을 위한 산화막을 증착하는 제2단계와; 상기 제2단계의 산화막 위에 아래 자성체 코아를 무전해 도금으로 형성시키고 중간 산화막과 희생층으로서 제거될 아래 폴리이미드를 형성하는 제3단계와; 상기 제3단계의 중간 산화막과 폴리이미드 상부에 윗 자성체 코아와 윗 폴리이미드를 증착한 후 패턴하고, 코일 지지대로서의 산화막을 증착하는 제4단계와; 상기 희생층인 아래 폴리이미드를 제거하고 식각구멍으로 산화막을 건식식각으로 패턴화하는 제5단계와; 코일을 측면으로 둘러싸기 위해 건식식각으로 아래 코일전극까지 채널을 형성시킨 후 무전해 도금으로 코일 배선 부분을 채운 후, 상기 윗 코일전극을 건식식각하는 제6단계를 포함하여 이루어지어, 수 백 ㎑정도의 빠른 반복 스위칭 동작과 아울러 저 접점저항을 이룰 수 있으며, 반도체 제조시설을 통항 대량생산이 가능하여 저렴할 뿐만 아니라 릴레이 어레이(array) 구성이 용이하다는 장점이 있다.
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公开(公告)号：KR100126580B1
公开(公告)日：1997-12-29
申请号：KR1019940032096
申请日：1994-11-30
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G01L27/00
Abstract: The apparatus for correcting vacuum sensors which are used in a vacuum equipment, comprises: a polygonal pillar chamber(1) having a cylindrical space in the interior thereof and a polygonal pillar shape in the exterior thereof; and standard sensors(5,6) and correcting sensors(7,8) each attached on a chamber side plate(2) of the polygonal pillar chamber(1) to be placed with the same partial pressure as each other, the standard sensors(5,6) and correcting sensors(7,8) each disposed to be in an equal shape, equal distance and equal position.
Abstract translation: 用于真空设备中使用的用于校正真空传感器的设备包括：在其内部具有圆柱形空间并且在其外部具有多边形柱状的多边形柱室（1） 和标准传感器（5,6）和校正传感器（7,8），每个校正传感器（7,8）分别附接在多边形柱室（1）的腔室侧板（2）上，以相同的分压放置，标准传感器 5,6）和校正传感器（7,8），每个传感器设置成相等的形状，相等的距离和相等的位置。
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公开(公告)号：KR1019970054597A
公开(公告)日：1997-07-31
申请号：KR1019950049249
申请日：1995-12-13
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L43/00
Abstract: 본 발명은 랫칭형 열구동 마이크로 릴레이 소자에 관한 것으로, 특히 반도체 기판의 벌크내에 형성되는 릴레이 소자에 관한 것이다. 본 발명의 랫칭형 마이크로 릴레이 소자는 소정의 체적을 가지며 그 내부의 공기를 가열하는 히터(12)가 설치되어 있는 능동저장고(10)와, 상기 능동저장고(10)와 소정간격으로 이격되어 그 내부에 히터(42)가 설치되어 있으며 동일한 체적을 갖는 수동저장고(40)와, 상기 능동저장고(10)와 수동저장고(40) 사이에 공간으로 연장되어 접점금속인 액체금속(50)의 이동로로서 역할을 하는 채널(20)과, 서로 이격되어 상기 채널(20)의 소정영역에서 각각 채널의 내부에 일단이 삽입되어 외부로 진행하는 제1신호전극(30)과, 상기 제1신호전극(30)과 일정간격으로 이격되어 동일한 형상으로 형성되어 있는 제2신호전극(32)과, 상기 채널의 내부에 실장되어 제1신호전극(30)과, 제2신호전극(32)의 접점으로서 역할을 하는 액체 금속(50)과, 반도태 기판(100)의 상,하 측면에 접합 어 있는 상,하부 유리기판(120,130)을 포함하여 구성된다
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公开(公告)号：KR1019970051604A
公开(公告)日：1997-07-29
申请号：KR1019950052682
申请日：1995-12-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01H47/00
Abstract: 본 발명은 랫칭형 자기력 구동 마이크로 릴레이 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 100면의 방향성을 갖는 실리콘 웨이퍼 기판의 바닥면에 습식 식각에서 마스크로 사용하기 위한 열산화막과 질화막을 순차적으로 형성한 후, 구조체 형태로 건식 식각하는 제1단계와; 상기 제1단계의 수행 후, 비등방성 용액으로 십 ㎛ 정도로 습식 식각을 하고 상기 구조체 부분의 절연을 위해 산화막을 형성하는 제2단계와; 상기 제2단계의 수행 후, 마이크로 릴레이의 전극을 만들기 위해 얇은 금속층을 입힌 후, 전기도금으로 후막의 전극을 형성하고, 건식 식각으로 나머지 얇은 금속층을 제거하는 제3단계와; 상기 제3단계의 전기도금 방법으로 코일을 형성한 다음, 폴리이미드를 덮은 후 패턴을 형성하는 제4단계와; 상기 제4단계의 수행 후, 상기 구조 위에 자기코아와 희생층을 각각 올린 후, 패턴을 형성하는 제5단계와; 상기 자기 코아의 절연과 저장고의 제작을 위해 폴리이미드를 올리고 상기 희생층 제거를 위한 구멍을 제작한 후, 자기 코아의 전극을 전기도금으로 제작하고 상기 희생층을 제거하여 틈을 만드는 제6단계와; 상기 제6단계의 수행 후, 실리콘 기판 뒷면의 질화막과 산화막을 건식 식각한 후 비등방성 습식 식각을 이용하여 수은 주입구를 제작하는 제7단계와; 상기 제7단계의 수행 후, 밀봉과 절연을 위해 폴리이미드를 올리고 코일을 제작한 후, 릴레이 구조체에 압력을 이용하여 수은을 주입한 다음 글라스를 실리콘 기판에 자외선 접착제로 밀봉하는 제8단계를 포함하여 이루어지어, 수 백 MHz에서 반복 스위칭 동작과 함께 액체 접점으로 인해 저 접점저항을 이룰 수 있으며, 대량생산이 가능하여 저렴할 뿐만 아니라 릴레이 어레이(array) 구성이 용이하다는 장점이 있다.
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