公开(公告)号：KR1020130134128A

公开(公告)日：2013-12-10

申请号：KR1020120057414

申请日：2012-05-30

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  한국과학기술원

Inventor： 박장현 ,  최성훈 ,  장인수 ,  김창범 ,  조용호 ,  신수환 ,  권순재 ,  유형준

IPC: H03H17/00

CPC classification number: H03K5/00

Abstract: The present invention relates to a movement average filter allowing selecting a filter characteristic of a necessary form by varying a filter coefficient for the movement average filter based on charge sampling so that an interference signal such as an interference wave, etc. can be efficiently removed, and a movement average filtering method using the same. To achieve this, the movement average filter according to the present invention comprises a voltage-current convertor which converts an input voltage signal (VIN) to an input current signal (IRF) to be outputted; and a first sampling unit which includes a first 1-unit sampler, an α-unit sampler and a second 1-unit sampler that respectively have sampling capacitor banks for performing the charge sampling for the input current signal (IRF) and are connected in parallel between an output end of the voltage-current converter and an output end of a filtering signal, wherein the sampling capacitor ratio of the sampling capacitor banks of the first 1-unit sampler, the α-unit sampler and the second 1-unit sampler is 1:α:1, and wherein α is adjusted to have a value of between 1 and 2. [Reference numerals] (142a,142b,142c,142d,142e,146a,146b,146c,146d,146e) 1-unit sampler;(144a,144b,144c,144d,144e) 慣-unit sampler

Abstract translation: 移动平均滤波器本发明涉及一种运动平均滤波器，其允许通过基于电荷采样改变用于移动平均滤波器的滤波器系数来选择必要形式的滤波器特性，使得可以有效地去除干扰波等干扰信号， 和使用该移动平均滤波方法的移动平均滤波方法。 为了实现这一点，根据本发明的移动平均滤波器包括电压电流转换器，其将输入电压信号（VIN）转换为输出的输入电流信号（IRF）; 以及第一采样单元，其包括分别具有用于对输入电流信号（IRF）进行充电采样并且并联连接的采样电容器组的第一单元采样器，α单元采样器和第二单元采样器 在所述电压 - 电流转换器的输出端和滤波信号的输出端之间，所述第一单元采样器，所述α单元采样器和所述第二单元采样器的采样电容器组的采样电容比为 （142a，142b，142c，142d，142e，146a，146b，146c，146d，146e）1单位采样器（1），其中α被调整为具有1和2之间的值。 ;（144a，144b，144c，144d，144e）惯性采样器

公开(公告)号：KR100276081B1

公开(公告)日：2001-02-01

申请号：KR1019970054786

申请日：1997-10-24

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김종수 ,  최상수 ,  정해빈 ,  유형준 ,  이각현 ,  김도훈

IPC: G02B1/10 ,  G02B5/04 ,  G02B27/28

Abstract: PURPOSE: A polarizing beam splitter for two wavelengths and a method for fabricating the same are provided to reflect a S-wave and transmit a P-wave by depositing alternately a material having a high refractive index and a material having a low refractive index on an inclined plane of a prism. CONSTITUTION: A reticle(1) is used for receiving an ArF excimer laser with a wavelength of 193nm. A couple of rectangular prism(4,8) is used for transmitting the ArF excimer laser through the reticle(1). A multi-coating layer(5) is formed on each inclined plane of the rectangular prisms(4,8). A plurality of 1/4 wavelength plate(6,9) is used for changing a wavelength of the laser beam reflected by the multi-coating layer(5). A reflective mirror(7) is used for reflecting the laser beam transmitting the 1/4 wavelength plate(6). The laser beam reflected by the reflective mirror(7) is focused on a wafer(10).

Abstract translation: 目的：提供一种用于两个波长的偏振分束器及其制造方法，用于反射S波并通过将具有高折射率的材料和具有低折射率的材料交替沉积在 棱镜的倾斜平面。 构成：将掩模版（1）用于接收波长为193nm的ArF准分子激光器。 一对矩形棱镜（4,8）用于通过光罩（1）传送ArF准分子激光器。 在矩形棱镜（4,8）的每个倾斜平面上形成多层涂层（5）。 多个1/4波长板（6,9）用于改变由多层涂层（5）反射的激光束的波长。 反射镜（7）用于反射透射1/4波长板（6）的激光束。 由反射镜（7）反射的激光束聚焦在晶片（10）上。

公开(公告)号：KR100211068B1

公开(公告)日：1999-07-15

申请号：KR1019960069278

申请日：1996-12-20

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이각현 ,  김도훈 ,  정해빈 ,  유형준

IPC: G02B27/10

Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
광학계용 비접촉식 렌즈 정점 위치 및 기울기 측정장치
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
단 렌즈의 위치와 기울기 오차를 비접촉식으로 효과적으로 측정하며, 상기 오차를 보상할 수 있는 수단을 제공하고자 함.
3. 발명의 해결 방법의 요지
장치 하부에 배치되어 빛을 방출하는 광원; 상기 광원의 빛을 집속시켜 광학계 상부에 정렬된 단렌즈 표면에 결상시키는 대물렌즈; 상기 대물렌즈와 상기 광원 사이에 배치되며, 두개의 프리즘으로 구성되어, 반사된 상기 단렌즈 표면의 상기 결상을 단렌즈의 광축과 직각 방향으로 전환시켜 조사하는 광속분할기; 상기 광속분할기로부터 조사된 광 결상의 광량 및 위치를 측정하는 검지부; 상기 구성품을 소정 위치에 지지 고정하는 가대; 및 상기 가대에 연결되어 그의 상하 변위를 측정하는 거리 측정부를 포함하여 이루어진 광학계용 렌즈 정점 위치 및 기울기 측정장치를 제공한다.
4. 발명의 중요한 용도
상기와 같이 구성된 본 발명은 다수의 렌즈로 구성된 정밀 광학계의 조립에 용이하게 적용될 수 있으며, 구성 렌즈와 접촉 없이도 상기 렌즈들의 정점 위치 및 기울기를 효율적으로 측정할 수가 있다.

公开(公告)号：KR100205064B1

公开(公告)日：1999-06-15

申请号：KR1019950052643

申请日：1995-12-20

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김도훈 ,  이각현 ,  정해빈 ,  유형준

IPC: H01L21/027

Abstract: 본 발명은 차광부를 지닌 리소그래피 광학계용 웨이퍼 자동촛점장치 및 자동촛점방법에 관한 것이다. 본 발명의 웨이퍼 자동촛점장치는 주 광학계(110) 내부에 존재하는 차광영역(102)에 TTL방식으로 배치되고 편광 광분할기(103), λ/4 판(104,105) 및 반사거울(106)로 이루어진 광학소자와; 주 광학계(101)의 외부에 배치되고 두개의 주파수가 상호직각 편광성분으로 이루어진 지만 레이저광을 방출하는 지만 레이저(107)와; 전기한 지만 레이저(17)로부터 방출된 지만 레이저 광을 분할하기 위한 광분할기(108)와; 전기한 광분할기(108)에 의해 분할되어 선편광자(109)를 거쳐 광검출기(110)에 의해 검출된 기준신호(111)와, 전기한 광분할기(108)에 의해 분할되어 주 광학계(101) 내부로 입사된 레이저광이 전기한 광학소자를 거쳐 광검출기(110)에 의해 검출된 기준신호(111)와, 전기한 광분할기(108)에 의해 분할되어 주 광학계(101) 내부로 입사된 레이저광이 전기한 광학소자를 거쳐 웨이퍼(120)에서 반사된 반사광 및 전기한 광학소자의 반사거울(106)에서 반사된 기준광이 선편광자(109)를 거쳐 광검출기(110)에 의해 검출된 웨이퍼 위치신호(112)를 레이저 간섭계를 통한 웨이퍼의 거리를 적절한 신호처리 회로를 통해 읽어냄으로써 초점 벗어남을 비교계산하여 웨이퍼 위치정보를 출력하기 위한 신호처리계(113) 및 주연산기(114); 및 전기한 신호처리계(113) 및 주연산기(114)로부터의 웨이퍼 위치정보에 따라 웨이퍼 스테이지(121)를 구동하여 웨이퍼(120)를 주 광학계(101)의 촛점심도 내에 위치시키기 위한 스테이지 제어기(115)로 구성된다.

公开(公告)号：KR100194613B1

公开(公告)日：1999-06-15

申请号：KR1019950050524

申请日：1995-12-15

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이진구 ,  윤형진 ,  이응호 ,  정철환 ,  정병훈 ,  백종태 ,  유형준

IPC: H01L21/302

Abstract: 본 발명은 화학적 기계적 웨이퍼 연마공정의 평탄화 증진방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 화학적 기계적 웨이퍼 연마공정의 평탄화 증진방법은, 슬러리 탱크(7) 내에, 웨이퍼(2)의 연마공정시 웨이퍼(2)의 일부가 플레이톤(8)의 외부로 노출되도록 웨이퍼 캐리어(1)와 플레이튼(8)을 비동축상으로 구성하고, 플레이튼 회전축(9)에 스터러(5)를 부설하며, 플레이튼(8) 및 연마 패드(3)에 일정 간격으로 복수개의 슬러리 공급구(4)를 형성한 다음, 슬러리(6)를 상기한 슬러리 탱크(7) 내의 플레이튼(8) 상단까지 충진시키고, 상기한 스터러(5)를 회전시켜 상기한 슬러리 공급구(4)를 통해 혼합된 슬러리(6)를 웨이퍼(2)의 전체면에 공급하면서, 웨이퍼(2)가 장착된 상기한 웨이퍼 캐리어(1)와 패드(3)가 장착된 상기한 플레이튼(8)을 회전시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1019990017315A

公开(公告)日：1999-03-15

申请号：KR1019970040213

申请日：1997-08-22

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 강성원 ,  조경익 ,  유형준

IPC: H01L29/739

Abstract: 본 발명은 진공 또는 대기 등의 기체 내에서 인접한 두개의 전극 사이에 높은 전류 구동이 가능하게 한 광게이트 소자를 이용한 고전력용 전자소자에 관한 것으로, 두개의 박막형의 전극을 형성하고 이 전극을 각각 방출전극, 수전전극으로 사용하고 임계 에너지 이상의 광을 방출전극에 조사하여 전자를 방출시켜 게이트의 동작을 수행하게 고안된 트랜지스터인 광게이트 트랜지스터를 원하는 소자의 내압에 대해 전압 항복이 발생하지 않게 방출전극과 수전전극 사이의 간격을 유지한다. 또한 전극간에 전압을 인가하면서 방출전극에 광을 조사하여 전자를 방출시킬 때 조사 유효 면적을 증대시키고자 소자의 전극 구조를 빗살 구조로 형성하여 높은 전류 구동이 가능하게 한 광게이트 소자를 이용한 고전력용 전자소자에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR1019990016197A

公开(公告)日：1999-03-05

申请号：KR1019970038668

申请日：1997-08-13

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 송윤호 ,  이진호 ,  강승열 ,  조경익 ,  유형준

IPC: H01J1/30

Abstract: 본 발명은 전자 방출 디스플레이에 관한 것으로, 전계 방출 디스플레이 하판의 한 화소를 저항체를 가진 실리콘 전계 에미터 어레이 및 하나의 n-채널 고전압 박막 트랜지스터(nHVTFT)로 구성하고, 디스플레이 신호를 각 화소에 부착되어 있는 nHVTFT를 통해 제어하는 구동방법을 제공함으로써, 고화질 및 고밀도의 전계 방출 디스플레이를 저가격으로 제조 가능하도록 하고자 하며, 전계 에미터 어레이의 각 에미터에 전계 방출 특성을 안정화시키는 저항체를 부착하여 전계 에미터간의 전기적 특성의 균일도를 향상시키고, 과전류에 의한 소자 파손를 억제시킨다.

公开(公告)号：KR1019990011743A

公开(公告)日：1999-02-18

申请号：KR1019970034952

申请日：1997-07-25

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 홍윤식 ,  이종현 ,  이창승 ,  김수현 ,  백종태 ,  유형준

IPC: G01C19/56

Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
본 발명은 공진형 마이크로 자이로스코프에 관한 것으로, 특히 미세 가공 기술로 제작 가능한 마이크로 브리지의 정상파를 이용하는 자이로스코프 및 그 제조 방법과 이를 이용한 각속도 측정 방법에 관한 것이다.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
본 발명에 의한 공진형 마이크로 자이로스코프는 미세 가공 기술로 제작된 브리지 형태의 구조체를 압전소자를 이용해 공진시켜 휨 변형을 일으키고, 외부의 회전 속도에 의한 코리올리 힘이 발생할 때 이로 인한 공진 모드의 변화를 압전 소자를 이용해서 검출하는 방법을 이용한다. 그러므로 기존의 진동형 자이로스코프에 비해 고진공 내에서의 작동과 공진 모드 주파수의 조율 등의 문제가 심각히 요구되지 않는다.
3. 발명의 해결 방법의 요지
본 발명에 의한 자이로스코프는 브리지형 양단의 구속 보가 낮은 공진 모드로 휨에 의한 진동을 하도록 가진 전극을 보 위의 세 지점에 위치 시키고, 보의 공진 모드의 곡선 중 변곡점으로 작용하는 부분, 즉 휨 모멘트가 작용하지 않아 휨에 의한 응력이 공진중 항상 0이 되는 지점에 검출 전극을 위치시킨다. 보의 길이 방향에 수직하고 동시에 진동 변위에 수직한 방향으로 외부 각속도가 가해지면 코리올리의 힘이 보의 길이 방향으로 가해지게 되므로 공진의 모드를 변형시켜 검출 전극이 위치한 지점에서 0이 아닌 휨 응력이 발생하게 된다. 이 응력에 의한 변형의 크기는 외부의 회전 각속도에 비례하므로 이 변형의 크기를 압전 소자를 이용하여 측정하므로 각속도 검출의 기능을 수행하게 된다.

公开(公告)号：KR100174871B1

公开(公告)日：1999-02-01

申请号：KR1019950049249

申请日：1995-12-13

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 최부연 ,  박경호 ,  이종현 ,  유형준

IPC: H01L43/00

CPC classification number: H01H1/0036 ,  H01H29/28 ,  H01H61/02 ,  H01H2001/0042 ,  H01H2029/008 ,  H01H2061/006

Abstract: 본 발명은 랫칭형 열구동 마이크로 릴레이 소자에 관한 것으로, 특히 반도체 기판의 벌크내에 형성되는 릴레이 소자에 관한 것이다.
본 발명의 랫칭형 마이크로 릴레이 소자는 소정의 체적을 가지며 그 내부의 공기를 가열하는 히터(12)가 설치되어 있는 능동저장고(10)와, 상기 능동저장고(10)와 소정간격으로 이격되어 그 내부에 히터(42)가 설치되어 있으며 동일한 체적을 갖는 수동저장고(40)와, 상기 능동저장고(10)와 수동저장고(40) 사이에 공간으로 연장되어 접점금속인 액체금속(50)의 이동로로서 역할을 하는 채널(20)과, 서로 이격되어 상기 채널(20)의 소정영역에서 각각 채널의 내부에 일단이 삽입되어 외부로 진행하는 제1신호전극(30)과, 상기 제1신호전극(30)과 일정 간격으로 이격되어 동일한 형상으로 형성되어 있는 제2신호전극(32)과, 상기 채널의 내부에 실장되어 제1신호전극(30)과 제2신호전극(32)의 접점으로서의 역할을 하는 액체금속(50)과, 반도체 기판(100)의 상, 하측면에 접합 되어 있는 상, 하부 유리기판(120, 130)을 포함하여 구성된다.

公开(公告)号：KR100160909B1

公开(公告)日：1998-12-15

申请号：KR1019950052658

申请日：1995-12-20

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박경호 ,  최부연 ,  이종현 ,  유형준

IPC: H01H1/00

Abstract: 본 발명은 자기력 구동 마이크로 릴레이 구조체 및 그 제작방법에 관한 것으로서, 실리콘 웨이퍼 기판의 상부면과 바닥면에 절연을 위해 열 산화막을 올린 후, 상기 바닥면 위에 도금의 전극이 될 얇은 금속층을 형성하는 제1단계와; 상기 금속층 위에 폴리이미드를 입혀 패턴을 전사하여 다수의 소정 부분의 금속층이 나타나도록 건식식각하는 제2단계와; 상기 나타난 금속층을 전극으로 하여 구리를 전해 및 무전해 도금으로 코일 바닥면을 제작하는 제3단계와; 상기 코일부분을 제외한 금속층을 제거한 후 산화막 또는 폴리이미드를 덮어 코일 부분인 구리를 보호하는 제4단계와; 후막의 자성체 코아를 형성하기 위해 마스크로 사용할 기판 상부면의 열 산화막을 코아의 패턴 형태로 건식식각한 후 습식 식각방법에 의해 소정 깊이 이상을 식각하는 제5단계와; 상기 제5단계의 식각된 코아 형성부분에 금속층을 입힌 후 자성체를 전기도금으로 제작하는 제6단계와; 상기 도금 전극으로 사용한 금속층을 건식식각으로 제거하고, 절연을 위해 상기 형성된 코아 상부에 소정크기의 산화막을 형성하는 제7단계와; 상기 기판 밑면의 구리코일을 웨이퍼 윗면으로 연결배선하기 위해 습식식각에서 마스크로 사용할 산화막을 건식식각한 후, 비등방성 식각을 하여 밑면의 구리코일 배선이 나타날 때까지 식각하고, 무전해 도금으로 코일 배선 부분을 채우는 제8단계와; 상기 제5단계와 제6단계의 수행 후에 형성된 후막의 분리된 자성체 상부에 형성된 산화막을 식각한 후 밑면 전극이 될 금을 리프트 오프 방법으로 제작하고, 후막의 알루미늄 또는 폴리이미드를 채워 넣은 희생층을 형성하여 전극접점 부위를 형성하는 제9단계와; 상기 희생층 위에 릴레이의 윗면 전극이 될 금과 전기적 절연을 위한 산화막을 올리는 제10단계를 포함하여 이루어지며 실리콘 웨이퍼의 벌크 마이크로 머시닝 기술, 전기도금 기술 및 반도체 공정기술을 이용하여 기존의 릴레이보다 소형이고, 집적회로 공정과 호환성이 있는 자기 구동 마이크로 릴레이 구조체 구조에 관한 것으로, 수백 ㎒에서 반복 스위칭 동작과 아울러 저 접점저항을 이룰 수 있으며, 대량생산이 가능하여 저렴하고, 릴레이 어레이(array)구성이 용이하다는 장점이 있다.