公开(公告)号：KR100170485B1

公开(公告)日：1999-03-30

申请号：KR1019950050521

申请日：1995-12-15

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이종현 ,  최부연 ,  장기호 ,  장원익 ,  김도훈

IPC: H01L21/68

Abstract: 본 발명은 반도체 제조장비의 웨이퍼 측면파지를 위한 구동기구에 관한 것으로 종래의 웨이퍼 이송장치는 장비내에서 웨이퍼를 공정모듈에 이송할 때, 삼발이, 공압구동기 및 벨로우즈 등의 복잡한 부설장치가 공정모듈에 필요하게 되어, 진공배기 속도, 공정안정도 및 공정균일도가 나빠지게 되며 또한 웨이퍼 측면파지형 집게의 구조는 위와 같은 문제점을 개선하기는 하지만, 집게손가락이 웨이퍼를 잡을 때 각 집게손가락에 개별적으로 작동되는 인장스프링에 의한 탄성력에만 의존하여 개별적으로 작용하므로, 집게의 좌우방향에 대한 각도의 균형 및 강성이 작다는 문제점이 있어 웨이퍼의 파지가 실패할 우려가 있었으나 본 발명은 집게를 구동하는 두 회전축의 풀리(pulley) 주위에 인장강성이 높은 연동용 스틸 벨트(steel belt)를 8자 형태로 감아 � �� 개의 집게손가락의 회전운동이 연동되도록 하여 웨이퍼를 보다 안정하게 파지할 수 있고, 또한 집게의 측면방향에 대한 강성을 부여함으로써 웨이퍼의 이송속도를 증가시킬 수 있도록 한 웨이퍼 측면파지 이송용 집게(end effector)의 구동기구에 관한 것임.

公开(公告)号：KR100152324B1

公开(公告)日：1998-12-01

申请号：KR1019940032936

申请日：1994-12-06

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이종현 ,  유형준 ,  최부연 ,  장원익 ,  장기호

IPC: H01L21/68

CPC classification number: H01L21/68707 ,  Y10S414/136 ,  Y10S414/137 ,  Y10S414/139 ,  Y10S414/141

Abstract: 본 발명은 반도체 제도 장치에 관한 것으로 특히, 집게에 의하여 웨이퍼의 측면 부위를 잡도록 하여 삼발이의 도움없이도 카세트에서 웨이퍼척까지 웨이퍼를 용이하게 주고 받을 수 있도록 한 웨이퍼 측면 파지 이송 반도체 제조장치에 관한 것이다. 본 발명에서는 웨이퍼를 잡는 집게의 구조를 변경함으로써 삼발이와 같은 웨이퍼 운송기구를 제거시켜도 용이하게 웨이퍼를 파지할 수 있도록 한 것으로서 웨이퍼의 측면이 일반적으로 원형가공(ROUNDING)되어 있다는 것에 착안하여 웨이퍼의 아랫면 대신에 측면부위를 집게가 잡도록 하므로서 삼발이가 없이도 웨이퍼의 파지, 운송이 용이하게 이루어지도록 하며, 따라서 종래의 삼발이와 같은 웨이퍼운송 장치를 제거함으로써 장비의 구조가 간단하게 구성되며, 진공반응기의 배기구를 언직하방에 설치하여 상측의 가스공급기로 부터 공급되는 공정가스의 흐름이 축대칭을 이루도록 함으로써 공정균일도를 높이도록 함을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1019960019638A

公开(公告)日：1996-06-17

申请号：KR1019940031730

申请日：1994-11-29

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 최부연 ,  이종현 ,  장기호 ,  장원익

IPC: H01L21/66

Abstract: 본 발명은 웨이퍼 뒷면에 두 파장의 적외선을 조사할 때, 웨이퍼의 온도 변화에 따라 수반되는 두께 및 굴절율 변화로 인하여 발생하는 각각의 간섭 프린지(fringe) 위상차를 감지하여 웨이퍼 온도를 측정하는 장치에 관한 것이다.
본 발명은 광원으로서 서로 다른 파장을 갖는 적외선을 각각 방출하는 제1 및 제2적외선 레이저와, 상기 적외선 레이저에서 방출된 적외선들을 웨이퍼가 장착된 진공챔버내로 입사시키기 위해 챔버벽에 형성된 광학창과, 이 광학창을 투과한 레이저빔이 웨이퍼 후면에 입사되도록 레이저 빔의 광경로를 조정하기 위한 프리즘과, 상기 광학창을 통하여 웨이퍼에서 반사된 빔을 반사시키기 위한 플라라이저(polarizer)와, 상기 플라라이저에서 반사된 빔을 파장별로 분리하기 위한 2색(dichroic) 빔 분리경과, 상기 2색빔 분리경을 통하여 분리된 적외선들을 각각 감지하기 위한 적외선 센서, 및 상기 적외선 센서들에서 감지된 각각의 간섭 프린지(fringe) 위상차를 비교하는 위상 비교기(phase comparator)를 구비하여 웨이퍼 전면의 상태와 관계없이 공정중에 in-situ, 비 접촉으로 웨이퍼 온도와 아울러 온도의 중,감소 방향을 측정할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019970051606A

公开(公告)日：1997-07-29

申请号：KR1019950053676

申请日：1995-12-21

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이재열 ,  박경호 ,  최부연 ,  강상원 ,  이종현 ,  유형준

IPC: H01H47/00

Abstract: 본 발명은 정전구동 마이크로 릴레이 소자 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 본원 발명은 기판(10)상의 소정영역에 일부분이 단속되어 종방향으로 형성된 하부 접촉전극(12)과, 상기 하부 접촉전극(12)의 양측에 각각 형성되어 있는 하부 구동전극(13,14)과, 상기 하부 접촉전극(12)과 수직으로 대응하는 부분이 오목한 형상을 갖도록 아래로 굴곡진 제1오목부(17)가 형성되어 있고 상기 하부 구동전극(13,14)과 수직으로 대응하는 부분이 오목한 형상을 갖도록 각각 아래로 굴곡진 제2오목부(18,19)가 형성되어 있으며 하부 접촉전극(12)과 하부 구동전극(13,14)사이에 소정의 공간이 형성되도록 소정의 높이에 브릿지형상으로 형성되어 있는 브릿지 몸체(21)와, 상기 하부 접촉전극(12)과 대면하는 브릿지 몸체(21)의 제1오목부의 배면에 형성되어 있는 상부 접촉전극(20) , 상기 브릿지 몸체(21)의 전면에 형성되어 있는 상부 구동전극(20)을 포함하는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR100149886B1

公开(公告)日：1999-04-15

申请号：KR1019940031730

申请日：1994-11-29

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 최부연 ,  이종현 ,  장기호 ,  장원익

IPC: H01L21/66

Abstract: 본 발명은 웨이퍼 뒷면에 두 파장의 적외선을 조사할 때, 웨이퍼의 온도 변화에 따라 수반되는 두께 및 굴절율 변화로 인하여 발생하는 각각의 간섭 프린지(fringe) 위상차를 감지하여 웨이퍼의 온도를 측정하는 장치에 관한 것이다.
본 발명은 광원으로서 서로 다른 파장을 갖는 적외선을 각각 방출하는 제 1 및 제2 적외선 레이저와, 상기 적외선 레이저에서 방출된 적외선들을 웨이퍼가 장착된 진공챔버내로 입사시키기 위해 챔버벽에 형성된 광학창과, 이 광학창을 투과한 레이저빔이 웨이퍼 후면에 입사되도록 레이저 빔의 광경로를 조정하기 위한 프리즘과, 상기 광학창을 통하여 웨이퍼에서 반사된 빔을 반사시키기 위한 폴라라이저(polarizer)와, 상기 폴라라이저에서 반사된 빔을 파장별로 분리하기 위한 2색(dichroic) 빔 분리경과, 상기 2색빔 분리경을 통하여 분리된 적외선들을 각각 감지하기 위한 적외선 센서 및 상기 적외선 센서들에서 감지된 각각의 간섭 프린지(fringe) 위상차를 비교하는 위상 비교기(phase comparator)를 구비하여 웨이퍼 전면의 상태와 관계없이 공정중에 in-situ, � �접촉으로 웨이퍼 온도와 아울러 온도의 증, 감소 방향을 측정할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019970051611A

公开(公告)日：1997-07-29

申请号：KR1019950052659

申请日：1995-12-20

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박경호 ,  최부연 ,  이종현 ,  유형준

IPC: H01H51/00

Abstract: 본 발명은 리드형 자기구동 마이크로 릴레이 및 그 제조방법에 관한 것으로, 110면의 방향성을 갖는 실리콘 웨이퍼 기판을 이방성 에칭을 통해 수백 ㎛를 수직에칭한 후, 절연을 위한 열 산화막을 형성하고 질화막을 증착하는 제1단계와; 상기 제1단계의 질화막 위에 아래 코일 전극을 형성하기 위한 금속을 증착하고 패턴화한 다음, 절연을 위한 산화막을 증착하는 제2단계와; 상기 제2단계의 산화막 위에 아래 자성체 코아를 무전해 도금으로 형성시키고 중간 산화막과 희생층으로서 제거될 아래 폴리이미드를 형성하는 제3단계와; 상기 제3단계의 중간 산화막과 폴리이미드 상부에 윗 자성체 코아와 윗 폴리이미드를 증착한 후 패턴하고, 코일 지지대로서의 산화막을 증착하는 제4단계와; 상기 희생층인 아래 폴리이미드를 제거하고 식각구멍으로 산화막을 건식식각으로 패턴화하는 제5단계와; 코일을 측면으로 둘러싸기 위해 건식식각으로 아래 코일전극까지 채널을 형성시킨 후 무전해 도금으로 코일 배선 부분을 채운 후, 상기 윗 코일전극을 건식식각하는 제6단계를 포함하여 이루어지어, 수 백 ㎑정도의 빠른 반복 스위칭 동작과 아울러 저 접점저항을 이룰 수 있으며, 반도체 제조시설을 통항 대량생산이 가능하여 저렴할 뿐만 아니라 릴레이 어레이(array) 구성이 용이하다는 장점이 있다.

公开(公告)号：KR1019960018555A

公开(公告)日：1996-06-17

申请号：KR1019940032096

申请日：1994-11-30

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 장기호 ,  장원익 ,  이종현 ,  최부연

IPC: G01L27/00

Abstract: 본 발명은 진공장비에서 사용되는 진공센서 (캐패시턴스 마노메터, 피라니 게이지, 열전쌍 게이지, 열음극 이온게이지, 냉음극 이온게이지)를 보정하는 장치로서 다면체기둥 공진챔버를 이용한 진공센서 보정장치에 관한 것으로 진공장비에서 사용하는 각종 진공압력센서 중 진공압력 감지 범위가 대기압에서 1.0×10
-6 torr인 센서들의 보정을 다면체기둥 진공챔버에 일정 압력범위를 정밀하게 측정하는 표준센서인 케패시턴스 마노메터 또는 정밀 표준센서들을 부착하여 놓고 다면체 기둥챔버(1)미 밑면 배기구(17)로부터 동형태, 등위치, 등거리에 보정센서를 부착할 수 있도록 하여 보정하고자 하는 센서가 표준센서와 동일한 분압이 되도록 하여 한 다면체기둥 공진챔버를 이용한 진공센서 보정장치이다.

公开(公告)号：KR100171009B1

公开(公告)日：1999-05-01

申请号：KR1019950047433

申请日：1995-12-07

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이종현 ,  최부연 ,  박경호 ,  유형준

IPC: G01C19/00

CPC classification number: G01C19/56 ,  G01P15/0802

Abstract: 본 발명은 원판 진동형 마이크로 자이로스코프 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 마이크로 자이로스코프는, 원판형 진동체(2)를 지지하기 위한 지지대(3); 상부 구동전극(4)과의 정전력에 의해 가진되어 회전시 공진주파수를 2개의 서로 다른 근접한 주파수로 천이시키기 위한 원판형 진동체(2); 원판형 진동체(2)와의 정전용량 변화에 의해 자이로스코의 회전 각속도를 검출하기 위한 하부 검출전극(5); 및 상기한 원판형 진동체(2)를 구동시키기 위한 상부 구동전극(4)을 포함한다.
또한, 본 발명의 마이크로 자이로스코프 제조방법은, 실리콘 기판(1) 상에 절연층(6)을 증착시키고, P형 또는 N형 불순물이 도핑된 다결정 실리콘을 전기한 절연층(6) 위에 증착시키고, 통상의 포토리소그래피 방법에 의해 소정 부분을 제외한 나머지 부분을 제거하여 신호검출을 위한 하부 검출전극(5)을 형성하는 공정; 하부 희생층(8)으로서 상기 공정에서 얻어진 구조의 전 표면에 산화막을 PECVD법에 의해 증착하고, 하부 검출전극(5) 간의 절연층(6)이 노출되도록 하부 희생층(8)을 건식 식각에 의해 형성하는 공정; 상기한 하부 검출전극(5)에 도핑된 불순물과 동일한 불순물이 도핑된 다결정 실리콘을 상기한 하부 희생층(8) 상에 증착하고, 지지대(3) 및 원판형 진동체(2)를 제외한 부분을 건식 식각하는 공정; 산화막의 하부 희생층(8)을 PECVD법에 의해 상기한 지지대(3) 및 원판형 진동체(2) 상에 증착하고 공정; 패턴을 형성하고 상기한 하부 검출전극(5)에 도핑된 불순물과 동일한 불순물이 도핑된 다결정 실리콘을 상기한 상부 희생층(7) 상에 증착하는 공정; 및, 상기한 상부 희생층(7) 및 하부 희생층(8)을 습식 식각하는 공정을 포함한다.

公开(公告)号：KR100160918B1

公开(公告)日：1998-12-15

申请号：KR1019950052682

申请日：1995-12-20

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 최부연 ,  박경호 ,  이종현 ,  유형준

IPC: H01H47/00

Abstract: 본 발명은 랫칭형 자기력 구동 마이크로 릴레이 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 100면의 방향성을 갖는 실리콘 웨이퍼 기판의 바닥면에 습식 식각에서 마스크로 사용하기 위한 열산화막과 질화막을 순차적으로 형성한 후, 구조체 형태로 건식 식각하는 제1단계와; 상기 제1단계의 수행 후, 비등방성 용액으로 십 ㎛ 정도로 습식 식각을 하고 상기 구조체 부분의 절연을 위해 산화막을 형성하는 제2단계와; 상기 제2단계의 수행 후, 마이크로 릴레이의 전극을 만들기 위해 얇은 금속층을 입힌 후, 전기도금으로 후막의 전극을 형성하고, 건식 식각으로 나머지 얇은 금속층을 제거하는 제3단계와; 상기 제3단계의 전기도금 방법으로 코일을 형성한 다음, 폴리이미드를 덮은 후 패턴을 형성하는 제4단계와; 상기 제4단계의 수행 후, 상기 구조 위에 자기코아와 희생층을 각각 올린 후, 패턴을 형성하는 제5단계와; 상기 자기 코아의 절연과 저장고의 제작을 위해 폴리이미드를 올리고 상기 희생층 제거를 위한 구멍을 제작한 후, 자기 코아의 전극을 전기도금으로 제작하고 상기 희생층을 제거하여 틈을 만드는 제6단계와; 상기 제6단계의 수행 후, 실리콘 기판 뒷면의 질화막과 산화막을 건식 식각한 후 비등방성 습식 식각을 이용하여 수은 주입구를 제작하는 제7단계와; 상기 제7단계의 수행 후, 밀봉과 절연을 위해 폴리이미드를 올리고 코일을 제작한 후, 릴레이 구조체에 압력을 이용하여 수은을 주입한 다음 글라스를 실리콘 기판에 자외선 접착제로 밀봉하는 제8단계를 포함하여 이루어지어, 수 백 MHz에서 반복 스위칭 동작과 함께 액체 접점으로 인해 저 접점저항을 이룰 수 있으며, 대량생산이 가능하여 저렴할 뿐만 아니라 릴레이 어레이(array) 구성이 용이하다는 장점이 있다.

公开(公告)号：KR100160913B1

公开(公告)日：1998-12-15

申请号：KR1019950053673

申请日：1995-12-21

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 최부연 ,  박경호 ,  이종현 ,  유형준

IPC: H01H47/00

Abstract: 본 발명은 표면 마이크로 머시닝을 이용한 마이크로 릴레이 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 100면 또는 110면의 방향성을 갖는 실리콘 웨이퍼 기판에 절연을 위한 산화막 및 질화막을 순차적으로 올린 후, 수은 주입구 부분의 산화막과 질화막을 건식식각으로 제거하는 제1단계와; 상기 제1단계의 질화막 상부에 수 ㎛ 이상의 후막 산화막을 올린 후, 히터와 신호전극 등을 갖는 릴레이 구조체 형태로 후막 산화막을 건식식각하고 후막의 전해 및 무전해 도금으로 신호의 배선을 제작하는 제2단계와; 상기 제2단계의 수행 후, 산화막 희생층과 습식식각 선택비가 큰 폴리 실리콘을 증착하고, 그 위에 수은주입구 식각시 웨이퍼 전면의 보호 및 완벽한 구조체 밀폐를 위해 수 ㎛ 후막의 산화막을 형성하는 제3단계와; 상기 제3단계의 수행 후, 수은 주입 구멍을 만들기 위해 웨이퍼 뒷면의 질화막, 산화막을 건식식각한 후 비등방성 용액으로 수백 ㎛ 이상을 습식식각하고, 희생층을 습식 용액으로 제거하여 수은 주입구를 형성하는 제4단계와; 상기 제4단계에서 형성된 수은 주입구를 이용하여 액체 접점인 수은을 주입하고 글라스를 이용하여 자외선 접착제로 본딩하여 웨이퍼 뒷면을 밀봉하는 제5단계를 포함하여 이루어지며, 고온의 아노딕 본딩을 사용하지 않아 배선 금속의 산화를 막을 수 있으므로 접점의 저 저항을 이룰 수 있고, 대량생산이 가능하여 저렴하고, 릴레이 어레이의 구성을 용이하다는 장점이 있다.