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公开(公告)号：KR1019940016940A
公开(公告)日：1994-07-25
申请号：KR1019920025007
申请日：1992-12-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/335 , H01L29/76 , H01L29/78
Abstract: 전력 전계효과 트랜지스터의 구조에 관한 것으로, 일정한 크기의 단위 FET를 게이트 연결선을 중심으로 좌우 대칭으로 MXN의 행렬형태로 배열하고 좌우의 단위 FET들의 게이트를 중심의 게이트 연결선에 트리(Tree)형으로 연결시키고, 드레인과 소오스는 에어브리지(air-bridge) 기술을 이용하여 중심의 게이트 연결선 위로 지나가도록 하여 좌우의 드레인과 소오스를 하나로 연결시키며 이렇게 구성된 좌우 대칭의 FET를 소오스 및 드레인을 공유하도록 하여 세로축으로 여러개를 연결시키며, 게이트는 중심의 게이트 전극으로부터 좌우 FET의 게이트 연결선에 연결시키고, 드레인은 중심의 드레인 연결선에서 좌우의 FET의 단위게이트의 드레인에 연결시키며, 소오스는 FET 주의를 따라 단위 FET의 소오스에 연결시키는 것이 특징이다.
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公开(公告)号：KR1019980050974A
公开(公告)日：1998-09-15
申请号：KR1019960069822
申请日：1996-12-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H03H3/00
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
능동 180도 전력 분배기
2. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제
고주파 회로에서 각 회로는 임피던스 정합되어야하므로 고주파 증폭기는 출력 임피던스 정합회로(output impedance matching circuit)를 포함하여야하며 고주파 증폭기의 출력 임피던스 정합회로는 FET의 드레인 단자와 수동 180도 전력 분배기의 입력단자를 임피던스 정합하는 역할을 하기 위하여 사용해야하는 소자의 수가 많아지고 크기가 커진다는 단점을 갗는다.
3. 발명의 해결 방법의 요지
출력단자가 2개인 고주파 증폭기를 이용하여 크기가 같고 위상이 180도 틀린 두 개의 증폭된 마이크로웨이브 출력을 얻는, 즉, 전류소모가 적고 소형이며, 경제적이며, 위상차이가 180도인 두개의 출력신호의 이득(gain)을 얻을수 있도록 하였다.
4. 발명의 중요한 용도
전력 분배기-
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公开(公告)号：KR1019960013041B1
公开(公告)日：1996-09-25
申请号：KR1019930027626
申请日：1993-12-14
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H03F1/34
Abstract: The amplifier circuit is designed to reduce the power consumption and to limit an input/output reflection coefficient below -10dB. A first matching circuit(100) matches an input impedance in 50 ohms. A first amplifying circuit(200), comprising a cascade amplifier and a feedback circuit including a MESFET, amplifies an input signal. A second matching circuit(300) matches an output terminal of the first matching circuit and an input terminal of the first amplifying circuit. An output signal of the first amplifying circuit is amplified through a second amplifying circuit(400) with a certain gain. A third matching circuit(500) matches the first amplifying circuit and the second amplifying circuit.
Abstract translation: 放大器电路旨在降低功耗，并将输入/输出反射系数限制在-10dB以下。 第一匹配电路（100）匹配50欧姆的输入阻抗。 包括级联放大器和包括MESFET的反馈电路的第一放大电路（200）放大输入信号。 第二匹配电路（300）匹配第一匹配电路的输出端和第一放大电路的输入端。 第一放大电路的输出信号通过具有一定增益的第二放大电路（400）放大。 第三匹配电路（500）匹配第一放大电路和第二放大电路。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019950021454A
公开(公告)日：1995-07-26
申请号：KR1019930029088
申请日：1993-12-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L23/48
Abstract: 본 발명은 모노리식 초고주파 회로에선 패키지 효과를 최소화하기 위한 회로의 접지방법에 관한 것으로서, 종래에 기생인덕턴스 성분의 기생효과로 인한 회로들간에 결합이 생겨나게 되어 회로의 성능 및 안정성이 저하되는 문제점을 해결하기 위하여 본 발명은 모노리식 초고주파 회로에서 칩내부에 위치하는 접지용 단자의 레이아웃방법 및 이 단자를 리드에 와이어본딩하는 방법을 제공함으로써, 패키지에 따른 칩성능의 저하를 최소화하여 요구되는 규격을 만족하는 회로의 설계 및 제작을 용이하게 하는 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR1019940016647A
公开(公告)日：1994-07-23
申请号：KR1019920024999
申请日：1992-12-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/66
Abstract: 본 발명은 트랜지스터 등의 반도체 IC를 웨이퍼 상태(on-wafer)로 전기적 특성 및 불량여부 등을 검사하기 위한 프로우브 카드의 에폭시링에 관한 것으로, 더 구체적으로는 고속 디지탈 측정과 아날로그 신호측정이 가능한 구조의 에폭시링에 관한 것으로, 반도체 IC의 특성검사를 위한 프로우브 카드의 인쇄회로 기판과 연결되는 탐침의 말단부분이 탄성력을 갖도록 하는 에폭시링의 구조에 있어서, 탐침이 에폭시링에 의해 몰딩되는 부분의 상단부에 형성되고 탐침과 비아홀을 통하여 전기적으로 연결되는 금속 박막을 포함한 것이다.
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公开(公告)号：KR1019910007414B1
公开(公告)日：1991-09-25
申请号：KR1019890003420
申请日：1989-03-18
Inventor： 황인덕
IPC: H01L29/16
Abstract: The heterostructure compound semiconductor provides. the improving of dopping effect by reducing the concentration of deep level impurity. The substrate used is tilted with 5 degree from the surface direction of (111)A, (111)B, (211)B, (311)A, (311)B and (110). The n-type impurity of epitaxial layer is at least one of silicon, antimon, germanium, telium, serenium, sulfur.
Abstract translation: 异质结构化合物半导体提供。 通过降低深层杂质的浓度来改善掺杂效应。 使用的基板从（111）A，（111）B，（211）B，（311）A，（311）B和（110）的表面方向倾斜5度。 外延层的n型杂质是硅，锑，锗，碲，ium ium，硫中的至少一种。
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公开(公告)号：KR1019950019781A
公开(公告)日：1995-07-24
申请号：KR1019930027028
申请日：1993-12-09
IPC: G02B6/00
Abstract: 본 발명은 광통신용 광모듈 제작에 관한 것으로 특히 부착광섬유를 정렬된 위치에 변위없이 고정하는 광통신의 광모듈 제작용 정렬보정방범 및 장치에 관한 것이다.
종래의 광모듈의 제작과정 광소자와 부착광섬유 사이의 광 결합으로서 기존에폭시나 솔더링(soldeling)에 의한 고정방법을 사용하는데 이와같은 고정재의 팽창이나 수축으로 인해 변위가 발생하여 광정렬이 어긋나 광모듈 성능이나 모듈수율을 낮추는 단점이 있었다.
본 발명은 상기한 문제점을 극복하기 위한 것으로 편심보정기구를 사용하여 광정렬의 위치를 원정렬 상태로 보정하는 방법 및 장치를 제공한다.
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