3R 재생기
    11.
    发明公开
    3R 재생기 失效
    3R恢复系统

    公开(公告)号:KR1020060064465A

    公开(公告)日:2006-06-13

    申请号:KR1020050042421

    申请日:2005-05-20

    CPC classification number: H01S3/09415 G02B6/12007 G02B6/2935 H01S3/0675

    Abstract: 3R(Retiming, Reshaping, Reamplifying) 재생기에 관한 것이다. 본 발명에 따른 재생기는, 분기된 광신호가 입력되는 제1 입력 포트와 제2 입력 포트, 기판 상에 형성되며 공통 입력단에서 분기되어 공통 출력단에서 통합되는 제1 및 제2 브랜치를 가지고, 상기 제1 및 제2 브랜치 각각에 반도체 광증폭기를 가지며, 상기 제1 입력 포트에 상기 제1 브랜치가 연결되며, 상기 제2 입력 포트에 상기 공통 입력단이 연결된 간섭계, 상기 기판 상에서 상기 제1 입력 포트와 상기 제1 브랜치 사이 또는 상기 제2 입력 포트와 상기 공통 입력단 사이에 상기 간섭계와 일체로 단일집적되며 상기 광신호를 입력받아 광학적 주입 잠금에 의해 재생된 광신호를 출력하는 자기-펄스 발진 레이저 다이오드(self-pulsating LD), 및 상기 공통 출력단에 연결된 출력 포트를 포함하여 구성된다.

    신호 변환용 신호 처리기
    12.
    发明公开
    신호 변환용 신호 처리기 失效
    用于转换信号的信号处理器

    公开(公告)号:KR1020060062721A

    公开(公告)日:2006-06-12

    申请号:KR1020040101658

    申请日:2004-12-06

    CPC classification number: H04B10/516 H04B2210/517

    Abstract: 본 발명은 광통신 시스템에서 제로 복귀형 신호를 비제로 복귀형 신호로 변환하는 신호 변화용 신호 처리기에 관한 것으로, 입력도파로와 출력도파로 사이에 두 개의 2R(re-amplifying, re-shaping) 재생기가 서로 다른 길이의 도파로를 통해 병렬로 연결된다. 상기 2R 재생기는 서로 다른 길이를 갖는 두개의 반도체 광증폭기와, 짧은 길이의 반도체 광증폭기에 연결된 위상조절수단을 포함한다. 상기 도파로의 길이 차이에 의해 입력되는 제로 복귀형 신호가 1비트(bit) 반의 시간차이 만큼 지연되므로 2R 재생된 비제로 복귀형 신호를 얻을 수 있다.
    제로 복귀, 비제로 복귀, 2R 재생기, 반도체 광증폭기, 위상조절수단

    3dB 광 분배기를 가진 이중 파장 레이저 광원을 이용한초고주파 광원 소자 및 그 제작방법
    13.
    发明授权
    3dB 광 분배기를 가진 이중 파장 레이저 광원을 이용한초고주파 광원 소자 및 그 제작방법 有权
    具有光栅的高频光源集成3 dB耦合器及其制造方法

    公开(公告)号:KR100576712B1

    公开(公告)日:2006-05-03

    申请号:KR1020030091340

    申请日:2003-12-15

    Abstract: 본 발명은 이중파장 레이저에서 맥놀이를 이용한 초고속 광신호의 생성을 위한 반도체 광원 소자 및 그 제작방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 광원 소자는, 클리브드 면을 가진 패브리 패롯 레이저 다이오드에 3dB 광 분배기가 집적된 것이다. 상기 3dB 광 분배기의 한 가지에는 제1 도파로 회절격자와 이 제1 도파로 회절 격자의 브라그 파장을 바꿀 수 있는 제1 굴절률 변화 수단이 마련되어 있다. 그리고, 상기 3dB 광 분배기의 다른 가지에는 제2 도파로 회절격자와 이 제2 도파로 회절 격자의 브라그 파장을 바꿀 수 있는 제2 굴절률 변화 수단이 마련되어 있다. 제1 및 제2 굴절률 변화 수단을 이용하여 두 개의 도파로 회절격자의 브라그 파장의 디튜닝을 연속적으로 가변할 수 있고, 이 두 파장의 맥놀이에 의한 초고속 광신호를 얻을 수 있다.

    초고주파 펄스 광원소자
    14.
    发明公开
    초고주파 펄스 광원소자 失效
    ULTRAHIGH频率脉冲光源设备

    公开(公告)号:KR1020040054072A

    公开(公告)日:2004-06-25

    申请号:KR1020020080706

    申请日:2002-12-17

    CPC classification number: H01S5/06258 H01S5/0657

    Abstract: PURPOSE: An ultrahigh frequency pulse light source device is provided to form a multi-region distributed feedback laser diode with one chip by forming a phase control region between two kinds of distributed feedback laser diodes. CONSTITUTION: Two DFB regions(2,4) corresponds to one device. A phase control region(6) is arranged between the DFB regions. A plurality of diffraction grids(12,18) are formed in the inside of the DFB regions, respectively. The diffraction grids are symmetrically arranged to each other. A plurality of active layers(14,16) are connected to both sides of a waveguide core(20) of the phase control region. Brag wavelengths of the DFB regions are detuned.

    Abstract translation: 目的:提供超高频脉冲光源器件,通过在两种分布式反馈激光二极管之间形成相位控制区域,形成具有一个芯片的多区域分布反馈激光二极管。 构成:两个DFB区域(2,4)对应于一个设备。 在DFB区域之间布置有相位控制区域(6)。 分别在DFB区域的内部形成多个衍射栅极(12,18)。 衍射栅格彼此对称排列。 多个有源层(14,16)连接到相位控制区域的波导芯(20)的两侧。 DFB区域的波长波长失谐。

    매립형 이종접합 레이저 다이오드

    公开(公告)号:KR101818034B1

    公开(公告)日:2018-02-22

    申请号:KR1020140019806

    申请日:2014-02-20

    Abstract: 매립형이종접합레이저다이오드는기판상에형성된활성층을포함하는광 생성영역; 및상기광 생성영역을감싸면서그 상부에형성되고, 상기제1 트렌치들내에형성된전류차단층들을갖는광 가둠영역을포함하고, 상기기판상에는, 상기광 생성영역의양측에제1 깊이를갖는제1 트렌치들및 상기광 가둠영역의양측에제2 깊이를갖는제2 트렌치들이제공된다.

    고속 변조가 가능한 매립형 이종접합 레이저 다이오드
    16.
    发明公开
    고속 변조가 가능한 매립형 이종접합 레이저 다이오드 审中-实审
    用于高速调制的BURIED异方体激光二极管

    公开(公告)号:KR1020150098710A

    公开(公告)日:2015-08-31

    申请号:KR1020140019806

    申请日:2014-02-20

    CPC classification number: H01S5/2223 H01L27/14643 H01S3/08009 H01S5/321

    Abstract: 매립형 이종접합 레이저 다이오드는 기판 상에 형성된 활성층을 포함하는 광 생성 영역; 상기 광 생성 영역의 양측에 형성된 제1 트렌치들; 상기 광 생성 영역을 감싸면서 그 상부에 형성되고, 상기 제1 트렌치들 내에 형성된 전류차단층들을 포함하며, 5 내지 10μm 의 폭을 갖는 광 가둠 영역; 및 상기 광 가둠 영역의 양측에 형성된 제2 트렌치들을 포함한다.

    Abstract translation: 掩埋异质结激光二极管包括:发光区,包括形成在基板上的有源层; 形成在发光区域两侧的第一沟槽; 通过围绕所述发光区域并且包括形成在所述第一沟槽中的电流阻挡层,在所述发光区域的上部形成宽度在5至10μm之间的光限制区域; 以及形成在光限制区域的两侧的第二沟槽。

    분포 궤환형 레이저 다이오드 및 그의 제조방법
    17.
    发明公开
    분포 궤환형 레이저 다이오드 및 그의 제조방법 审中-实审
    分布式反馈激光二极管及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020140133250A

    公开(公告)日:2014-11-19

    申请号:KR1020130053160

    申请日:2013-05-10

    Abstract: 본 발명은 분포 궤환형 레이저 다이오드 및 그의 제조방법을 개시한다. 그의 레이저 다이오드는 기판과, 상기 기판 상에서 회절격자를 갖는 하부 클래드 층과, 상기 하부 클래드 층 상에서 제 1 방향으로 연장된 활성 도파로와, 상기 활성 도파로 상의 상부 클래드 층과, 상기 상부 클래드 상의 신호 패드와, 상기 제 1 방향에 교차되는 제 2 방향에 대해 상기 활성 도파로, 상기 상부 클래드 층, 및 상기 신호 패드에서 이격되어 상기 하부 클래드 층에 연결(coupling)되는 적어도 하나의 접지 패드를 포함한다.

    Abstract translation: 公开了一种分布式反馈激光二极管及其制造方法。 激光二极管包括基板,在基板上具有衍射栅格的下包层,在下包层上沿第一方向延伸的有源波导,有源波导上的上包层,上覆层上的信号焊盘 以及至少一个接地焊盘,其在与第一方向相交的第二方向上与有源波导,上覆层和上信号焊盘分离,以与下覆盖层耦合。

    분포 궤환형 레이저 다이오드
    19.
    发明公开
    분포 궤환형 레이저 다이오드 无效
    分布式反馈激光二极管

    公开(公告)号:KR1020130120266A

    公开(公告)日:2013-11-04

    申请号:KR1020120043378

    申请日:2012-04-25

    Abstract: The present invention suggests a distributed feedback laser diode. The laser diode of the present invention includes: a substrate; a lower clad layer having a diffraction grid on the substrate; an active layer arranged on the lower clad layer; a first upper clad layer arranged on the active layer; a phase shift region arranged on the first upper clad layer in a first direction; and a ridge waveguide layer arranged on the phase shift region in a second direction crossing the first direction.

    Abstract translation: 本发明提出一种分布式反馈激光二极管。 本发明的激光二极管包括:基板; 在所述基板上具有衍射栅格的下包层; 布置在下包层上的有源层; 布置在有源层上的第一上包层; 在第一方向上布置在第一上包层上的相移区域; 以及在与所述第一方向交叉的第二方向上配置在所述相移区域上的脊状波导层。

Patent Agency Ranking