-
公开(公告)号：KR102227282B1
公开(公告)日：2021-03-15
申请号：KR1020150113293A
申请日：2015-08-11
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L33/005 , H01S5/1014 , H01L33/0045 , H01L33/14 , H01L33/50 , H01L33/58 , H01S3/005 , H01S3/063 , H01S5/1064 , H01L33/24 , H01S2301/176 , H01S2301/18 , H01S5/026 , H01S5/101 , H01S5/141 , H01S5/22 , H01S5/2222 , H01S5/227
Abstract: 본 발명의 일 실시 예에 따르는 발광소자 및 발광소자 제작방법은 발광소자에 PBH(Planar Buried Heterostructure) 구조와 리지 도파로(Ridge Waveguide) 구조를 접목함으로써, 저전류에서 100mW이상의 고출력으로 동작함과 동시에 전기 광학적 손실을 줄일 수 있는 발광소자를 제공할 수 있다. 또한, 이러한 발광소자를 파장 가변 외부 공진 레이저에 적용함으로써, 출력 특성이 우수한 외부 공진 레이저를 제공할 수 있다.
-
公开(公告)号：KR102227282B1
公开(公告)日：2021-03-15
申请号：KR1020150113293
申请日：2015-08-11
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본발명의일 실시예에따르는발광소자및 발광소자제작방법은발광소자에 PBH(Planar Buried Heterostructure) 구조와리지도파로(Ridge Waveguide) 구조를접목함으로써, 저전류에서 100mW이상의고출력으로동작함과동시에전기광학적손실을줄일수 있는발광소자를제공할수 있다. 또한, 이러한발광소자를파장가변외부공진레이저에적용함으로써, 출력특성이우수한외부공진레이저를제공할수 있다.
-
公开(公告)号：KR101906587B1
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：KR1020150087754
申请日：2015-06-19
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본발명은파장가변레이저장치에관한것으로, 상기장치는기판상에형성되며, 능동광 도파로, 전단수동광 도파로및 후단수동광 도파로를포함하는광 도파로층; 상기광 도파로층 상부에위치하는클래드층; 및상기클래드층 상부에위치하며, 외부로부터인가되는전력을공급받아열을발생하여상기클래드층을통해상기전단및 후단수동광 도파로로공급하는파장가변층을포함한다.
-
公开(公告)号：KR1020170049703A
公开(公告)日：2017-05-11
申请号：KR1020150149610
申请日：2015-10-27
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본발명은고출력및 광송신서브어셈블리및 상기고출력및 광송신서브어셈블리를냉각하는방열부를포함하는고출력레이저모듈을구현하여 1W 이상의고출력에서도동작가능하며신뢰성이향상된다.
Abstract translation: 本发明实现了一种高输出激光模块，其包括用于冷却高输出和光传输子组件的高输出和光传输子组件和散热单元，使得其即使在1W或更高的高输出功率下也能够工作并且其可靠性得到改善。
-
公开(公告)号：KR1020150139694A
公开(公告)日：2015-12-14
申请号：KR1020140067632
申请日：2014-06-03
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/22
CPC classification number: H01S5/125 , H01S5/0425 , H01S5/06256 , H01S5/162 , H01S5/22
Abstract: 회절격자의구현이쉽고, DBR 영역에서의광흡수현상을최소화한분포브래그반사기리지레이저다이오드및 이의제조방법이개시된다. 이를위해, 본발명에따른분포브래그반사기리지레이저다이오드는기판상부에형성된하부클래드층; 상기하부클래드층상부에형성된활성코어층; 상기활성코어층의상부에형성되며, 상호이격하여축방향으로연장형성된복수개의리지도파로; 및상기활성코어층의상부에형성되며, 상기복수개의리지도파로의사이에형성되는회절격자부를포함하는것을특징으로한다.
Abstract translation: 公开了一种用于实现衍射栅格并最小化DBR区域中的光吸收现象的分布式布拉格反射器脊激光二极管及其制造方法。 为此，根据本发明的分布式布拉格反射器脊激光二极管包括形成在基板的上部的下包层; 活性芯层，形成在下包层的上部; 脊状波导，其形成在活性芯层的上部并且彼此分离以沿轴向延伸; 以及形成在有源芯层的上部并形成在脊状波导之间的衍射栅极部。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020140030868A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：KR1020120097573
申请日：2012-09-04
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01S3/10 , H01S3/10053 , H01S5/0085 , H01S5/02284 , H01S5/026 , H01S5/0265 , H01S5/141 , H01S5/142
Abstract: The present invention relates to a compact external cavity tunable laser apparatus which includes: a substrate; an external cavity tunable reflection part which reflects a laser beam coming from the outside on the substrate and changes and selects the wavelength of the reflected laser beam; an optical fiber part for outputting the laser beam on the substrate; and a high integration light source part which integrates the laser beam inputted from the external cavity tunable reflection part by using a tilt input and output waveguide and a curved waveguide and a straight waveguide in order to match the beam axis of the external cavity tunable reflection part with the beam axis of the optical fiber.
Abstract translation: 本发明涉及一种紧凑型外腔可调谐激光装置，其包括：基板; 将来自外部的激光束反射到基板上并改变并选择反射激光束的波长的外部可调谐反射部分; 用于将激光束输出到基板上的光纤部件; 以及通过使用倾斜输入和输出波导以及弯曲波导和直波导来整合从外部腔可调谐反射部分输入的激光束的高集成度光源部分，以便匹配外部腔体可调谐反射部分的光束轴线 与光纤的光束轴线。
-
公开(公告)号：KR1020130071749A
公开(公告)日：2013-07-01
申请号：KR1020110139143
申请日：2011-12-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/12
CPC classification number: H01S3/0675 , H01S5/0265 , H01S5/1231
Abstract: PURPOSE: A distribution feedback type laser diode in which an optical mode size convertor is monolithically intergrated and a production method are provided to increase coupling efficiency with an optical fiber by integrating SSC. CONSTITUTION: Number of layers is grown and the layers are composed of a substrate (1), InGaAsP grid layer (2), n-lnP space layer (3), an activated layer (4), P-lnP upper clad layer (5), an etching stoppage layer (6), and p-lnP cap layer (7). Part of the activated layer is etched and a butt layer is created. A tapered area is formed on the butt layer. Manual ridge wave guide layer is etched in a deep ride wave guide shape under the tapered area. A P clad layer (12) and an ohmic layer (13) are grown consecutively on a structure. The deep ridge wave guide buried in the tapered area is formed on the ohmic layer. Polyimide or polymer benzocyclobutene (BCB) is formed on an outer area of the deep ridge waveguide.
Abstract translation: 目的：一种分布反馈型激光二极管，其中光学模式尺寸转换器是单片集成的，并且提供了通过集成SSC来提高与光纤的耦合效率的制造方法。 构成：层数生长，层由衬底（1），InGaAsP栅格层（2），n-lnP空间层（3），活性层（4），P-lnP上覆层（5） ），蚀刻停止层（6）和p-lnP盖层（7）。 激活层的一部分被蚀刻并形成对接层。 在对接层上形成锥形区域。 手动脊波导层在锥形区域下以深行驶波导形状蚀刻。 P结构层（12）和欧姆层（13）在结构上连续生长。 埋在锥形区域中的深脊波导形成在欧姆层上。 在深脊波导的外部区域上形成聚酰亚胺或聚合物苯并环丁烯（BCB）。
-
公开(公告)号：KR1020110103217A
公开(公告)日：2011-09-20
申请号：KR1020100022437
申请日：2010-03-12
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S3/10 , H01S3/0941 , H01S5/00
CPC classification number: H01S3/101 , H01S3/09415 , H01S3/1051 , H01S5/509
Abstract: 본 발명은 고속 동작 및 안정성이 개선된 파장 가변 광원을 개시한다. 그의 광원은, 하우징 내에 형성된 렌즈의 양측에 각각 배치된 PLC 소자와, SLD 소자를 포함할 수 있다. 하우징은 SLD 소자를 둘러싸는 제 1 하우징과, PLC 소자를 둘러싸는 제 2 하우징을 포함할 수 있다. 제 1 하우징은 SLD 소자에 신호를 전달하는 RF 커넥터가 연결되고, 제 2 하우징은 PLC 소자에 연결되는 광섬유를 외부로 인출시킬 수 있다.
-
公开(公告)号：KR100576776B1
公开(公告)日：2006-05-08
申请号：KR1020040103665
申请日：2004-12-09
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/30
Abstract: 본 발명은 가입자용이나 파장분할다중(WDM) 방식의 광통신 시스템에 사용되는 반도체 광소자의 제작 방법에 관한 것으로, 단일 활성층에 레이저 다이오드(Laser Diode; LD)와 반도체 광증폭기(Semiconductor Optical Amplifier; SOA)가 집적된다. 레이저 다이오드와 반도체 광증폭기는 서로 광학적으로 연결되며, 이온 주입에 의해 전기적으로 절연된다. 각각의 전극을 통해 독립적으로 전류를 주입하면 레이저 다이오드(LD)에서 생성된 광이 반도체 광증폭기(SOA)에 의해 증폭되기 때문에 발진개시전류가 낮고 출력광의 세기가 높다.
반도체 광증폭기, 레이저 다이오드, 전류차단층, 전류주입층, 이온주입Abstract translation: 激光二极管（LD）和半导体光放大器（SOA）用于单个有源层， 被集成。 激光二极管和半导体光放大器彼此光学连接并通过离子注入电绝缘。 当注入电流独立地通过每个电极为低时，振荡起动电流高时，由于在激光二极管（LD）产生的光由半导体光学放大器（SOA）放大的光的输出强度。
-
10.发明公开
公开(公告)号：KR1020040094190A
公开(公告)日：2004-11-09
申请号：KR1020030028186
申请日：2003-05-02
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S3/10
CPC classification number: H01S5/06256 , H01S5/028 , H01S5/06258 , H01S5/1209 , H01S5/125 , H01S5/2205 , H01S5/227
Abstract: PURPOSE: An SG-DFB(Sampled Grating Distributed Feed-Back) tunable semiconductor laser WITH an SG-DBR(Sampled Grating Distributed Bragg Reflector) is provided to tune a wavelength by integrating an SG-DFB structure and an SG-DBR structure and forming a phase control region of the SG-DFB structure. CONSTITUTION: A sampled grating(39) is formed on an n-type InP substrate(31) used as a lower clad layer. A phase control region of an InGaAsP waveguide and a gain region of an active layer are formed on the sampled grating. A p-type InP clad layer(32) used as an upper clad layer is formed thereon. A plurality of electrodes are formed on the p-type InP clad layer. A phase control region electrode(36) is formed on the phase control region. A gain region electrode(37) is formed on the gain region. A non-reflective thin film(33) is formed on a section of a semiconductor laser diode.
Abstract translation: 目的：提供具有SG-DBR（采样光栅分布式布拉格反射器）的SG-DFB（采样光栅分布式反馈）可调谐半导体激光器，通过集成SG-DFB结构和SG-DBR结构并形成 SG-DFB结构的相位控制区域。 构成：在用作下包层的n型InP衬底（31）上形成采样光栅（39）。 在采样光栅上形成InGaAsP波导的相位控制区域和有源层的增益区域。 在其上形成用作上覆盖层的p型InP覆盖层（32）。 在p型InP覆盖层上形成多个电极。 相位控制区电极（36）形成在相位控制区域上。 增益区电极（37）形成在增益区上。 在半导体激光二极管的一部分上形成非反射薄膜（33）。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
60
records
(took 0.027 seconds)
