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公开(公告)号：CN104995715B
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201480008683.3
申请日：2014-01-24
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: H01L21/027 , G03F7/00 , H01L21/033 , H01L21/308 , H01L29/66
CPC classification number: H01L21/3086 , B82Y10/00 , G03F1/50 , G03F1/80 , G03F7/0002 , H01L21/0271 , H01L21/0337 , H01L29/0673 , H01L29/66439 , H01L29/66795 , H01L29/775 , H01L29/785
Abstract: 一种形成多个规律地间隔的光刻特征的方法，所述方法包括：在衬底上的多个沟道中提供能够自组装的嵌段共聚物，所述嵌段共聚物具有第一嵌段和第二嵌段，每个沟道包括相对的侧壁和基部，所述侧壁具有侧壁间的宽度，其中第一沟道具有大于第二沟道的宽度；使能够自组装的嵌段共聚物在每个沟道中自组装成有序层，所述层具有与第二嵌段的第二域交替的第一嵌段的第一域，其中所述第一沟道和第二沟道具有相同数量的每种相应的域；以及选择性地移除第一域，以沿着每个沟道形成具有第二区域的规律地间隔的成行的光刻特征，其中，在第一沟道中的特征的节距大于在第二沟道中特征的节距。
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公开(公告)号：CN105051863B
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201480015196.X
申请日：2014-02-26
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: H01L21/027 , B81C1/00
CPC classification number: H01L21/31058 , B81C1/00031 , B81C2201/0149 , G03F7/0002 , H01L21/0271 , H01L21/0274 , H01L21/0337 , H01L21/76802
Abstract: 使得具有第一和第二嵌段的可自组装的嵌段共聚物(BCP)从围绕所述衬底的光刻凹陷和衬底上的伪凹陷的区域移动到所述光刻凹陷和所述伪凹陷中，使所述光刻凹陷中的嵌段共聚物自组装成有序层，所述层包括第一嵌段域和第二嵌段域，以及选择性地去除第一域，以在所述光刻凹陷中形成包括所述第二域的光刻特征，其中所述伪凹陷的宽度小于嵌段共聚物进行自组装所需要的最小宽度，且其中所述伪凹陷处于所述衬底的围绕所述光刻凹陷的区域中，嵌段共聚物被从所述衬底的围绕所述光刻凹陷的区域移动，光刻凹陷的侧壁的多个部分之间的宽度大于伪凹陷的侧壁的多个部分之间的宽度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103889888B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201280048599.5
申请日：2012-10-02
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： T·恩古岩 , J·范德尔斯 , W·卡特拉尔斯 , S·伍伊斯特尔 , E·范德海伊登 , H·梅森 , R·科莱 , E·皮特斯 , C·范黑斯克 , A·布里扎尔特 , H·布特斯 , T·朱兹海妮娜 , J·德鲁伊特尔
IPC: B81C1/00
CPC classification number: C30B1/12 , B81C1/00031 , B81C2201/0149 , B82Y30/00 , G03F7/0002 , H01L21/0337 , Y10T117/10
Abstract: 本发明公开一种图形外延模板，用以对准自组装嵌段聚合物，所述嵌段聚合物适于自组装为具有平行于第一轴线延伸、沿正交的第二轴线相互间隔开并且通过连续第二区域或域分开的不连续第一区域或域的平行行的二维阵列。所述图形外延模板具有基本上平行的第一和第二侧壁，所述第一和第二侧壁平行于第一轴线延伸并且限定第一轴线并且沿第二轴线相互间隔开以提供间隔区，该间隔区适于保持处于衬底上侧壁之间并且平行于侧壁的至少一行不连续第一区域或域，并且通过连续第二区域或域与其分开。所述间隔区具有图形外延成核特征，所述图形外延成核特征被布置用于将至少一个不连续第一区域或域定位在间隔区内的特定位置处。本发明还公开用于形成图形外延模板的方法及其用于器件光刻的应用。
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公开(公告)号：CN103597404B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201280027886.8
申请日：2012-03-07
Applicant: ASML荷兰有限公司
CPC classification number: G03F7/70191 , G02F1/1303 , G02F1/29 , G03F7/704
Abstract: 在一个实施例中，公开一种光刻设备，包括：调制器，配置成将衬底的曝光区域以根据期望的图案调制的多个束曝光；和投影系统，配置成将经过调制的束投影到衬底上。调制器包括偏转器，用以相对于曝光区域使所述多个束移位。
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公开(公告)号：CN103454855B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201310406861.5
申请日：2009-10-06
Applicant: ASML荷兰有限公司 , 皇家飞利浦电子股份有限公司
CPC classification number: G03F7/0002 , B82Y10/00 , B82Y40/00
Abstract: 一种压印光刻方法包括使用衬底或压印模具中的空隙空间。一旦可压印介质已经就位，在压印模具和衬底上的可压印的、可流动的介质之间捕获的气窝可能导致不规则。通常在可压印介质就位之前，通过气体流入或扩散到空隙空间，空隙空间允许气窝消散。作为压印模具的一部分(例如形成或邻近模具的图案化表面的层)的固体多孔介质层可以提供空隙空间。多孔层的空隙空间用作空隙空间，捕获的气体可以流入或扩散到空隙空间。将要图案化的衬底可以包括用于相同用途的多孔层。合适的固体多孔介质包括纳米多孔二氧化硅。
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公开(公告)号：CN103889888A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201280048599.5
申请日：2012-10-02
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： T·恩古岩 , J·范德尔斯 , W·卡特拉尔斯 , S·伍伊斯特尔 , E·范德海伊登 , H·梅森 , R·科莱 , E·皮特斯 , C·范黑斯克 , A·布里扎尔特 , H·布特斯 , T·朱兹海妮娜 , J·德鲁伊特尔
IPC: B81C1/00
CPC classification number: C30B1/12 , B81C1/00031 , B81C2201/0149 , B82Y30/00 , G03F7/0002 , H01L21/0337 , Y10T117/10
Abstract: 本发明公开一种图形外延模板，用以对准自组装嵌段聚合物，所述嵌段聚合物适于自组装为具有平行于第一轴线延伸、沿正交的第二轴线相互间隔开并且通过连续第二区域或域分开的不连续第一区域或域的平行行的二维阵列。所述图形外延模板具有基本上平行的第一和第二侧壁，所述第一和第二侧壁平行于第一轴线延伸并且限定第一轴线并且沿第二轴线相互间隔开以提供间隔区，该间隔区适于保持处于衬底上侧壁之间并且平行于侧壁的至少一行不连续第一区域或域，并且通过连续第二区域或域与其分开。所述间隔区具有图形外延成核特征，所述图形外延成核特征被布置用于将至少一个不连续第一区域或域定位在间隔区内的特定位置处。本发明还公开用于形成图形外延模板的方法及其用于器件光刻的应用。
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公开(公告)号：CN103454855A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201310406861.5
申请日：2009-10-06
Applicant: ASML荷兰有限公司 , 皇家飞利浦电子股份有限公司
CPC classification number: G03F7/0002 , B82Y10/00 , B82Y40/00
Abstract: 一种压印光刻方法包括使用衬底或压印模具中的空隙空间。一旦可压印介质已经就位，在压印模具和衬底上的可压印的、可流动的介质之间捕获的气窝可能导致不规则。通常在可压印介质就位之前，通过气体流入或扩散到空隙空间，空隙空间允许气窝消散。作为压印模具的一部分(例如形成或邻近模具的图案化表面的层)的固体多孔介质层可以提供空隙空间。多孔层的空隙空间用作空隙空间，捕获的气体可以流入或扩散到空隙空间。将要图案化的衬底可以包括用于相同用途的多孔层。合适的固体多孔介质包括纳米多孔二氧化硅。
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