公开(公告)号：FR2998090A1

公开(公告)日：2014-05-16

申请号：FR1356159

申请日：2013-06-26

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ION BEAM SERVICES

Inventor： MILESI FREDERIC ,  AUGENDRE EMMANUEL ,  BESSON PASCAL ,  DUCHAINE JULIAN ,  GONZATTI FREDERIC ,  MAZEN FREDERIC

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/265

Abstract: L'invention concerne un procédé de structuration de surface d'un substrat (S) par gravure, comprenant avant gravure la modification de la sélectivité à la gravure d'au moins une première région (R11-R13) du substrat, ladite gravure résultant en la formation d'au moins un motif (M11-M13) sur le substrat au niveau de l'au moins une première région du fait de la différence entre la sélectivité à la gravure du matériau du substrat et la sélectivité à la gravure modifiée de l'au moins une première région du substrat.

公开(公告)号：DE602004016451D1

公开(公告)日：2008-10-23

申请号：DE602004016451

申请日：2004-12-30

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： ABBADIE ALEXANDRA ,  BESSON PASCAL ,  SEMERIA MARIE-NOELLE

IPC: B08B3/08 ,  H01L21/304 ,  C11D7/08 ,  C11D11/00 ,  H01L21/306

Abstract: Wet cleaning a surface made of silicon, silicon-germanium alloys, A(III)/B(V)-type semiconductors and/or epitaxially grown crystalline materials, such as germanium, comprises bringing surface into contact with hydrofluoric acid solution; and rinsing surface with acidified, deionized water for 1-5, preferably 3 minutes, then a powerful oxidizing agent is added to the deionized water and the rinsing is continued for 5-10, preferably 7 minutes. Wet cleaning a surface made of silicon, silicon-germanium alloys, A(III)/B(V)-type semiconductors and/or epitaxially grown crystalline materials, such as germanium, comprises: bringing the surface into contact with an hydrofluoric acid (HF) solution with an HF concentration of 0.2-2 (preferably 1) vol.%, in deionized water, for =10 (preferably 4) minutes, the pH of the solution being maintained at 1-2, preferably 1, throughout the duration of the contacting; rinsing the surface with acidified, deionized water for 1-5, preferably 3 minutes, then a powerful oxidizing agent is added to the deionized water and the rinsing is continued for 5-10, preferably 7 minutes, the pH being maintained at =5 (preferably 3-5), throughout step (2); optionally repeating step (1), once or twice, while optionally reducing the contacting time, which is then preferably 30 seconds and 2 minutes, (preferably 1 minute to 30 seconds); optionally repeating step (2), once or twice; and drying the surface.

公开(公告)号：AT407753T

公开(公告)日：2008-09-15

申请号：AT04107061

申请日：2004-12-30

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： ABBADIE ALEXANDRA ,  BESSON PASCAL ,  SEMERIA MARIE-NOELLE

IPC: B08B3/08 ,  H01L21/304 ,  C11D7/08 ,  C11D11/00 ,  H01L21/306

Abstract: Wet cleaning a surface made of silicon, silicon-germanium alloys, A(III)/B(V)-type semiconductors and/or epitaxially grown crystalline materials, such as germanium, comprises bringing surface into contact with hydrofluoric acid solution; and rinsing surface with acidified, deionized water for 1-5, preferably 3 minutes, then a powerful oxidizing agent is added to the deionized water and the rinsing is continued for 5-10, preferably 7 minutes. Wet cleaning a surface made of silicon, silicon-germanium alloys, A(III)/B(V)-type semiconductors and/or epitaxially grown crystalline materials, such as germanium, comprises: bringing the surface into contact with an hydrofluoric acid (HF) solution with an HF concentration of 0.2-2 (preferably 1) vol.%, in deionized water, for =10 (preferably 4) minutes, the pH of the solution being maintained at 1-2, preferably 1, throughout the duration of the contacting; rinsing the surface with acidified, deionized water for 1-5, preferably 3 minutes, then a powerful oxidizing agent is added to the deionized water and the rinsing is continued for 5-10, preferably 7 minutes, the pH being maintained at =5 (preferably 3-5), throughout step (2); optionally repeating step (1), once or twice, while optionally reducing the contacting time, which is then preferably 30 seconds and 2 minutes, (preferably 1 minute to 30 seconds); optionally repeating step (2), once or twice; and drying the surface.

公开(公告)号：FR2955205B1

公开(公告)日：2012-09-21

申请号：FR0959060

申请日：2009-12-16

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： MARTY MICHEL ,  DUTARTRE DIDIER ,  ROY FRANCOIS ,  BESSON PASCAL ,  PRIMA JENS

IPC: H01L27/14 ,  H01L21/20 ,  H01L21/302 ,  H01L21/768 ,  H01L21/77 ,  H01L23/48

公开(公告)号：FR3113182A1

公开(公告)日：2022-02-04

申请号：FR2008208

申请日：2020-07-31

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： BESSON PASCAL ,  GUYADER FRANÇOIS

IPC: H01L21/302

Abstract: Procédé d'assemblage de plaques par collage moléculaire La présente description concerne un procédé de fabrication d'une première plaque, destinée à être assemblée à une deuxième plaque par collage moléculaire, comprenant les étapes successives suivantes : formation d'un empilement (25) de couches (27, 29, 31, 33, 35) à la surface d'un substrat (23) ; et gravures chimiques successives des bords desdites couches à partir de la couche de l'empilement la plus éloignée du substrat, sur une largeur de moins en moins importante. Figure pour l'abrégé : Fig. 11

公开(公告)号：FR2955205A1

公开(公告)日：2011-07-15

申请号：FR0959060

申请日：2009-12-16

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： MARTY MICHEL ,  DUTARTRE DIDIER ,  ROY FRANCOIS ,  BESSON PASCAL ,  PRIMA JENS

IPC: H01L27/14 ,  H01L21/20 ,  H01L21/302 ,  H01L21/768 ,  H01L21/77 ,  H01L23/48

Abstract: Procédé de réalisation d'un dispositif microélectronique comprenant une réalisation d'un premier substrat (1) semiconducteur comportant une formation d'une première couche (5) et d'une deuxième couche (4) entre une première face (7) et une deuxième face (2) du substrat, une réalisation de premiers composants (10) et d'une partie d'interconnexion au niveau et au dessus de la deuxième face (2), un amincissement du substrat comprenant une première gravure sélective du premier substrat depuis la première face (7) avec arrêt sur la première couche (5) suivie d'une deuxième gravure sélective avec arrêt sur la deuxième couche (4).