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    PROCEDE ET DISPOSITIF D'ALIMENTATION D'UNE MACHINE DE POLISSAGE MECANOCHIMIQUE EN UN PRODUIT DE POLISSAGE
    3.
    发明专利
    PROCEDE ET DISPOSITIF D'ALIMENTATION D'UNE MACHINE DE POLISSAGE MECANOCHIMIQUE EN UN PRODUIT DE POLISSAGE 未知

    公开(公告)号：FR2888146A1

    公开(公告)日：2007-01-12

    申请号：FR0507210

    申请日：2005-07-06

    Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

    Inventor： PETITDIDIER SEBASTIEN ,  BESSON PASCAL

    IPC: B24B57/02 ,  B24B1/00 ,  B24B29/02

    Abstract: Procédé et dispositif d'alimentation d'une machine (1) de polissage mécano-chimique en un produit de polissage comprenant des particules abrasives en suspension dans un liquide réactif, dans lesquels l'opération de polissage est divisée en au moins une première étape et une deuxième étape. Au cours de la seconde étape, la machine de polissage est alimentée au travers d'un filtre (14) en un produit contenant moins de particules de grandes dimensions que le produit alimentant la machine de polissage lors de la première étape. Le dispositif d'alimentation peut comprendre deux conduits parallèles (9, 10) munis de vannes (12, 13) dont l'un au moins est muni du filtre (14).

    4.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：FR2864457B1

    公开(公告)日：2006-12-08

    申请号：FR0351239

    申请日：2003-12-31

    Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS SA

    Inventor： ABBADIE ALEXANDRA ,  BESSON PASCAL ,  SEMERIA MARIE NOELLE

    IPC: B08B3/08 ,  H01L21/304 ,  B08B3/12 ,  C11D7/08 ,  C11D11/00 ,  C23G1/02 ,  C30B33/00 ,  H01L21/306

    Abstract: Wet cleaning a surface made of silicon, silicon-germanium alloys, A(III)/B(V)-type semiconductors and/or epitaxially grown crystalline materials, such as germanium, comprises bringing surface into contact with hydrofluoric acid solution; and rinsing surface with acidified, deionized water for 1-5, preferably 3 minutes, then a powerful oxidizing agent is added to the deionized water and the rinsing is continued for 5-10, preferably 7 minutes. Wet cleaning a surface made of silicon, silicon-germanium alloys, A(III)/B(V)-type semiconductors and/or epitaxially grown crystalline materials, such as germanium, comprises: bringing the surface into contact with an hydrofluoric acid (HF) solution with an HF concentration of 0.2-2 (preferably 1) vol.%, in deionized water, for =10 (preferably 4) minutes, the pH of the solution being maintained at 1-2, preferably 1, throughout the duration of the contacting; rinsing the surface with acidified, deionized water for 1-5, preferably 3 minutes, then a powerful oxidizing agent is added to the deionized water and the rinsing is continued for 5-10, preferably 7 minutes, the pH being maintained at =5 (preferably 3-5), throughout step (2); optionally repeating step (1), once or twice, while optionally reducing the contacting time, which is then preferably 30 seconds and 2 minutes, (preferably 1 minute to 30 seconds); optionally repeating step (2), once or twice; and drying the surface.

    6.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：FR2864457A1

    公开(公告)日：2005-07-01

    申请号：FR0351239

    申请日：2003-12-31

    Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS SA

    Inventor： ABBADIE ALEXANDRA ,  BESSON PASCAL ,  SEMERIA MARIE NOELLE

    IPC: H01L21/304 ,  B08B3/08 ,  C11D7/08 ,  C11D11/00 ,  H01L21/306 ,  B08B3/12 ,  C30B33/00 ,  C23G1/02

    Abstract: Wet cleaning a surface made of silicon, silicon-germanium alloys, A(III)/B(V)-type semiconductors and/or epitaxially grown crystalline materials, such as germanium, comprises bringing surface into contact with hydrofluoric acid solution; and rinsing surface with acidified, deionized water for 1-5, preferably 3 minutes, then a powerful oxidizing agent is added to the deionized water and the rinsing is continued for 5-10, preferably 7 minutes. Wet cleaning a surface made of silicon, silicon-germanium alloys, A(III)/B(V)-type semiconductors and/or epitaxially grown crystalline materials, such as germanium, comprises: bringing the surface into contact with an hydrofluoric acid (HF) solution with an HF concentration of 0.2-2 (preferably 1) vol.%, in deionized water, for =10 (preferably 4) minutes, the pH of the solution being maintained at 1-2, preferably 1, throughout the duration of the contacting; rinsing the surface with acidified, deionized water for 1-5, preferably 3 minutes, then a powerful oxidizing agent is added to the deionized water and the rinsing is continued for 5-10, preferably 7 minutes, the pH being maintained at =5 (preferably 3-5), throughout step (2); optionally repeating step (1), once or twice, while optionally reducing the contacting time, which is then preferably 30 seconds and 2 minutes, (preferably 1 minute to 30 seconds); optionally repeating step (2), once or twice; and drying the surface.

    PROCEDE DE FABRICATION D'UNE COUCHE DE SILICIURE OU DE GERMANO-SILICIURE SUR DES ZONES CONDUCTRICES EN SILICIUM OU ALLIAGE SILICIUM-GERMANIUM D'UN SUBSTRAT
    7.
    发明专利
    PROCEDE DE FABRICATION D'UNE COUCHE DE SILICIURE OU DE GERMANO-SILICIURE SUR DES ZONES CONDUCTRICES EN SILICIUM OU ALLIAGE SILICIUM-GERMANIUM D'UN SUBSTRAT 未知

    公开(公告)号：FR2909802A1

    公开(公告)日：2008-06-13

    申请号：FR0655368

    申请日：2006-12-07

    Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS SA

    Inventor： CARRON VERONIQUE ,  BESSON PASCAL

    IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768

    Abstract: L'invention a trait à un procédé de fabrication d'une couche à base de siliciure ou de germano-siliciure sur des parties conductrices de l'électricité en silicium ou en alliage silicium-germanium d'un substrat, lequel substrat comprend également des parties isolantes, le siliciure ou germano-siliciure comprenant un premier élément métallique en quantité minoritaire par rapport à un second élément métallique, ledit procédé comprenant les étapes suivantes :a) une étape de préparation des parties conductrices de l'électricité en silicium ou en alliage silicium-germanium, de façon à créer des groupes -Si-H en surface ;b) une étape de dépôt sur au moins les parties conductrices de l'électricité du premier élément métallique sous forme d'une couche discontinue comprenant des nodules dudit premier élément métallique ;c) une étape d'élimination du premier élément métallique des parties isolantes, lorsque ledit premier élément métallique est également déposé sur lesdites parties isolantes ;d) une étape de dépôt d'une couche comprenant ledit second élément métallique sur au moins les parties conductrices dudit substrat;e) une première étape de traitement thermique à une température allant de 250 degres C à 600 degres C ;f) une étape d'élimination de la couche comprenant ledit second élément métallique desdites parties isolantes du substrat, lorsque ledit second élément métallique est également déposé sur lesdites parties isolantes ;g) éventuellement, une deuxième étape de traitement thermique à une température allant de 250 degres C à 600 degres C.

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