Abstract:
Zur hermetischen Verkapselung eines in Flip-Chip-Bauweise auf einem Träger (4) aufgebrachten Bauelements (1) wird vorgeschlagen, dieses zunächst mit einer dicht auf dem Bauelement und dem Träger aufliegenden Folie (8) abzudecken, diese zu strukturieren und darüber eine hermetisch abdichtende Schicht (14), insbesondere eine Metallschicht aufzubringen, die hermetisch mit dem Träger abschließt.
Abstract:
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Mikrofons bei dem - ein Wandlerelement (WE) auf einem Träger (TR) montiert wird; - eine Abdeckung so über dem Wandlerelement (WE) und den Träger (TR) angeordnet wird, dass das Wandlerelement (WE) zwischen der Abdeckung und dem Träger (TR) eingeschlossen wird; - eine erste SchalleintrittsöiEffnung (S01) in dem Träger (TR) erzeugt wird; - ein Funktionstest des Mikrofons durchgeführt wird; - die erste Schalleintrittsöffnung (S01) verschlossen wird; und - bei dem eine zweite Schalleintrittsöffnung (S02) in der Abdeckung erzeugt wird. Ferner betrifft die vorliegende Erfindung ein aus dem Verfahren resultierendes Mikrofon, bei dem die erste Schalleintrittsöffnung (S01) vorbereitet, aber verschlossen ist.
Abstract:
Es wird ein miniaturisiertes elektrisches Bauelement mit einem MEMS-Chip und einem ASIC-Chip angegeben. Der MEMS-Chip und der ASIC-Chip sind übereinander angeordnet; eine interne Verschaltung aus MEMS-Chip und ASIC-Chip ist über Durchkontaktierungen durch den MEMS-Chip oder durch den ASIC-Chip mit externen elektrischen Anschlüssen des elektrischen Bauelements verschaltet.
Abstract:
Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines elektromechanischen Wandlers beschrieben, bei dem - ein MST Bauelement in einem Behälter angeordnet wird, und - der Behälter mit einer Deckschicht verschlossen wird, wobei - die Deckschicht mit zumindest einer Aussparung versehen wird, die die Deckschicht in einen inneren und einen äußeren Bereich derart aufteilt, dass sowohl der innere als auch der äußere Bereich mit der der Deckschicht zugewandten Oberseite des MST Bauelement (3) verbunden sind, und — der innere Bereich abgehoben wird während der äußere Bereich haften bleibt.
Abstract:
Die Erfindung betrifft ein verkapseltes Bauelement, das ein Trägersubstrat und zumindest einen auf der Oberseite des Trägersubstrats angeordneten und mit diesem mittels elektrisch leitender Verbindungen elektrisch verbundenen Chip enthält. Die Verkapselung des Chips wird mit einer Abdichtung oder dielektrischen Schicht erzielt. Infolge unterschiedlicher Ausdehnungskoeffizienten der Abdichtung oder dielektrischen Schicht und der elektrisch leitenden Verbindungen treten bei Temperaturwechsel Verspannungen in den elektrisch leitenden Verbindungen auf, die zu Rissen, Brüchen und sogar zur Unterbrechung der elektrisch leitenden Verbindungen führen können. Zur mechanischen Entlastung der elektrisch leitenden Verbindungen von Verspannungen bei Temperaturwechsel (insbesondere bei extremen thermischen Belastungen) wird vorgeschlagen, das Trägersubstrat mit einem den Chip umlaufenden Stützelement zu versehen, welches zur Abstützung der Abdichtung oder dielektrischen Schicht dient, und/oder das Material und die Anordnung der Verkapselung entsprechend zu wählen.
Abstract:
Für in Flip-Chip-Technik montierte Bauelemente, insbesondere Oberflächenwellenbauelemente wird vorgeschlagen, ein schwundarmes Keramiksubstrat zu verwenden, über diesem ggf. mehrschichtige Metallisierungen durch Metallabscheidung zu erzeugen. Auch die Bumps können durch selbstjustierende Me-tallabscheidung erzeugt werden.
Abstract:
The invention relates to a method for hermetically encapsulating a component (1) that is mounted in flip-chip design on a support (4). The inventive method is characterized by first covering the component with a film (8) that closely rests on the component and the support, then structuring the film, and providing thereon a hermetically sealing layer (14), especially a metal layer, which seals up with the support.
Abstract:
The aim of the invention is to use a slow dissolving ceramic substrate for components mounted according to the Flip-Clip method, particularly surface wave components, whereby multi-layered metallisations are optionally produced thereon by metal deposition. The bumps can also be produced by self-adjusting metal deposition.