公开(公告)号：DE102009035438A1

公开(公告)日：2011-02-03

申请号：DE102009035438

申请日：2009-07-31

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： KAMMLER THORSTEN ,  RICHTER RALF ,  LENSKI MARKUS ,  GRASSHOFF GUNTER

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/265 ,  H01L21/316

Abstract: Eine Abstandshalterstruktur in komplexen Halbleiterbauelementen wird auf der Grundlage eines dielektrischen Materials mit großem ε hergestellt, das für einen höheren Ätzwiderstand im Vergleich zu konventionell verwendeten Siliziumdioxidschichten sorgt. Folglich liefert eine geringere Dicke des Ätzstoppmaterials dennoch einen höheren Ätzwiderstand, wodurch negative Effekte verringert werden, etwa ein Dotierstoffverlust in Drain- und Sourceerweiterungsgebieten, das Erzeugen einer ausgeprägten Oberflächentopographie und dergleichen, wie sie typischerweise mit konventionellen Abstandshaltermaterialsystemen verknüpft sind.

公开(公告)号：DE102016015713B4

公开(公告)日：2020-12-10

申请号：DE102016015713

申请日：2016-02-29

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： SICHLER STEFFEN ,  BAUDOT SYLVAIN HENRI ,  KAMMLER THORSTEN ,  FAUL JÜRGEN ,  JAVORKA PETER

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: Verfahren zum Bilden einer Halbleitervorrichtungsstruktur, umfassend:ein Bereitstellen eines ersten aktiven Gebiets (SOI-A) und eines zweiten aktiven Gebiets (BULK-A) in einem oberseitigen Oberflächenabschnitt eines Substrats, wobei von dem ersten aktiven Gebiet (SOI-A) und dem zweiten aktiven Gebiet (BULK-A) lediglich das Substrat in dem ersten aktiven Gebieten (SOI-A) derart konfiguriert ist, dass es eine aktive Halbleiterschicht (202A) und ein vergrabenes isolierendes Material (201A) umfasst, das zwischen der aktiven Halbleiterschicht (202A) und einem Halbleitersubstratmaterial (200) angeordnet ist;ein Bilden einer ersten Gatestruktur (210A) mit einem ersten Gatedielektrikum (212A) und einem ersten Gateelektrodenmaterial (214A) über dem ersten aktiven Gebiet (SOI-A) und einer zweiten Gatestruktur (220A) mit einem zweiten Gatedielektrikum (222A) und einem zweiten Gateelektrodenmaterial (224A) über dem zweiten aktiven Gebiet (BULK-A), wobei eine Dicke des zweiten Gatedielektrikums (222A) größer ist als eine Dicke des ersten Gatedielektrikums (212A);ein Bilden einer ersten Seitenwandabstandshalterstruktur (231A) an der ersten Gatestruktur (210A);ein epitaktisches Aufwachsen von erhöhten Source/Drainbereichen (234A) neben der ersten Gatestruktur (210A) in Ausrichtung zur ersten Seitenwandabstandshalterstruktur (231A);ein Erhöhen eines Dotierstoffniveaus in dem zweiten aktiven Gebiet (BULK-A) unter Durchführung eines Implantationsprozesses (245A) nach Bildung der erhöhten Source/Drainbereiche (234A); und anschließendein Bilden einer zweiten Seitenwandabstandshalterstruktur (260A) an der zweiten Gatestruktur (220A), wobei eine Dicke der zweiten Seitenwandabstandshalterstruktur (260A) größer ist als eine Dicke der ersten Seitenwandabstandshalterstruktur (231A).

公开(公告)号：DE102016015713A1

公开(公告)日：2017-09-14

申请号：DE102016015713

申请日：2016-02-29

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： SICHLER STEFFEN ,  BAUDOT SYLVAIN HENRI ,  KAMMLER THORSTEN ,  FAUL JÜRGEN ,  JAVORKA PETER

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: In einem Aspekt der Erfindung wird eine Halbleitervorrichtungsstruktur gebildet, wobei ein erstes aktives Gebiet und ein zweites aktives Gebiet in einem oberseitigen Oberflächenabschnitt eines Substrats bereitgestellt werden, die durch wenigstens eine Isolationsstruktur seitlich voneinander beabstandet sind. Hierbei ist von dem ersten aktiven Gebiet und dem zweiten aktiven Gebiet lediglich das Substrat in dem ersten aktiven Gebieten derart konfiguriert, dass es eine aktive Halbleiterschicht, ein Halbleitersubstratmaterial (200) und ein vergrabenes isolierendes Material (201A) umfasst, das zwischen der aktiven Halbleiterschicht und dem Halbleitersubstratmaterial (200) angeordnet ist. Über dem ersten aktiven Gebiet wird eine erste Gatestruktur (210A) mit einem ersten Gatedielektrikum und einem Gateelektrodenmaterial (214A) gebildet und über dem zweiten aktiven Gebiet wird eine zweite Gatestruktur (220A) mit einem zweiten Gatedielektrikum und einem zweiten Gateelektrodenmaterial (224A) gebildet, wobei eine Dicke des zweiten Gatedielektrikums größer ist als eine Dicke des ersten Gatedielektrikums. An der ersten Gatestruktur (210A) wird eine erste Seitenwandabstandshalterstruktur (231A) gebildet und an der zweiten Gatestruktur (220A) wird eine zweite Seitenwandabstandshalterstruktur (260A) mit einer Dicke gebildet, die größer ist als eine Dicke der ersten Seitenwandabstandshalterstruktur (231A).

公开(公告)号：DE102016203154A1

公开(公告)日：2017-06-14

申请号：DE102016203154

申请日：2016-02-29

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： SICHLER STEFFEN ,  JAVORKA PETER ,  FAUL JÜRGEN ,  BAUDOT SYLVAIN HENRI ,  KAMMLER THORSTEN

IPC: H01L21/8232 ,  H01L27/088

Abstract: Die vorliegende Erfindung stellt gemäß einigen anschaulichen Ausführungsformen ein Verfahren zum Bilden einer Halbleitervorrichtungsstruktur bereit, wobei das Verfahren umfasst: ein Bereitstellen eines ersten aktiven Gebiets und eine zweiten aktiven Gebiets in einem oberseitigen Oberflächenbereich eines Substrats, wobei die ersten und zweiten aktiven Gebiete durch wenigstens eine Isolationsstruktur seitlich beabstandet sind, ein Bilden einer ersten Gatestruktur mit einem ersten Gatedielektrikum in dem ersten Gateelektrodenmaterial über dem ersten aktiven Gebiet und einer zweiten Gatestruktur mit einem zweiten Gatedielektrikum und einem zweiten Gateelektrodenmaterial über dem zweiten aktiven Gebiet, wobei eine Dicke des zweiten Gatedielektrikums größer ist als die Dicke des ersten Gatedielektrikums, und ein Bilden einer ersten Seitenwandabstandshalterstruktur an der ersten Gatestruktur und einer zweiten Seitenwandabstandshalterstruktur an der zweiten Gatestruktur, wobei eine Dicke der zweiten Seitenwandabstandshalterstruktur größer ist als eine Dicke der ersten Seitenwandabstandshalterstruktur.

公开(公告)号：DE102009035418B4

公开(公告)日：2012-08-16

申请号：DE102009035418

申请日：2009-07-31

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： KRONHOLZ STEPHAN ,  REICHEL CARSTEN ,  ZEUN ANNEKATHRIN ,  KAMMLER THORSTEN

IPC: H01L21/8238

Abstract: Verfahren mit: Bilden einer Maskenschicht auf einem ersten aktiven Gebiet und einem zweiten aktiven Gebiet eines Halbleiterbauelements durch Ausführen eines Abscheideprozesses; Ausführen einer Behandlung an der Maskenschicht, um zumindest eine Materialeigenschaft der Maskenschicht einzustellen, durch Einbauen einer Sorte in die Maskenschicht auf der Grundlage einer Plasmaumgebung oder durch Oxidieren zumindest einer Oberflächenschicht der Maskenschicht; Entfernen der Maskenschicht selektiv von dem ersten aktiven Gebiet; Bilden einer Schicht aus einer Halbleiterlegierung auf dem ersten aktiven Gebiet und Verwenden der Maskenschicht auf dem zweiten aktiven Gebiet als eine Aufwachsmaske; Entfernen der Maskenschicht von dem zweiten aktiven Gebiet; und Bilden einer ersten Gateelektrodenstruktur eines ersten Transistors auf der Schicht aus Halbleiterlegierung und einer zweiten Gateelektrodenstruktur eines zweiten Transistors auf dem zweiten aktiven Gebiet, wobei die erste und die zweite Gateelektrodenstruktur ein metallenthaltendes Gateelektrodenmaterial und eine Gateisolationsschicht mit einem dielektrischen Material mit großem &egr; aufweisen.

公开(公告)号：DE102007063270B4

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：DE102007063270

申请日：2007-12-31

Applicant: AMD FAB 36 LLC ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： TRENTZSCH MARTIN ,  KAMMLER THORSTEN ,  STEPHAN ROLF

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234

公开(公告)号：DE102016203154B4

公开(公告)日：2017-09-28

申请号：DE102016203154

申请日：2016-02-29

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： SICHLER STEFFEN ,  JAVORKA PETER ,  FAUL JÜRGEN ,  BAUDOT SYLVAIN HENRI ,  KAMMLER THORSTEN

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: Verfahren zum Bilden einer Halbleitervorrichtungsstruktur, umfassend: ein Bereitstellen eines ersten aktiven Gebiets (SOI-A) und eines zweiten aktiven Gebiets (BULK-A) in einem oberseitigen Oberflächenabschnitt eines Substrats (200), wobei das erste und zweite aktive Gebiet (SOI-A, BULK-A) durch wenigstens eine Isolationsstruktur seitlich beabstandet sind; ein Bilden einer ersten Gatestruktur (210A) mit einem ersten Gatedielektrikum (212A) und einem ersten Gateelektrodenmaterial (214A) über dem ersten aktiven Gebiet (SOI-A) und einer zweiten Gatestruktur (220A) mit einem zweiten Gatedielektrikum (222A) und einem zweiten Gateelektrodenmaterial (224A) über dem zweiten aktiven Gebiet (BULK-A), wobei eine Dicke des zweiten Gatedielektrikums (222A) größer ist als eine Dicke des ersten Gatedielektrikums (212A); ein Abscheiden einer ersten Seitenwandabstandshaltermaterialschicht (232A) über den ersten und zweiten Gatestrukturen (210A, 220A); ein Bilden einer ersten Maske (M4A) über dem zweiten aktiven Gebiet (BULK-A), wobei das erste aktive Gebiet (SOI-A) für die weitere Bearbeitung freiliegt; ein anisotropes Ätzen des ersten Seitenwandabstandshaltermaterials (232A), wobei ein erster Seitenwandabstandshalter (231A) auf der ersten Gatestruktur (210A) gebildet wird und oberseitige Oberflächenbereiche in dem ersten aktiven Gebiet (SOI-A) in Ausrichtung zur ersten Maske (M4A) und dem ersten Seitenwandabstandshalter (231A) freiliegen; ein epitaktisches Aufwachsen von erhöhten Source/Drainbereichen (234A) in den freiliegenden oberseitigen Oberflächenbereichen; ein Entfernen der ersten Maske (M4A); ein Bilden einer ersten Abstandshalterstruktur (SP2-A) über der zweiten Gatestruktur (220A); ein Bilden einer zweiten Maske (M7A) über dem ersten aktiven Gebiet (SOI-A), wobei das zweite aktive Gebiet (BULK-A) der weiteren Bearbeitung ausgesetzt ist; ein Durchführen eines Implantationsprozesses (245A) zum Erhöhen eines Dotierstoffniveaus in dem zweiten aktiven Gebiet (BULK-A) in Ausrichtung zur zweiten Gatestruktur (220A) und ersten Abstandshalterstruktur (Sp2-A); ein Entfernen der zweiten Maske (M7A); und ein Austauschen der ersten Abstandshalterstruktur (Sp2-A) durch eine zweite Abstandshalterstruktur (260A) auf der zweiten Gatestruktur (220A), ...

公开(公告)号：DE102016200965A1

公开(公告)日：2016-08-25

申请号：DE102016200965

申请日：2016-01-25

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： MOLL HANS-PETER ,  BAARS PETER ,  KAMMLER THORSTEN

IPC: H01L29/417 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/45 ,  H01L29/78

Abstract: Eine Halbleiterstruktur umfasst ein Substrat, mindestens eine elektrisch leitfähige Säule, die sich über dem Substrat befindet, und eine elektrisch leitfähige Struktur, die sich über dem Substrat befindet. Die elektrisch leitfähige Säule umfasst einen inneren Teil und eine äußere Schicht, die sich unterhalb des inneren Teils und seitlich von dem inneren Teil befindet. Die elektrisch leitfähige Struktur umfasst ebenfalls einen inneren Teil und eine äußere Schicht, die sich unterhalb des inneren Teils und seitlich von dem inneren Teil befindet. Die elektrisch leitfähige Struktur umschließt jede der mindestens einen elektrisch leitfähigen Säule ringförmig. Die äußere Schicht von jeder der mindestens einen elektrisch leitfähigen Säule befindet sich in Kontakt mit der äußeren Schicht der elektrisch leitfähigen Struktur. Die äußere Schicht der mindestens einen elektrisch leitfähigen Säule und die äußere Schicht der elektrisch leitfähigen Struktur sind aus verschieden metallischen Materialien gebildet.

公开(公告)号：DE102015205458B3

公开(公告)日：2016-06-09

申请号：DE102015205458

申请日：2015-03-25

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： BAARS PETER ,  KAMMLER THORSTEN ,  MOLL HANS-PETER

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/336 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84 ,  H01L27/088

Abstract: Es wird in einem Aspekt der Erfindung ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtungsstruktur bereitgestellt. In einer beispielhaften Ausführungsform wird hierbei ein SOI-Substrat mit einer vergrabenen isolierenden Schicht bereitgestellt, die zwischen einem Halbleitersubstrat und einer Halbleiterschicht angeordnet ist. Ferner wird im SOI-Substrat eine STI-Struktur gebildet, wobei die STI-Struktur einen ersten Vorrichtungsbereich und einen zweiten Vorrichtungsbereich voneinander beabstandet. Der erste Vorrichtungsbereich und der zweite Vorrichtungsbereich sind in der Halbleiterschicht gebildet sind. Das Verfahren umfasst weiterhin ein Entfernen der Halbleiterschicht und der vergrabenen isolatierenden Schicht im ersten Vorrichtungsbereich nach Bildung der STI-Struktur und ein nachfolgendes Bilden einer ersten Gatestruktur über dem ersten Vorrichtungsbereich und einer zweiten Gatestruktur über dem zweiten Vorrichtungsbereich durch ein Abscheiden, Strukturieren und anisotropes Ätzen von Gatematerialien über dem ersten Vorrichtungsbereich und dem zweiten Vorrichtungsbereich.

公开(公告)号：DE102009035418A1

公开(公告)日：2011-02-10

申请号：DE102009035418

申请日：2009-07-31

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： KRONHOLZ STEPHAN ,  REICHEL CARSTEN ,  ZEUN ANNEKATHRIN ,  KAMMLER THORSTEN

IPC: H01L21/336

Abstract: Eine Aufwachsmaske, die für das Abscheiden einer schwellwerteinstellenden Halbleiterlegierung vorgesehen ist, wird auf der Grundlage eines Abscheideprozesses hergestellt, wodurch eine bessere Dickengleichmäßigkeit erreicht wird. Folglich können p-Kanaltransistoren und n-Kanaltransistoren mit aufwendigen Metallgatestapeln mit großen ε mit besserer Gleichmäßigkeit aufgebaut werden.