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公开(公告)号：GB2504435A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：GB201320115
申请日：2012-03-21
Applicant: IBM
Inventor： ABRAHAM DAVID W , MOJUMDER NILADRI N , WORLEDGE DANIEL C
Abstract: A mechanism is provided for bidirectional writing. A structure includes a reference layer on top of a tunnel barrier, a free layer underneath the tunnel barrier, a metal spacer underneath the free layer, an insulating magnet underneath the metal spacer, and a high resistance layer underneath the insulating layer. The high resistance layer acts as a heater in which the heater heats the insulating magnet to generate spin polarized electrons. A magnetization of the free layer is destabilized by the spin polarized electrons generated from the insulating magnet. A voltage is applied to change the magnetization of the free layer when the magnetization is destabilized. A polarity of the voltage determines when the magnetization of the free layer is parallel and antiparallel to a magnetization of the reference layer.
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公开(公告)号：CA2107048A1
公开(公告)日：1994-05-10
申请号：CA2107048
申请日：1993-09-27
Applicant: IBM
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公开(公告)号：DE112014000398T5
公开(公告)日：2015-09-24
申请号：DE112014000398
申请日：2014-01-21
Applicant: IBM
Inventor： ABRAHAM DAVID W , CORCOLES GONZALEZ ANTONIO D , ROZEN JAMES R
Abstract: Es wird ein Mikrowellenverbinder bereitgestellt. Der Mikrowellenverbinder schließt einen äußeren Leiter, einen innerhalb des äußeren Leiters angeordneten inneren Leiter und zwischen dem äußeren Leiter und dem inneren Leiter befindlich angeordnete dielektrische Materialien ein, wobei die dielektrischen Materialien ein nicht dissipatives dielektrisches Material und ein dissipatives dielektrisches Material einschließen.
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公开(公告)号：GB2504437A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：GB201320420
申请日：2012-04-03
Applicant: IBM
Inventor： ABRAHAM DAVID W , MOJUMDER NILADRI N
Abstract: An apparatus is provided for bidirectional writing. A stack includes a reference layer on a tunnel barrier, the tunnel barrier on a free layer, and the free layer on a metal spacer. The apparatus includes an insulating magnet. A Peltier material is thermally coupled to the insulating magnet and the stack. When the Peltier/insulating magnet interface is cooled, the insulating magnet is configured to transfer a spin torque to rotate a magnetization of the free layer in a first direction. When the Peltier/insulating magnet interface is heated, the insulating magnet is configured to transfer the spin torque to rotate the magnetization of the free layer in a second direction.
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公开(公告)号：DE10342572A1
公开(公告)日：2004-07-22
申请号：DE10342572
申请日：2003-09-15
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG , IBM
Inventor： ABRAHAM DAVID W , SCHMID JUERG , TROUILLOUD PHILIP , WORLEDGE DANIEL CHRISTOPHER
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CA2843407C
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CA2843407
申请日：2012-04-03
Applicant: IBM
Inventor： ABRAHAM DAVID W , MOJUMDER NILADRI N
Abstract: An apparatus is provided for bidirectional writing. A stack includes a reference layer on a tunnel barrier, the tunnel barrier on a free layer, and the free layer on a metal spacer. The apparatus includes an insulating magnet. A Peltier material is thermally coupled to the insulating magnet and the stack. When the Peltier/insulating magnet interface is cooled, the insulating magnet is configured to transfer a spin torque to rotate a magnetization of the free layer in a first direction. When the Peltier/insulating magnet interface is heated, the insulating magnet is configured to transfer the spin torque to rotate the magnetization of the free layer in a second direction.
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公开(公告)号：GB2504435B
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：GB201320115
申请日：2012-03-21
Applicant: IBM
Inventor： ABRAHAM DAVID W , MOJUMDER NILADRI N , WORLEDGE DANIEL C
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公开(公告)号：DE112012001962T5
公开(公告)日：2014-01-30
申请号：DE112012001962
申请日：2012-03-21
Applicant: IBM
Inventor： ABRAHAM DAVID W , MOJUMDER NILADRI N , WORLEDGE DANIEL C
IPC: G11C11/14
Abstract: Es wird ein Mechanismus für ein bidirektionales Schreiben bereitgestellt. Eine Struktur beinhaltet eine Referenzschicht oben auf einer Tunnelbarriere, eine freie Schicht unterhalb der Tunnelbarriere, einen Metallabstandshalter unterhalb der freien Schicht, einen isolierenden Magneten unterhalb des Metallabstandshalters und eine Schicht mit hohem Widerstand unterhalb der isolierenden Schicht. Die Schicht mit hohem Widerstand wirkt als eine Erwärmungsvorrichtung, bei der die Erwärmungsvorrichtung den isolierenden Magneten erwärmt, um spin-polarisierte Elektronen zu erzeugen. Eine Magnetisierung der freien Schicht wird durch die von dem isolierenden Magneten erzeugten spin-polarisierten Elektronen destabilisiert. Eine Spannung wird angelegt, um die Magnetisierung der freien Schicht zu ändern, wenn die Magnetisierung destabilisiert ist. Eine Polarität der Spannung bestimmt, wann die Magnetisierung der freien Schicht parallel und antiparallel zu einer Magnetisierung der Referenzschicht ist.
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公开(公告)号：DE69003047D1
公开(公告)日：1993-10-07
申请号：DE69003047
申请日：1990-06-19
Applicant: IBM
Inventor： ABRAHAM DAVID W , WICKRAMASINGHE HEMANTHA K
IPC: G01R33/028 , G01B7/34 , G01N27/00 , G01N27/82 , G01Q10/00 , G01Q20/02 , G01Q30/02 , G01Q30/04 , G01Q30/18 , G01Q60/10 , G01R33/10 , G01R33/12 , G01L5/00
Abstract: Magnetic structures of a sample (46) are imaged by measuring Lorentz force-induced deflection of the tip (40) of a scanning tunneling microscope. While scanning the sample (46), an a.c. voltage signal at a first predetermined frequency equal to the resonance frequency of the tip (40) is applied to the tip (40) for generating a current between the tip (40) and the surface (44) of the sample (46) for causing the tip (40) to undergo vibratory motion relative to the sample (46). The tip (40) motion, indicative of the presence of a magnetic field, is optically detected. In an alternative embodiment for providing improved resolution the tip (40) is made to undergo motion at a second predetermined frequency in a direction parallel to the longitudinal axis of the tip (40) and normal to the surface (44) of the sample (46). The tip (40) motion is optically detected at the sum or difference frequency of the first and second predetermined frequencies for providing improved lateral resolution of the magnetic field measurements using a scanning tunneling microscope. In the alternative embodiment the sum or difference frequency, which ever is detected, is made equal to the resonance frequency of the tip (40). The magnetic field measurement and tip (40) position are provided to a computer (68) which, in turn, provides an output signal to a device (72) for providing a graphical representation of the magnetic field at different positions on the surface (44) of the sample (46).
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公开(公告)号：DE112012001965B4
公开(公告)日：2018-10-04
申请号：DE112012001965
申请日：2012-04-03
Applicant: IBM
Inventor： ABRAHAM DAVID W , MOJUMDER NILADRI N
Abstract: Magnetoresistive Speichereinheit mit wahlfreiem Zugriff (MRAM-Einheit), die aufweist:einen magnetischen Stapel, der eine Referenzschicht angrenzend an eine Tunnelbarriere, die Tunnelbarriere angrenzend an eine freie Schicht und die freie Schicht angrenzend an einen Abstandshalter aus Metall aufweist; undeinen isolierenden Magneten, der zwischen dem magnetischen Stapel und einem Peltier-Material angeordnet ist;das Peltier-Material, das mit dem isolierenden Magneten und dem magnetischen Stapel thermisch gekoppelt ist;wobei ein Abkühlen einer Grenzfläche zwischen dem Peltier-Material und dem isolierenden Magneten bewirkt, dass der isolierende Magnet ein Spin-Drehmoment überträgt, um eine Magnetisierung der freien Schicht in eine erste Richtung zu drehen; undwobei ein Erwärmen der Grenzfläche zwischen dem Peltier-Material und dem isolierenden Magneten bewirkt, dass der isolierende Magnet das Spin-Drehmoment überträgt, um die Magnetisierung der freien Schicht in eine zweite Richtung zu drehen.
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