公开(公告)号：DE112013000813T5

公开(公告)日：2014-12-04

申请号：DE112013000813

申请日：2013-04-17

Applicant: IBM

Inventor： KHAKIFIROOZ ALI ,  CHENG KANGGUO ,  ADAM THOMAS N ,  REZNICEK ALEXANDER

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: Eine Halbleitereinheit, die zumindest zwei Finnenstrukturen auf einer Substratfläche und eine funktionale Gate-Struktur beinhaltet, die sich auf den zumindest zwei Finnenstrukturen befindet. Die funktionale Gate-Struktur beinhaltet zumindest ein Gate-Dielektrikum, das zumindest mit den Seitenwänden der beiden Finnenstrukturen in direktem Kontakt steht, und zumindest einen Gate-Leiter auf dem zumindest einen Gate-Dielektrikum. Die Seitenwand der Gate-Struktur ist im Wesentlichen senkrecht zu der oberen Fläche der Substratfläche, wobei sich die Ebene, die durch die Seitenwand der Gate-Struktur definiert wird, und eine Ebene, die durch eine obere Fläche der Substratfläche definiert wird, in einem Winkel von 90° +/– 5° schneiden. Ein epitaktisches Halbleitermaterial steht mit den zumindest zwei Finnenstrukturen in direktem Kontakt.

公开(公告)号：GB2513505A

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：GB201414026

申请日：2013-02-05

Applicant: IBM

Inventor： KHAKIFIROOZ ALI ,  ADAM THOMAS N ,  CHENG KANGGUO ,  REZNICEK ALEXANDER

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/66

Abstract: A field effect transistor and method of fabrication are provided. The field effect transistor comprises a plurality of elongated uniaxially-strained SiGe regions disposed on a silicon substrate, oriented such that they are in parallel to the direction of flow of electrical carriers in the channel. The elongated uniaxially-strained SiGe regions are oriented perpendicular to, and traverse through the transistor gate.

公开(公告)号：GB2511247A

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：GB201410067

申请日：2012-08-07

Applicant: IBM

Inventor： CHENG KANGGUO ,  ADAM THOMAS N ,  KHAKIFIROOZ ALI ,  REZNICEK ALEXANDER

IPC: H01L29/94 ,  H01L21/84 ,  H01L27/12 ,  H01L29/861

Abstract: An ETSOI transistor and a combination of capacitors, junction diodes, bank end contacts and resistors are respectively formed in a transistor and capacitor region thereof by etching through an ETSOI (20) and BOX (15) layers in a replacement gate HK/MG (80, 85) flow. The capacitor and other devices formation are compatible with an ETSOI replacement gate CMOS flow. A low resistance capacitor electrode makes it possible to obtain a high quality capacitor, and devices. The lack of topography during dummy gate (27) patterning are achieved by lithography in combination accompanied with appropriate etch.

公开(公告)号：DE102013200549A1

公开(公告)日：2013-08-01

申请号：DE102013200549

申请日：2013-01-16

Applicant: IBM

Inventor： ADAM THOMAS N ,  CHENG KANGGUO ,  HE HONG ,  KHAKIFIROOZ ALI ,  LI JINGHONG ,  REZNICEK ALEXANDER

IPC: H01L21/335 ,  H01L21/205 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/76

Abstract: Es wird eine verbesserte Silicium-Kohlenstoff-Dünnschichtstruktur offenbart. Die Dünnschichtstruktur enthält mehrere Schichten von Silicium-Kohlenstoff und Silicium. Die mehreren Schichten bilden Spannungsdünnschichtstrukturen, die einen erhöhten Austausch-Kohlenstoff-Gehalt aufweisen und zum Induzieren von Spannungen dienen, die die Trägermobilität für bestimmte Typen von Feldeffekttransistoren verbessern.