公开(公告)号：DE10007617A1

公开(公告)日：2000-11-02

申请号：DE10007617

申请日：2000-02-18

Applicant: IBM

Inventor： BERGER RUEDIGER ,  DIETZEL ANDREAS H ,  FOMPEYRINE JEAN ,  KRAUSE FRANK ,  LOCQUET JEAN PIERRE ,  MAECHLER ERICH

IPC: G01Q60/56 ,  G01Q70/14 ,  G01R33/10 ,  G11B5/31 ,  G11B5/455 ,  G12B21/10 ,  G01R33/12 ,  H01L41/16

Abstract: A magnetic field characterization process, comprising provision of a magnetosensitive layer between a component surface and a scanning force microscope sensor, is new. Independent claims are also included for the following: (i) apparatus for carrying out the above process; (ii) a scanning force microscope sensor bearing a magnetosensitive layer; and (iii) use of a scanning force microscope sensor for characterizing a magnetic field from a magnetic read/write head with micrometer dimensions.

公开(公告)号：DE112020001369T5

公开(公告)日：2021-12-09

申请号：DE112020001369

申请日：2020-02-27

Applicant: IBM

Inventor： PANTAZI ANGELIKI ,  WOZNIAK STANISLAW ,  ABEL STEFAN ,  FOMPEYRINE JEAN

IPC: G06N3/06

Abstract: Ausführungsformen der Erfindung sind auf das Übertragen von Signalen zwischen Neuronen eines mittels Hardware realisierten gepulsten neuronalen Netzes (bzw. SNN) gerichtet. Das Netz weist neuronale Verbindungen auf, die jeweils eine synaptische Einheit aufweisen, die ein präsynaptisches Neuron mit einem postsynaptischen Neuron verbindet. Vom präsynaptischen Neuron jeder neuronalen Verbindung werden zunächst auf der Grundlage eines in jeder synaptischen Einheit gespeicherten synaptischen Gewichts frequenzmoduliert, um postsynaptische Impulse zu erzeugen, sodass eine erste Anzahl vom präsynaptischen Neuron empfangener Impulse eine zweite Anzahl postsynaptischer Impulse umgesetzt wird. Mindestens einige der vom präsynaptischen Neuron empfangenen Impulse können jeweils in eine Folge aus zwei oder mehr postsynaptischen Impulsen umgesetzt werden. Die erzeugten postsynaptischen Impulse werden anschließend zum postsynaptischen Neuron jeder neuronalen Verbindung übertragen. Der neuartige Einsatz macht es möglich, beim Synapsenausgang einen höheren Dynamikbereich zu erhalten.

公开(公告)号：DE112019004944T5

公开(公告)日：2021-07-08

申请号：DE112019004944

申请日：2019-11-28

Applicant: IBM

Inventor： FOMPEYRINE JEAN ,  ABEL STEFAN

IPC: H04L27/00 ,  G06N3/02

Abstract: Demodulieren eines modulierten Signals. Ein Verfahren kann ein Empfangen eines modulierten Signals umfassen, wobei das modulierte Signal ein Signal ist, das gemäß einer Modulationsfunktion moduliert wird, die schneller variiert als das Signal. Die Modulationsfunktion ist eine Funktion des Signals. Das empfangene modulierte Signal wird mit einem künstlichen neuronalen Netzwerksystem oder KNN-System moduliert, das trainiert ist, Bitwerte aus durch die Modulationsfunktion erzeugten Signalmustern zu erkennen, indem Bitwerte aus Mustern des empfangenen modulierten Signals erkannt werden. Verwandte Modulations- und Demodulationssysteme werden offenbart.

公开(公告)号：GB2517697A

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：GB201315208

申请日：2013-08-27

Applicant: IBM

Inventor： ABEL STEFAN ,  CZORNOMAZ LUKAS ,  KAZZI MARIO EL ,  FOMPEYRINE JEAN

IPC: H01L21/02

Abstract: A semiconductor structure 1 comprises a substrate 2 comprising a first crystalline semiconductor material, a dielectric layer 3 is positioned above the substrate 2 and defines an opening 4, a second crystalline semiconductor material 9 can then at least partially fill the opening 4. A crystalline interlayer 8 is formed between the substrate 2 and the second crystalline semiconductor material 9. The first crystalline semiconductor material and the second crystalline semiconductor material 9 are lattice mismatched, and the crystalline interlayer 8 comprises an oxygen compound. The dielectric layer can partially cover the substrate and the dielectric trenches can be non crystalline. The second semiconductor material can be a crystalline semiconductor including the III-V, II-VI and the IV-IV family of semiconductor materials. The interlayer structure may comprise a diffusion barrier layer or comprise a multilayer structure. It can have metallic conductivity or comprise an insulating material. The second crystalline material can be grown on the interlayer by forming islands of the semiconductor material on the crystalline interlayer.