公开(公告)号：DE112012002962T5

公开(公告)日：2014-04-03

申请号：DE112012002962

申请日：2012-04-12

Applicant: IBM

Inventor： FISHER KATHRYN C ,  HUANG QIANG ,  PAPA RAO SATYAVOLU S ,  YEH MING-LING

IPC: H01L31/00

Abstract: Es wird eine photovoltaische Einheit bereitgestellt, die ein Halbleitersubstrat beinhaltet, das einen pn-Übergang mit einem p-leitenden Halbleiteranteil und einem n-leitenden Halbleiteranteil übereinander beinhaltet. Auf einer p-leitenden Halbleiteroberfläche des Halbleitersubstrats befindet sich eine Vielzahl strukturierter Antireflexbeschichtungsschichten, wobei wenigstens ein Anteil der p-leitenden Halbleiteroberfläche des Halbleitersubstrats freigelegt ist. Direkt auf dem wenigstens einen Anteil der p-leitenden Halbleiteroberfläche des Halbleitersubstrats, der freigelegt ist, befindet sich Aluminium.

公开(公告)号：DE112012002807T5

公开(公告)日：2014-03-20

申请号：DE112012002807

申请日：2012-09-11

Applicant: IBM

Inventor： HUANG QIANG

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/068

Abstract: Es wird eine photovoltaische Einheit bereitgestellt, wie beispielsweise eine Solarzelle, die eine verbesserte Leistungsfähigkeit aufweist. In einer Ausführungsform beinhaltet die photovoltaische Einheit eine Schicht aus einer Multimetall-Halbleiter-Legierung, die sich auf freiliegenden Anteilen einer Oberfläche einer Vorderseite eines Halbleitersubstrats befindet. Die Schicht aus der Multimetall-Halbleiter-Legierung beinhaltet wenigstens ein erstes elementares Metall, das mit einem Halbleitermaterial eine Legierung bildet, sowie ein zweites elementares Metall, das sich von dem ersten elementaren Metall unterscheidet und bei der gleichen Temperatur wie das erste elementare Metall keine Legierung mit einem Halbleitermaterial bildet. Die photovoltaische Einheit beinhaltet des Weiteren eine Kupfer enthaltende Schicht, die sich oben auf der Schicht aus der Multimetall-Halbleiter-Legierung befindet.

公开(公告)号：DE102012104048A1

公开(公告)日：2012-12-06

申请号：DE102012104048

申请日：2012-05-09

Applicant: IBM

Inventor： FISHER KATHRYN C ,  HUANG QIANG ,  PAPA RAO SATYAVOLU S

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/283 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/103

Abstract: Es wird ein Fotoelement wie beispielsweise eine Solarzelle bereitgestellt, die eine Kupfer enthaltende metallische Gitterstruktur beinhaltet, welche als Diffusionsbarriere eine Metall-Phosphor-Schicht enthält. Die Kupfer enthaltende metallische Gitterstruktur beinhaltet, von unten nach oben, eine galvanisch abgeschiedene Metall-Phosphor-Schicht, die weder Kupfer noch eine Kupferlegierung beinhaltet und innerhalb eines auf einer Vorderfläche eines Halbleitersubstrats gebildeten Gitterstruktur angeordnet ist, und eine galvanisch abgeschiedene Kupfer enthaltende Schicht. Ferner wird auch ein Verfahren zum Bilden einer solchen Struktur bereitgestellt.

公开(公告)号：DE112012003823T5

公开(公告)日：2014-08-07

申请号：DE112012003823

申请日：2012-07-18

Applicant: IBM

Inventor： CABRAL CYRIL JR ,  NOGAMI TAKESHI ,  GAMBINO JEFFREY P ,  HUANG QIANG ,  RODBELL KENNETH P

IPC: H01L21/28

Abstract: Eine Metallverbindungsstruktur und ein Verfahren zur Herstellung der Metallverbindungsstruktur. Mangan (Mn) wird in eine Kupfer(Cu)-Verbindungsstruktur eingebaut, um die Mikrostruktur zu modifizieren, um Bambusstil-Korngrenzen in Sub-90-nm-Technologien zu erreichen. Vorzugsweise sind die Bambuskörner durch Abstände von weniger als der „Blech”-Länge getrennt, so dass eine Kupfer(Cu)-Diffusion durch Korngrenzen vermieden wird. Das hinzugefügte Mn löst auch das Wachstum von Cu-Körnern herunter bis zu der unteren Fläche der Metallleitung aus, so dass eine echte Bambusmikrostruktur gebildet wird, welche bis zu der unteren Fläche reicht, und der Cu-Diffusionsmechanismus entlang Korngrenzen, die entlang der Länge der Metallleitung orientiert sind, eliminiert wird.

公开(公告)号：GB2498879A

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：GB201305111

申请日：2011-08-05

Applicant: IBM

Inventor： AHMED SHAFAAT ,  DELIGIANNI HARIKLIA ,  ROMANKIW LUBOMYR ,  REUTER KATHLEEN ,  HUANG QIANG ,  VAIDYANATHAN RAMAN

IPC: C25D3/54 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0749

Abstract: Photovoltaic devices and methods for preparing a p-type semiconductor layer for the photovoltaic devices generally include electroplating a layer of gallium or a gallium alloy onto a conductive layer by contacting the conductive layer with a plating bath free of complexing agents including a gallium salt, methane sulfonic acid or sodium sulfate and an organic additive comprising at least one nitrogen atom and/or at least one sulfur atom, and a solvent; adjusting a pH of the solution to be less than 2.6 or greater than 12.6. The photovoltaic device includes an impurity in the p-type semiconductor layer selected from the group consisting of arsenic, antimony, bismuth, and mixtures thereof. Various photovoltaic precursor layers for forming CIS, CGS and CIGS p-type semiconductor structures can be formed by electroplating the gallium or gallium alloys in this manner. Also disclosed are processes for forming a thermal interface of gallium or a gallium alloy with the electroplating process.

公开(公告)号：GB2508781B

公开(公告)日：2015-10-28

申请号：GB201405763

申请日：2012-09-10

Applicant: IBM

Inventor： HUANG QIANG ,  BAKER-O'NEAL BRETT CAROLINE

IPC: H01L31/0224 ,  C25D5/12 ,  C25D5/50 ,  C25D7/12

Abstract: A photovoltaic device, such as a solar cell, having improved performance is provided. The photovoltaic device includes a copper-containing layer that contains an amount of impurities therein which is sufficient to hinder the diffusion of copper into an underlying semiconductor substrate. The copper-containing layer, which is located within a grid pattern formed on a front side surface of a semiconductor substrate, includes an electroplated copper-containing material having an impurity level of 200 ppm or greater located atop at least one metal diffusion barrier layer.

公开(公告)号：CA2669907C

公开(公告)日：2014-12-09

申请号：CA2669907

申请日：2007-09-25

Applicant: IBM

Inventor： DELIGIANNI HARIKLIA ,  HUANG QIANG ,  ROMANKIW LUBOMYR T

IPC: H01F10/08 ,  B32B15/01 ,  G11C7/00 ,  G11C11/15

Abstract: A memory storage device that contains alternating first and second ferromagnetic material layers is provided. Each first ferromagnetic material layer has a first layer thickness (L1) and a first critical current density (JC1), and each second ferromagnetic material layer has a second layer thickness (L2) and a second critical current density (JC2), provided that JC1

公开(公告)号：GB2498879B

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：GB201305111

申请日：2011-08-05

Applicant: IBM

Inventor： AHMED SHAFAAT ,  DELIGIANNI HARIKLIA ,  ROMANKIW LUBOMYR ,  REUTER KATHLEEN ,  HUANG QIANG ,  VAIDYANATHAN RAMAN

IPC: C25D3/54 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0749

Abstract: Photovoltaic devices and methods for preparing a p-type semiconductor generally include electroplating a layer of gallium or a gallium alloy onto a conductive layer by contacting the conductive layer with a plating bath free of complexing agents including a gallium salt, methane sulfonic acid or sodium sulfate and an organic additive comprising at least one nitrogen atom and/or at least one sulfur atom, and a solvent; adjusting a pH of the solution to be less than 2.6 or greater than 12.6. The photovoltaic device includes an impurity in the p-type semiconductor layer selected from the group consisting of arsenic, antimony, bismuth, and mixtures thereof. Various photovoltaic precursor layers for forming CIS, CGS and CIGS p-type semiconductor structures can be formed by electroplating the gallium or gallium alloys in this manner. Also disclosed are processes for forming a thermal interface of gallium or a gallium alloy.

公开(公告)号：GB2508749A

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：GB201403444

申请日：2012-07-18

Applicant: IBM

Inventor： CABRAL CYRIL JR ,  NOGAMI TAKESHI ,  GAMBINO JEFFREY P ,  HUANG QIANG ,  RODBELL KENNETH P

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/288 ,  H01L23/532

Abstract: A metal interconnect structure and a method of manufacturing the metal interconnect structure. Manganese (Mn) is incorporated into a copper (Cu) interconnect structure in order to modify the microstructure to achieve bamboo-style grain boundaries in sub-90nm technologies. Preferably, bamboo grains are separated at distances less than the "Blech" length so that copper (Cu) diffusion through grain boundaries is avoided. The added Mn also triggers the growth of Cu grains down to the bottom surface of the metal line so that a true bamboo microstructure reaching to the bottom surface is formed and the Cu diffusion mechanism along grain boundaries oriented along the length of the metal line is eliminated.

公开(公告)号：DE112011102300T5

公开(公告)日：2013-05-16

申请号：DE112011102300

申请日：2011-08-05

Applicant: IBM

Inventor： AHMED SHAFAAT ,  DELIGIANNI HARIKLIA ,  ROMANKIW LUBOMYR ,  REUTER KATHLEEN ,  HUANG QIANG ,  VAIDYANATHAN RAMAN

IPC: H01L31/18 ,  C25D3/54 ,  H01L21/02 ,  H01L23/373 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/0749

Abstract: Photovoltaikeinheiten und Verfahren zum Erstellen einer p-Halbleiterschicht für die Photovoltaikeinheiten beinhalten im Allgemeinen ein Galvanisieren einer Schicht aus Gallium oder einer Galliumlegierung auf eine leitfähige Schicht durch in Kontakt bringen der leitfähigen Schicht mit einem Galvanisierbad, das frei von Komplexbildnern ist und ein Galliumsalz, Methansulfonsäure oder Natriumsulfat und einen organischen Zusatz, der zumindest ein Stickstoffatom und/oder zumindest ein Schwefelatom aufweist, und ein Lösungsmittel beinhaltet; und ein Einstellen eines pH-Wertes der Lösung auf unter 2,6 oder über 12,6. Die Photovoltaikeinheit beinhaltet eine Verunreinigung in der p-Halbleiterschicht, die aus der Gruppe ausgewählt wird, die aus Arsen, Antimon, Bismut und Mischungen davon besteht. Verschiedene Photovoltaik-Vorläuferschichten zum Ausbilden von p-leitenden CIS-, CGS- und CIGS-Halbleiterstrukturen können durch Galvanisieren des Galliums oder der Galliumlegierungen auf diese Weise ausgebildet werden. Außerdem werden Prozesse zum Ausbilden einer thermischen Zwischenschicht aus Gallium oder einer Galliumlegierung mithilfe des Galvanisierprozesses offenbart.