公开(公告)号：DE102015104723B4

公开(公告)日：2017-09-21

申请号：DE102015104723

申请日：2015-03-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BABURSKE ROMAN ,  JÄGER CHRISTIAN ,  NIEDERNOSTHEIDE FRANZ-JOSEF ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  VELLEI ANTONIO

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/268 ,  H01L29/739

Abstract: Verfahren, das aufweist: Implantieren von Dotierstoffatomen eines Leitfähigkeitstyps in erste Oberflächenabschnitte einer ersten Oberfläche (101) eines Halbleiterkörpers (100) in einem ersten Implantationsprozess und Abdecken zweiter Oberflächenabschnitte der ersten Oberfläche (101) während der Implantation; Aktivieren zumindest eines Teils der bei dem ersten Implantationsprozess implantierten Dotierstoffatome, um erste dotierte Gebiete (21) unterhalb der ersten Oberflächenabschnitte zu erzeugen; Implantieren von Dotierstoffatomen des einen Leitfähigkeitstyps in die ersten Oberflächenabschnitte und die zweiten Oberflächenabschnitte während eines zweiten Implantationsprozesses; und Aktivieren nur eines Teils der bei dem zweiten Implantationsprozess implantierten Dotierstoffatome in einem zweiten Aktivierungsprozess, um zweite dotierte Gebiete (22) und Rekombinationsgebiete (24) derart zu erzeugen, dass die Rekombinationsgebiete (24) weiter von den zweiten Oberflächengebieten beabstandet sind als die zweiten dotierten Gebiete (22).

公开(公告)号：DE102014113557A1

公开(公告)日：2016-03-24

申请号：DE102014113557

申请日：2014-09-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LAVEN JOHANNES GEORG ,  PHILIPPOU ALEXANDER ,  JÄGER CHRISTIAN ,  PFIRSCH FRANK

IPC: H01L29/739 ,  H01L27/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung (500) umfasst einen Halbleiterkörper (100) einschließlich einer Driftzone (121), die einen pn-Übergang (pn1) mit einem Emitterbereich (140) bildet. Eine erste Lastelektrode (310) ist an einer Vorderseite des Halbleiterkörpers (100). Eine zweite Lastelektrode (320) ist an einer Rückseite des Halbleiterkörpers (100) entgegengesetzt zu der Vorderseite. Ein oder mehrere variable resistive Elemente (190) sind elektrisch in einem gesteuerten Pfad zwischen der Driftzone (121) und einer der ersten und zweiten Lastelektroden (310, 320) verbunden. Die variablen resistiven Elemente (190) aktivieren und deaktivieren elektronische Elemente der Halbleitervorrichtung (500) abhängig von einer Änderung des Betriebszustandes der Halbleitervorrichtung (500).

公开(公告)号：DE102014108451B3

公开(公告)日：2015-08-27

申请号：DE102014108451

申请日：2014-06-16

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： JÄGER CHRISTIAN ,  LAVEN JOHANNES GEORG

IPC: H03K17/08

Abstract: Es wird eine Ansteuerschaltung zum Ansteuern eines Halbleiterschalters beschrieben. Gemäß einem Beispiel der Erfindung umfasst die Ansteuerschaltung eine mit dem Halbleiterschalter verbundene Überlastdetektorschaltung auf, die dazu ausgebildet ist, einen Überlastzustand des Halbleiterschalters zu detektieren. Die Ansteuerschaltung umfasst des Weiteren eine mit einem Steueranschluss des Halbleiterschalters verbundene Treiberschaltung, die dazu ausgebildet ist, bei Detektion eines Überlastzustandes ein Treibersignal mit einem solchen Pegel zu erzeugen, dass der Halbleiterschalter ausgeschaltet wird oder ein Einschalten verhindert wird. Die Treiberschaltung ist weiter dazu ausgebildet, nach Maßgabe eines Steuersignals ein Treibersignal zum Ansteuern des Halbleiterschalters zu erzeugen, wobei zum Einschalten des Transistors zu einem ersten Zeitpunkt ein Treibersignal mit einem ersten Pegel erzeugt wird und, wenn bis zum Ablauf einer vorgegebenen Zeitspanne kein Überlastzustand detektiert wird, der Pegel auf einen zweiten Pegel erhöht wird.

公开(公告)号：DE102020123847A1

公开(公告)日：2022-03-17

申请号：DE102020123847

申请日：2020-09-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM ,  STOIB BENEDIKT ,  JÄGER CHRISTIAN ,  SCHLÖGL DANIEL ,  JELINEK MORIZ

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/329

Abstract: Eine Leistungs-Halbleiterdiode (100) wird vorgeschlagen. Die Leistungs-Halbleiterdiode (100) enthält einen Halbleiterkörper (102), der eine erste Hauptoberfläche (104) und eine zweite Hauptoberfläche (106) aufweist, die entlang einer vertikalen Richtung (y) einander entgegengesetzt sind. Die Halbleiterdiode (100) enthält ferner ein Anodengebiet (108) eines ersten Leitfähigkeitstyps. Die Leistungs-Halbleiterdiode (100) enthält weiter ein Driftgebiet (110) eines zweiten Leitfähigkeitstyps. Das Driftgebiet (110) ist zwischen dem Anodengebiet (108) und der zweiten Hauptoberfläche (106) angeordnet. Die Leistungs-Halbleiterdiode (100) enthält weiterhin ein Feldstoppgebiet (112) des zweiten Leitfähigkeitstyps. Das Feldstoppgebiet ist zwischen dem Driftgebiet (110) und der zweiten Hauptoberfläche (106) angeordnet. Ein Dotierstoffkonzentrationsprofil (c) des Feldstoppgebiets (112) entlang der vertikalen Richtung (y) enthält eine maximale Spitze (Pm). Die Leistungs-Halbleiterdiode (100) enthält ferner ein Injektionsgebiet (116) des ersten Leitfähigkeitstyps. Das Injektionsgebiet (116) ist zwischen dem Feldstoppgebiet (112) und der zweiten Hauptoberfläche (106) angeordnet. Zwischen dem Injektionsgebiet (116) und dem Feldstoppgebiet (112) ist ein pn-Übergang (118) ausgebildet. Ferner enthält die Leistungs-Halbleiterdiode (100) ein Kathodenkontaktgebiet (120) des zweiten Leitfähigkeitstyps. Das Kathodenkontaktgebiet (120) ist zwischen dem Feldstoppgebiet (112) und der zweiten Hauptoberfläche (106) angeordnet. Ein erster vertikaler Abstand (d1) zwischen dem pn-Übergang und der maximalen Spitze reicht von 200 nm bis 1500 nm.

公开(公告)号：DE102014113214B4

公开(公告)日：2021-05-06

申请号：DE102014113214

申请日：2014-09-12

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LAVEN JOHANNES GEORG ,  PHILIPPOU ALEXANDER ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  JÄGER CHRISTIAN ,  BABURSKE ROMAN ,  VELLEI ANTONIO

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  H01L29/36

Abstract: Bipolartransistor mit isoliertem Gate, umfassend:einen Mesaabschnitt (105), der sich zwischen zwei Zelltrenchstrukturen (510) von einer ersten Oberfläche (101) eines Halbleiterteiles (100) zu einem Schichtabschnitt (108) des Halbleiterteiles (100) erstreckt,einen Sourcebereich (110), der in dem Mesaabschnitt (105) gebildet und elektrisch mit einer Emitterelektrode (310) verbunden ist, undeinen dotierten Bereich (170), der von dem Sourcebereich (110) durch einen Bodybereich (115) eines komplementären Leitfähigkeitstyps getrennt ist, wobei der dotierte Bereich (170) einen ersten Teil (171) mit einer ersten mittleren Nettofremdstoffkonzentration und einen zweiten Teil (172) mit einer zweiten mittleren Nettofremdstoffkonzentration, die wenigstens zehnfach die erste mittlere Nettofremdstoffkonzentration überschreitet, umfasst und wobei sich der erste Teil (171) entlang einer Seitenwand des Mesaabschnitts (105) durchgehend von dem Bodybereich (115) zu dem Schichtabschnitt (108) erstreckt.

公开(公告)号：DE102014101130B4

公开(公告)日：2020-03-12

申请号：DE102014101130

申请日：2014-01-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LAVEN JOHANNES GEORG ,  BABURSKE ROMAN ,  JÄGER CHRISTIAN ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  H01L29/06

Abstract: Eine rückwärtssperrende Halbleitervorrichtung, die aufweist:eine Kollektorelektrode (320);einen Basisbereich (120) eines ersten Leitungstyps und einen Bodybereich (115) eines zweiten, komplementären Leitungstyps, wobei der Basisbereich (120) und der Bodybereich (115) einen pn Übergang ausbilden; undeine zwischen dem Basisbereich (120) und der Kollektorelektrode (320) angeordnete Emitterschicht (130), die Emitterzonen (131) des zweiten Leitungstyps und einen Kanal (132) des ersten Leitungstyps umfasst, wobei sich der Kanal (132) zwischen dem Basisbereich (120) und der Kollektorelektrode (320) durch die Emitterschicht (130) erstreckt, wobei in einem rückwärtssperrenden Zustand mindestens ein vertikaler Abschnitt des Kanals (132) vollständig verarmt ist.

公开(公告)号：DE102017124872A1

公开(公告)日：2019-04-25

申请号：DE102017124872

申请日：2017-10-24

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BINA MARKUS ,  DAINESE MATTEO ,  JÄGER CHRISTIAN ,  LAVEN JOHANNES GEORG ,  PHILIPPOU ALEXANDER ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  VELLEI ANTONIO

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/266 ,  H01L29/739

Abstract: Ein Verfahren (2) zur Bearbeitung einer Leistungshalbleiter-Vorrichtung (1) umfasst: Vorsehen eines Halbleiterkörpers (10) mit einem Drift-Gebiet (100) von einem ersten Leitfähigkeitstyp; Erzeugen (20) einer Vielzahl von Gräben (14, 15, 16), wobei sich die Gräben (14, 15, 16) in den Halbleiterkörper (10) entlang einer vertikalen Richtung (Z) erstrecken und einander benachbart entlang einer ersten lateralen Richtung (X) angeordnet sind; Vorsehen (22) einer Maskenanordnung (30) auf dem Halbleiterkörper (10), wobei die Maskenanordnung (30) eine laterale Struktur (301) aufweist, gemäß der einige der Gräben (14, 15, 16) freigelegt sind und mindestens einer der Gräben (14, 15, 16) von der Maskenanordnung (30) bedeckt ist; Aussetzen (24) des Halbleiterkörpers (10) und der Maskenanordnung (30) einem Schritt zum Bereitstellen eines Dotierungsmaterials, wodurch, unter Böden der freiliegenden Gräben (14, 15, 16), eine Vielzahl von Dotierungsgebieten (1059) von einem zweiten Leitfähigkeitstyp, der zu dem ersten Leitfähigkeitstyp komplementär ist, erzeugt wird; Entfernen (26) der Maskenanordnung (30); Aussetzen (28) des Halbleiterkörpers (10) einem Temperaturausheilschritt, wodurch bewirkt wird, dass sich die Vielzahl von Dotierungsgebieten (1059) parallel zu der ersten lateralen Richtung (X) derart erstreckt, dass ein Barrierengebiet (105) von dem zweiten Leitfähigkeitstyp benachbart den Böden der freiliegenden Gräben (14, 15, 16) überlappt und gebildet wird.

公开(公告)号：DE102014220056B4

公开(公告)日：2019-02-14

申请号：DE102014220056

申请日：2014-10-02

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： PHILIPPOU ALEXANDER ,  PFIRSCH FRANK ,  LAVEN JOHANNES GEORG ,  JÄGER CHRISTIAN

IPC: H01L23/62 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H03K17/082

Abstract: Halbleiterbauelement (1), umfassend ein Halbleiterkörpergebiet (12) und ein Oberflächengebiet (11), wobei das Halbleiterkörpergebiet (12) eine erste Halbleiterregion (121) mit Ladungsträgern eines ersten Leitfähigkeitstyps und eine zweite Halbleiterregion (122) mit Ladungsträgern eines zweiten Leitfähigkeitstyps beinhaltet; wobei das Halbleiterbauelement (1) weiter umfasst:- eine erste Lastkontaktstruktur (13), die in dem Oberflächengebiet (11) angeordnet ist und die ausgebildet ist zum Einspeisen eines Laststromes in das Halbleiterkörpergebiet (12);- einen ersten Graben (14), der sich in das Halbleiterkörpergebiet (12) erstreckt und der eine Sensorelektrode (141) und ein erstes Dielektrikum (142) umfasst, wobei das erste Dielektrikum (142) die Sensorelektrode (141) elektrisch von der zweiten Halbleiterregion (122) isoliert;- einen elektrisch leitfähigen Pfad (16), der die Sensorelektrode (141) elektrisch mit der ersten Halbleiterregion (121) verbindet;- einen ersten Halbleiterpfad (15), wobei die erste Halbleiterregion (121) wenigstens mittels des ersten Halbleiterpfades (15) elektrisch an die erste Lastkontaktstruktur (13) gekoppelt ist; und- eine Sensorkontaktstruktur (27), die in dem Oberflächengebiet (11) angeordnet ist, wobei ein elektrisches Potential der ersten Halbleiterregion (121) mittels der Sensorelektrode (141) an die Sensorkontaktstruktur (27) übertragen wird.

公开(公告)号：DE102018112344A1

公开(公告)日：2018-11-29

申请号：DE102018112344

申请日：2018-05-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  INFINEON TECHNOLOGIES DRESDEN GMBH

Inventor： BINA MARKUS ,  DAINESE MATTEO ,  DIRNSTORFER INGO ,  GRIEBL ERICH ,  JÄGER CHRISTIAN ,  LAVEN JOHANNES GEORG ,  LEENDERTZ CASPAR ,  PFIRSCH FRANK ,  PHILIPPOU ALEXANDER

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: Eine Leistungshalbleitervorrichtung (1) umfasst eine aktive Region (1-2), die konfiguriert ist, einen Laststrom zu leiten; eine inaktive Begrenzungsregion (1-3), die die aktive Region (1-2) umgibt; einen Halbleiterkörper (10), der einen Teil jeder der aktiven Region (1-2) und der inaktiven Begrenzungsregion (1-3) bildet; einen ersten Lastanschluss (11) und einen zweiten Lastanschluss (12), wobei die aktive Region (1-2) konfiguriert ist, den Laststrom zwischen dem ersten Lastanschluss (11) und dem zweiten Lastanschluss (12) zu leiten; mindestens eine Leistungszelle (1-1) mit einer Vielzahl von Gräben (14, 15, 16), die sich in den Halbleiterkörper (10) erstrecken und aneinander angrenzend entlang einer ersten lateralen Richtung (X) angeordnet sind. Jeder der Gräben (14, 15, 16) weist eine Streifenkonfiguration auf, die sich entlang einer zweiten lateralen Richtung (Y) in die aktive Region (1-2) erstreckt. Die Gräben (14, 15, 16) grenzen räumlich eine Vielzahl von Mesen (17, 18) ein. Die Vielzahl von Mesen (17, 18) umfassen mindestens eine Mesa des ersten Typs (17), die mit dem ersten Lastanschluss (11) in der aktiven Region (1-2) elektrisch verbunden und konfiguriert ist, mindestens einen Teil des Laststroms zu leiten, und mindestens eine Mesa des zweiten Typs (18), die konfiguriert ist, den Laststrom nicht zu leiten. Die Vorrichtung (1) umfasst ferner eine Entkopplungsstruktur (19), die in mindestens einer der mindestens einen Mesa des zweiten Typs (18) angeordnet ist und die mindestens eine Mesa des zweiten Typs (18) in einen ersten Abschnitt (181), der mindestens durch den Halbleiterkörper (10) in der aktiven Region (1-2) gebildet wird, und in einen zweiten Abschnitt (182), der mindestens durch den Halbleiterkörper (10) in der Begrenzungsregion (1-3) gebildet wird, trennt.

公开(公告)号：DE102015104504B4

公开(公告)日：2018-11-15

申请号：DE102015104504

申请日：2015-03-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： PHILIPPOU ALEXANDER ,  JÄGER CHRISTIAN ,  PFIRSCH FRANK DIETER ,  LAVEN JOHANNES GEORG ,  VELLEI ANTONIO ,  WOLTER FRANK

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36 ,  H01L29/78

Abstract: Transistorbauelement, das aufweist:ein Halbleiter-Mesagebiet zwischen einem ersten Graben (3) und einem zweiten (4) Graben in einem Halbleiterkörper (100), wobei das Halbleiter-Mesagebiet eine erste Oberfläche (101) aufweist;in dem Halbleiter-Mesagebiet, ein Bodygebiet (20) von einem ersten Leitfähigkeitstyp und ein Sourcegebiet (12) von einem zweiten Leitfähigkeitstyp;ein Driftgebiet (11) vom zweiten Leitfähigkeitstyp in dem Halbleiterkörper (100);eine in dem ersten Graben (3) benachbart zu dem Bodygebiet (20) angeordnete und durch ein Gatedielektrikum (32) von dem Bodygebiet (20) isolierte Gateelektrode (31);eine Kontaktelektrode (51), die sich von der Oberfläche (101) des Halbleiter-Mesagebiets durch das Sourcegebiet (12) in das Bodygebiet (20) hinein erstreckt;ein Kontaktgebiet (24) vom ersten Leitfähigkeitstyp in dem Bodygebiet (20), wobei das Kontaktgebiet eine höhere Dotierungskonzentration aufweist als jene Gebiete des Bodygebiets, die an das Kontaktgebiet angrenzen,wobei das Bodygebiet (20) das Sourcegebiet (12) von dem Driftgebiet (11) trennt und sich benachbart zum Sourcegebiet (12) zu der Oberfläche (101) des Halbleiter-Mesagebiets erstreckt,wobei das Bodygebiet (20) ein Oberflächengebiet (23) aufweist, das an die Oberfläche (101) des Halbleiter-Mesagebiets und den ersten Graben (3) angrenzt, undwobei das Oberflächengebiet (23) eine höhere Dotierungskonzentration aufweist als ein Abschnitt des Bodygebiets (20), der das Sourcegebiet (12) von dem Driftgebiet (11) trennt.