公开(公告)号：DE102014115202B4

公开(公告)日：2017-08-31

申请号：DE102014115202

申请日：2014-10-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： JONES PATRICK ,  SIELAFF MICHAEL ,  SCHENNETTEN SVEN ,  UHLEMANN ANDRE ,  EDENHARTER STEFAN ,  SOBKOWIAK MARCO

IPC: H01L21/58

Abstract: Verfahren zum Verlöten mindestens eines ersten Substrats (2) mit einer Trägerplatte (3) mit den Schritten: Bereitstellen einer Trägerplatte (3), die – eine Unterseite (3b) aufweist, sowie eine der Unterseite (3b) entgegengesetzte Oberseite (3t), die in einer vertikalen Richtung (v) von der Unterseite (3b) beabstandet ist und die einen ersten Substratmontageabschnitt (30) aufweist; – eine erste Lötstoppbarriere (31), die an der Oberseite (3t) der Trägerplatte (3) ausgebildet ist und die sich in der vertikalen Richtung (v) über die Ebene des ersten Substratmontageabschnitts (30) hinaus erstreckt; Bereitstellen eines ersten Substrats (2), das eine Unterseite (2b) aufweist, einen dielektrischen Isolationsträger (20), sowie eine obere Metallisierungsschicht (21) und eine untere Metallisierungsschicht (22), die aufeinander entgegengesetzte Seiten des dielektrischen Isolationsträgers (20) aufgebracht und stoffschlüssig mit diesem verbunden sind; Bereitstellen eines ersten Lotes (42); Auflegen des ersten Substrats (2) auf den ersten Substratmontageabschnitt (30) derart, dass die Unterseite (2b) des ersten Substrats (2) dem ersten Substratmontageabschnitt (30) zugewandt ist und das erste Lot (42) zwischen dem ersten Substratmontageabschnitt (30) und dem ersten Substrat (2) angeordnet ist; und nachfolgend Aufschmelzen des ersten Lotes (42) und nachfolgendes Abkühlen des aufgeschmolzenen ersten Lotes (42), bis dieses erstarrt und das erste Substrat (2) an dessen unterer Metallisierungsschicht (22) stoffschlüssig mit der Trägerplatte (3) verbindet, wobei die Menge des ersten Lotes (42) so gewählt ist, dass nach dessen Aufschmelzen der Abstand zwischen der Unterseite (2b) des ersten Substrats (2) und dem Substratmontageabschnitt (30) geringer ist als eine maximale Höhe (h31), mit der sich die erste Lötstoppbarriere (31) in der vertikalen Richtung (v) über die Ebene des Substratmontageabschnitts (30) hinaus erstreckt.

公开(公告)号：DE102013100701A1

公开(公告)日：2014-07-24

申请号：DE102013100701

申请日：2013-01-24

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： JONES PATRICK ,  SIELAFF MICHAEL ,  KOCH CHRISTOPH

IPC: H05K7/14

Abstract: Die Erfindung betrifft eine Halbeitermodulanordnung mit einer ersten Teilbaugruppe (4), einer zweiten Teilbaugruppe (200) und einer dritten Teilbaugruppe (7). Dabei weist die dritte Teilbaugruppe (7) eine Menge von fest miteinander verbundenen Justierpins (71, 72) auf. Weiterhin weist die erste Teilbaugruppe (4) weist eine Anzahl N1 erster Justieröffnungen (43) auf und die zweite Teilbaugruppe (200) eine Anzahl N2 zweiter Justieröffnungen (201). Ein jeder der Justierpins (71, 72) greift in eine andere der ersten Justieröffnungen (43) und/oder in eine der zweiten Justieröffnungen (201) ein.