公开(公告)号：DE102014201781A1

公开(公告)日：2015-08-06

申请号：DE102014201781

申请日：2014-01-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： REITER TOMAS ,  EDENHARTER STEFAN

IPC: H01L23/62 ,  G01K7/34 ,  H01L23/34

Abstract: Das System und das Verfahren zum Messen der Temperatur eines Halbleiterchips (2) in einem Leistungshalbleitermodul, wobei der der Halbleiterchip (2) auf einer Trägeranordnung aufgebracht ist, in der ein mit dem Halbleiterchip (2) thermisch gekoppelter Kondensator (12) mit temperaturabhängigem Kapazitätsverhalten ausgebildet ist, sehen vor das Bestimmen der Kapazität des Kondensators (12) und das Bestimmen der Temperatur am Halbleiterchip (2) aus der Kapazität des Kondensators (12).

公开(公告)号：DE102014115202A1

公开(公告)日：2016-04-21

申请号：DE102014115202

申请日：2014-10-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： JONES PATRICK ,  SIELAFF MICHAEL ,  SCHENNETTEN SVEN ,  UHLEMANN ANDRE ,  EDENHARTER STEFAN ,  SOBKOWIAK MARCO

IPC: H01L21/58

Abstract: Ein Aspekt der Erfindung betrifft ein Verfahren zum Verlöten mindestens eines Substrats (2) mit einer Trägerplatte (3). Hierzu werden eine Trägerplatte (3) bereitgestellt, ein erstes Substrat (2), das eine Unterseite (2b) aufweist, sowie ein erstes Lot (42). Die Trägerplatte (3) weist eine Unterseite (3b) auf, sowie eine der Unterseite (3b) entgegengesetzte Oberseite (3t), die in einer vertikalen Richtung (v) von der Unterseite (3b) beabstandet ist und die einen ersten Substratmontageabschnitt (30) aufweist. Außerdem ist an der Oberseite (3t) der Trägerplatte (3) eine erste Lötstoppbarriere (31) ausgebildet, die sich in der vertikalen Richtung (v) über die Ebene des ersten Substratmontageabschnitts (30) hinaus erstreckt. Das erste Substrat (2) wird derart auf den ersten Substratmontageabschnitt (30) aufgelegt, dass die Unterseite (2b) des ersten Substrats (2) dem ersten Substratmontageabschnitt (30) zugewandt ist und das erste Lot (42) zwischen dem ersten Substratmontageabschnitt (30) und dem ersten Substrat (2) angeordnet ist. Danach wird das erste Lot (42) aufgeschmolzen und nachfolgend abgekühlt, bis es erstarrt und das erste Substrat (2) an dessen unterer Metallisierungsschicht (22) stoffschlüssig mit der Trägerplatte (3) verbindet.

公开(公告)号：DE102014115202B4

公开(公告)日：2017-08-31

申请号：DE102014115202

申请日：2014-10-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： JONES PATRICK ,  SIELAFF MICHAEL ,  SCHENNETTEN SVEN ,  UHLEMANN ANDRE ,  EDENHARTER STEFAN ,  SOBKOWIAK MARCO

IPC: H01L21/58

Abstract: Verfahren zum Verlöten mindestens eines ersten Substrats (2) mit einer Trägerplatte (3) mit den Schritten: Bereitstellen einer Trägerplatte (3), die – eine Unterseite (3b) aufweist, sowie eine der Unterseite (3b) entgegengesetzte Oberseite (3t), die in einer vertikalen Richtung (v) von der Unterseite (3b) beabstandet ist und die einen ersten Substratmontageabschnitt (30) aufweist; – eine erste Lötstoppbarriere (31), die an der Oberseite (3t) der Trägerplatte (3) ausgebildet ist und die sich in der vertikalen Richtung (v) über die Ebene des ersten Substratmontageabschnitts (30) hinaus erstreckt; Bereitstellen eines ersten Substrats (2), das eine Unterseite (2b) aufweist, einen dielektrischen Isolationsträger (20), sowie eine obere Metallisierungsschicht (21) und eine untere Metallisierungsschicht (22), die aufeinander entgegengesetzte Seiten des dielektrischen Isolationsträgers (20) aufgebracht und stoffschlüssig mit diesem verbunden sind; Bereitstellen eines ersten Lotes (42); Auflegen des ersten Substrats (2) auf den ersten Substratmontageabschnitt (30) derart, dass die Unterseite (2b) des ersten Substrats (2) dem ersten Substratmontageabschnitt (30) zugewandt ist und das erste Lot (42) zwischen dem ersten Substratmontageabschnitt (30) und dem ersten Substrat (2) angeordnet ist; und nachfolgend Aufschmelzen des ersten Lotes (42) und nachfolgendes Abkühlen des aufgeschmolzenen ersten Lotes (42), bis dieses erstarrt und das erste Substrat (2) an dessen unterer Metallisierungsschicht (22) stoffschlüssig mit der Trägerplatte (3) verbindet, wobei die Menge des ersten Lotes (42) so gewählt ist, dass nach dessen Aufschmelzen der Abstand zwischen der Unterseite (2b) des ersten Substrats (2) und dem Substratmontageabschnitt (30) geringer ist als eine maximale Höhe (h31), mit der sich die erste Lötstoppbarriere (31) in der vertikalen Richtung (v) über die Ebene des Substratmontageabschnitts (30) hinaus erstreckt.