公开(公告)号：DE102009002992A1

公开(公告)日：2011-02-10

申请号：DE102009002992

申请日：2009-05-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： STOLZE THILO ,  HOHLFELD OLAF ,  KANSCHAT PETER

IPC: H01L23/40

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft ein Leistungshalbleitermodulsystem mit einem Leistungshalbleitermodul (1) und einem Kühlkörper (2), sowie mit wenigstens einem Befestigungsmittel (7), mittels dem das Leistungshalbleitermodul (1) fest mit dem Kühlkörper (2) verbunden werden kann. Das Leistungshalbleitermodul (1) weist eine Unterseite (12) mit einer ersten Wärmekontaktfläche (13) auf, der Kühlkörper (2) eine Oberseite (21) mit einer zweiten Wärmekontaktfläche (23). Das Leistungshalbleitermodul (1) umfasst eine Anzahl von N1 ≧ 1 erster Positionierelemente (15a, 15b, 15c), der Kühlkörper (2) eine Anzahl von N2 ≧ 1 zweiter Positionierelemente (25a, 25b, 25c). Jedes der ersten Positionierelemente korrespondiert mit einem der zweiten Positionierelemente und bildet mit diesem ein Paar (15a, 25a); (15b, 25b); (15c, 25c)). Das Leistungshalbleitermodul (1) und der Kühlkörper (2) sind so zueinander anordenbar, dass die beiden Positionierelemente eines jeden der Paare bei der Montage des Leistungshalbleitermoduls (1) an dem Kühlkörper (2) ineinander greifen.

公开(公告)号：DE102009002993A1

公开(公告)日：2010-11-18

申请号：DE102009002993

申请日：2009-05-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： STOLZE THILO ,  HOHLFELD OLAF ,  KANSCHAT PETER

IPC: H01L23/40 ,  H01L23/02 ,  H01L23/48 ,  H01L25/04 ,  H02M1/00 ,  H05K7/20

Abstract: Die Erfindung betrifft ein leistungshalbleitermodul mit einer Modulunterseite (102), einem Gehäuse (104) sowie wenigstens zwei voneinander beabstandeten Schaltungsträgern (T1, T2). Jeder der Schaltungsträger (T1, T2) weist eine dem Inneren des Gehäuses (104) zugewandte Oberseite (51) auf sowie eine dem Inneren des Gehäuses (104) abgewandte Unterseite (52). Die Unterseite (52) eines jeden der Schaltungsträger (T1, T2, T3) umfasst zumindest einen Abschnitt, der zugleich einen Abschnitt der Modulunterseite (102) bildet. Zumindest eine zwischen zwei benachbarten Schaltungsträgern (T1, T2; T2, T3) angeordnete Montageeinrichtung (53) ermöglicht eine Befestigung des Leistungshalbleitermoduls (100) an einem Kühlkörper (400).

公开(公告)号：DE50312932D1

公开(公告)日：2010-09-09

申请号：DE50312932

申请日：2003-06-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MUENZER MARK ,  BAYERER REINHOLD ,  KANSCHAT PETER

IPC: H02H9/04 ,  H02H7/08 ,  H02H7/12 ,  H02M1/00 ,  H02M1/088 ,  H02M1/32 ,  H03K17/082

公开(公告)号：DE102008008141A1

公开(公告)日：2008-08-21

申请号：DE102008008141

申请日：2008-02-08

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KANSCHAT PETER ,  SCHIESS KLAUS ,  STOLZE THILO

IPC: H01L25/16 ,  H01L21/50 ,  H01L23/34

公开(公告)号：DE102006038479A1

公开(公告)日：2008-02-21

申请号：DE102006038479

申请日：2006-08-17

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KANSCHAT PETER

IPC: H01L25/07

Abstract: A power semiconductor component is disclosed. One embodiment provides a semiconductor body, in which at least two vertical power semiconductor components are arranged. Each of the vertical power semiconductor components has a first load terminal arranged at a front side of the semiconductor body. Each of the vertical power semiconductor components has a second load terminal arranged at a rear side of the semiconductor body opposite the front side.

公开(公告)号：DE102012207147B4

公开(公告)日：2016-01-21

申请号：DE102012207147

申请日：2012-04-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KANSCHAT PETER ,  JASBERG HARTMUT ,  SCHWARZER ULRICH MICHAEL GEORG ,  ARENS ANDRE

IPC: H03K17/16 ,  H03K17/567

Abstract: Verfahren zur Ansteuerung eines steuerbaren Leistungshalbleiterschalters (LS), welcher einen Gate-Anschluss (G), einen Kollektoranschluss (C) und einen Emitter-Anschluss (E) aufweist und der mit seiner Kollektor-Emitter-Strecke zwischen ein erstes und ein zweites Versorgungspotential (Vcc, OUT) geschaltet ist, wobei das Verfahren umfasst: Einstellen der Steilheit von Ausschaltflanken eines Kollektorstromes (Ic) und einer Kollektor-Emitter-Spannung (Vce) des Leistungshalbleiterschalters (LS) mittels einer Spannungsquellenanordnung (SPQ), die mit dem Gate-Anschluss (G) des Leistungshalbleiterschalters (LS) verbunden ist; Einstellen der Steilheit von Einschaltflanken des Kollektorstromes (Ic) und der Kollektor-Emitter-Spannung (Vce) des Leistungshalbleiterschalters (LS) mittels einer steuerbaren Stromquellenanordnung (STQ), die mit dem Gate-Anschluss (G) des Leistungshalbleiterschalters (LS) verbunden ist und einen Gateansteuerstrom (IG) erzeugt, und Messen eines momentanen Gateansteuerstromes (IG) des Leistungshalbleiterschalters (LS), wobei in der Phase ab dem Beginn des Stromanstieges eines Kollektor-Emitter-Stromes (ILast) durch den Leistungshalbleiterschalter (LS) bis zum Ende der Abnahme der Kollektor-Emitter-Spannung (Vce) der Verlauf des einstellbaren Gateansteuerstromes (IG) maximal innerhalb eines vorgegebenen Toleranzbandes von einem Schaltvorgang zu einem der folgenden Schaltvorgänge variiert wird.

公开(公告)号：DE102013216709A1

公开(公告)日：2015-02-26

申请号：DE102013216709

申请日：2013-08-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HOHLFELD OLAF ,  KANSCHAT PETER ,  HÖGERL JÜRGEN ,  BEER GOTTFRIED ,  FÜRGUT EDWARD

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/58 ,  H01L21/60

Abstract: Ein Aspekt der Erfindung betrifft eine Halbleiteranordnung mit einer oberen Kontaktplatte (41), einer unteren Kontaktplatte (42) und einer Anzahl von Chipbaugruppen (3). Eine jede der Chipbaugruppen (3) weist einen Halbleiterchip (1) mit einem Halbleiterkörper (10) mit einer Oberseite und einer der Oberseite entgegengesetzten Unterseite auf, eine auf der Oberseite angeordnete obere Hauptelektrode (11), eine auf der Unterseite angeordnete untere Hauptelektrode (12), ein elektrisch leitendes oberes Ausgleichsplättchen (21), das auf der dem Halbleiterkörper (10) abgewandten Seite der oberen Hauptelektrode (11) angeordnet und mit dieser mittels einer oberen Verbindungsschicht (31) stoffschlüssig und elektrisch leitend verbunden ist, ein elektrisch leitendes unteres Ausgleichsplättchen (22), das auf der dem Halbleiterkörper (10) abgewandten Seite der unteren Hauptelektrode (12) angeordnet und mit dieser mittels einer unteren Verbindungsschicht (32) stoffschlüssig und elektrisch leitend verbunden ist, sowie eine dielektrische Einbettmasse (4), die den Halbleiterchip (1) seitlich umlaufend ringförmig derart umschließt, dass die dem Halbleiterkörper (10) abgewandte Seite des oberen Ausgleichsplättchens (21) und die dem Halbleiterkörper (10) abgewandte Seite des unteren Ausgleichsplättchens (22) jeweils nicht vollständig von der Einbettmasse (4) bedeckt sind. Dabei ist eine jede der Chipbaugruppen (3) derart zwischen der oberen Kontaktplatte (41) und der unteren Kontaktplatte (42) angeordnet, dass bei dieser Chipbaugruppe (3) die dem Halbleiterkörper (10) abgewandte Seite des oberen Ausgleichsplättchens (21) die obere Kontaktplatte (41) elektrisch und mechanisch kontaktiert, und dass die dem Halbleiterkörper (10) abgewandte Seite des unteren Ausgleichsplättchens (22) die untere Kontaktplatte (42) elektrisch und mechanisch kontaktiert.

公开(公告)号：DE102008045614B4

公开(公告)日：2014-02-13

申请号：DE102008045614

申请日：2008-09-03

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KANSCHAT PETER

IPC: H01L23/49 ,  H01L21/52 ,  H01L21/603 ,  H01L25/07

Abstract: Eine Anordnung umfassend ein Halbleiterbauelement (2) und ein Drahtbauteil, das zur Kontaktierung des Halbleiterbauelements (2) elastisch vorgespannt mit einer Stirnseite an einer Oberflächenschicht (3) des Halbleiterbauelementes (2) anliegt, wobei die Oberflächenschicht (3) aus Kupfer besteht und eine Dicke von größer oder gleich 10 μm aufweist, und wobei die Stirnseite des Drahtbauteils (4) eine Härte aufweist, die geringer ist als die Härte von Kupfer.

公开(公告)号：DE102009028049B3

公开(公告)日：2011-02-24

申请号：DE102009028049

申请日：2009-07-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KANSCHAT PETER

IPC: H01L29/423

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Leistungshalbleiterbauelement mit einem Halbleiterkörper (1) und zwei Lastanschlüssen (21, 22). Weiterhin ist eine Potenzialsonde (3) vorgesehen, die dazu ausgebildet ist, bei einer zwischen den beiden Lastanschlüssen (21, 22) anliegenden elektrischen Spannung (V1-V2) ein an einem Abgreifort (4) des Halbleiterkörpers (1) vorliegendes elektrisches Zwischenpotenzial (V) des Halbleiterkörpers (1) abzugreifen, das zwischen den elektrischen Potenzialen (V1, V2) der beiden Lastanschlüsse (21, 22) liegt, das sich jedoch von einem jeden der elektrischen Potenziale (V1, V2) der beiden Lastanschlüsse (21, 22) unterscheidet.

公开(公告)号：DE102006040435B3

公开(公告)日：2008-01-31

申请号：DE102006040435

申请日：2006-08-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KANSCHAT PETER ,  STOLZE THILO

IPC: H01L23/34 ,  H01L21/50

Abstract: The arrangement has a power semiconductor module (3) with terminal contacts (15) which are led through a module housing (40). An insulator frame (60) is arranged between the contacts and a cooling unit, runs parallel to the contacts, and limits insulation at the housing. The frame has an opening (61) and an area (62) that follow areas (16, 17) of the contacts. The area (16) of the contacts is aligned parallel to a lower side (50) of the housing such that the contacts form an angle of greater than 180 degrees to the lower side of the housing. An independent claim is also included for a method for mounting a power semiconductor module in a cooling element.