公开(公告)号：DE102005046710A1

公开(公告)日：2007-04-05

申请号：DE102005046710

申请日：2005-09-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAUDER ANTON ,  KROENER FRIEDRICH

IPC: H01L23/14 ,  B22F3/12 ,  C22C32/00 ,  C22C49/14 ,  H01L23/373 ,  H01L25/07

Abstract: Carrier comprises a sintered body (4, 5) made from carbon fibers and a metal (3). Independent claims are also included for: (a) method for producing a carrier; and (b) component arrangement comprising the above carrier.

公开(公告)号：DE102004023405A1

公开(公告)日：2005-12-15

申请号：DE102004023405

申请日：2004-05-12

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KROENER FRIEDRICH ,  SCHULZE HOLGER ,  SGOURIDIS SOKRATIS

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/304 ,  H01L21/68 ,  H01L21/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/74

Abstract: The method involves fixing a carrier wafer (6) with a binder (5) onto the front of a product wafer (1), and thinning the product wafer from its rear side to a final thickness (d1). Back side processing is performed on the thinned wafer. Separating trenches (12) are formed between the integrated circuits in a saw guide region of the product wafer to form individual components. The carrier wafer is removed with the attached components and ribs engaging in the separating trenches. The carrier wafer and binder are released from the individual components. An independent claim is included for a holding device.

公开(公告)号：DE10258509A1

公开(公告)日：2004-07-08

申请号：DE10258509

申请日：2002-12-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KROENER FRIEDRICH ,  KOBLINSKI CARSTEN VON

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/304 ,  H01L21/78

Abstract: Production of a break-proof plate-like object comprises preparing a plate-like object (1) having a starting thickness (DA) and a saw frame (4), forming a number of trenches (6) in the region of the frame on a front side of the object, filling the trenches with a material (7) which is resistant to transverse strain, and thinning the object from its rear side to a final thickness. Production of a break-proof plate-like object comprises preparing a plate-like object (1) having a starting thickness (DA) and a saw frame (4), forming a number of trenches (6) in the region of the frame on a front side of the object, filling the trenches with a material (7) which is resistant to transverse strain, and thinning the object from its rear side to a final thickness to form a thinned plate-like object. The number of trenches with a specified trench depth are formed which are larger than the final thickness of the thinned object.

公开(公告)号：DE10207558A1

公开(公告)日：2003-09-11

申请号：DE10207558

申请日：2002-02-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KROENER FRIEDRICH ,  KOBLINSKI CARSTEN VON

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/58 ,  H01L21/306 ,  H01L21/86

Abstract: Separating a connection between disk-shaped objects (6) comprises placing the disk-shaped objects in a separating unit (2), introducing a gaseous separating agent (3) into the separating unit, and carrying out condensation-induced releasing of the connection to at least partly separate the disk-shaped objects. Independent claims are also included for: (a) alternative process for separating a connection between disk-shaped objects; and (b) device used for carrying out the above process. Preferred Features: The separating agent is hydrofluoric acid. The connection is an oxidic connection. The disk-shaped object is a product or support wafer.

公开(公告)号：DE10062016C2

公开(公告)日：2002-10-24

申请号：DE10062016

申请日：2000-12-13

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KROENER FRIEDRICH ,  FRIZA WOLFGANG

IPC: H01L21/266

公开(公告)号：DE10055763A1

公开(公告)日：2002-05-23

申请号：DE10055763

申请日：2000-11-10

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  FRAUNHOFER GES FORSCHUNG

Inventor： KROENER FRIEDRICH ,  FISCHER KATRIN ,  FREY LOTHAR

IPC: H01L21/58

Abstract: Production of a high temperature resistant joint between wafers comprises forming a liquid layer of alcohols and polymerized silicic acid molecules partially substituted by organic residues on a wafer; partially vaporizing the alcohols to form a semi-solid sticky layer; joining the two wafers; and heat treating at at least 300 deg C. Preferred Features: The liquid layer is formed by centrifuging a liquid film having a thickness of 10 microns . Both wafers are subjected to uniform pressure when joined, preferably at least 1000 Pa. One of the surfaces of the wafers is made from silicon nitride or silicon dioxide. The wafers are made from silicon carbide, polysilicon or ceramic.

公开(公告)号：DE102013112202B8

公开(公告)日：2022-01-13

申请号：DE102013112202

申请日：2013-11-06

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KROENER FRIEDRICH

IPC: B81B7/00 ,  G01N15/06 ,  G01N27/417

公开(公告)号：DE102013112202B4

公开(公告)日：2021-08-05

申请号：DE102013112202

申请日：2013-11-06

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KROENER FRIEDRICH

IPC: B81B7/00 ,  G01N15/06 ,  G01N27/417

Abstract: Sensoreinrichtung (100), die Folgendes umfasst:ein Halbleitersubstrat (110), das eine Mehrzahl von Kanälen (120) umfasst, wobei die Kanäle (120) einen Hohlraum (140) und eine Messelektrode (150) verbinden; undeine Gegenelektrode (160), die so angeordnet ist, dass sie in Kontakt mit dem Hohlraum (140) ist,wobei der Hohlraum (140), die Messelektrode (150) und die Gegenelektrode (160) so angeordnet sind, dass sie einen Flüssigkeitstropfen aufnehmen und das Anlegen einer Spannung an den Flüssigkeitstropfen ermöglichen, wobei das Halbleitersubstrat (110) eine elektrisch leitfähige Region umfasst, die von den Kanälen (120) isoliert ist, wobei die elektrisch leitfähige Region so konfiguriert ist, dass ein Steuerpotenzial an den Flüssigkeitstropfen gelegt wird, wenn sich diese Flüssigkeit im Hohlraum (140) befindet, wobei die elektrisch leitfähige Region durch eine dotierte Region gebildet wird.

公开(公告)号：DE102015114368A1

公开(公告)日：2016-03-03

申请号：DE102015114368

申请日：2015-08-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KROENER FRIEDRICH ,  KROENER ZELJKA

IPC: C02F9/04 ,  B01D21/01 ,  C01B33/00

Abstract: Ein Verfahren (100) zum Entfernen von partikelförmigem Silizium aus Abwasser gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann enthalten: Hinzufügen einer Base zum Abwasser, wobei eine Menge der hinzugefügten Base in Bezug auf eine basische Oxidationsreaktion einer Gesamtmenge von Silizium die im Abwasser enthalten ist, zu ortho-Kieselsäure oder ortho-Silikationen sub-stöchiometrisch ist (102); Halten eines erhaltenen Gemisches des Abwassers und der Base über einen Zeitraum in einem vorbestimmten Temperaturbereich, so dass sich ein Sediment bildet, das Silizium enthält (106); und Trennen des Sediments und des Abwassers voneinander (108).

公开(公告)号：DE102013108869A1

公开(公告)日：2014-02-27

申请号：DE102013108869

申请日：2013-08-16

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KROENER FRIEDRICH

IPC: C25D5/50 ,  C25D5/18 ,  C25D7/00

Abstract: Ein Verfahren (100) zum Verarbeiten mindestens einer Kohlenstofffaser gemäß einer Ausführungsform kann beinhalten: Elektroplattieren (102) einer Metallschicht über mindestens eine Kohlenstofffaser, wobei die Metallschicht ein Metall enthält, das eine gemeinsame Phase mit Kohlenstoff und eine gemeinsame Phase mit Kupfer bildet; und Ausglühen (104) der mindestens einen Kohlenstofffaser und der Metallschicht. Ein Verfahren zum Verarbeiten mindestens einer Kohlenstofffaser gemäß einer anderen Ausführungsform kann beinhalten: Elektroplattieren einer ersten Metallschicht über mindestens eine Kohlenstofffaser, wobei die erste Metallschicht ein Metall enthält, das eine gemeinsame Phase mit Kohlenstoff und eine gemeinsame Phase mit Nickel bildet; Elektroplattieren einer zweiten Metallschicht über die erste Metallschicht, wobei die zweite Metallschicht Nickel enthält; und Ausglühen der mindestens einen Kohlenstofffaser, der ersten Metallschicht und der zweiten Metallschicht.