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公开(公告)号：CN101188903B
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN200710186498.5
申请日：2007-11-22
Applicant: NEC东金株式会社
Abstract: 一种多层印刷电路板，包括主要由磁性材料组成的内磁性层。内磁性层可以通过化学键或范德华力的作用来形成。内磁性层可以包括多个磁性单元，每一个所述磁性单元提供磁力，以及可以通过使用强相互作用，将磁性单元彼此磁性地耦合，来形成所述内磁性层。内磁性层可以主要由铁氧体膜组成。可以通过化学浸镀方法将铁氧体膜直接形成于内导电层上。铁氧体膜可以主要由金属氧化物组成，其中金属成分由公式FeaNibZncCod来表示，其中：a+b+c+d＝3.0；2.1≤a≤2.7；0.1≤b≤0.3；0.1≤c≤0.7；以及0≤d≤0.15。
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公开(公告)号：CN100358402C
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN02828023.7
申请日：2002-11-11
Applicant: NEC东金株式会社
CPC classification number: H05K9/0083 , H01F1/0027 , H01F1/083 , H01F1/18 , H01F1/28 , H01F1/33 , H01P3/081
Abstract: 一种EMI应对部件，将在结合剂中分散了磁铁粉末的复合磁铁层配置于在有机结合剂中分散软磁性粉末而构成的复合磁性体层的至少一部分上。上述复合磁铁体层对上述复合磁性体层外加偏磁场。
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公开(公告)号：CN101055781A
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN200710085587.0
申请日：2007-03-12
Applicant: NEC东金株式会社
CPC classification number: C22C38/105 , C22C38/002
Abstract: 本发明公开了一种由氧化物金属组合物组成的铁氧体材料，所述金属组合物具有分子式为FeaNibZncCod，其中：a+b+c+d＝3.0；2.1≤a≤2.7；0≤b≤0.4；0≤c≤0.4；和0.1≤d≤0.5。由铁氧体材料制成的铁氧体薄膜。优选地，通过铁氧体电镀法形成具有厚度为30μm或以下和长宽比为30或更大的铁氧体薄膜。将所述铁氧体薄膜布置或提供在射频识别标签的天线导线附近。可以将所述铁氧体薄膜与所述天线导线直接接触。
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公开(公告)号：CN100336423C
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN01112477.6
申请日：2001-04-04
Applicant: NEC东金株式会社
CPC classification number: H05K3/244 , H05K1/0233
Abstract: 一种由磁性材料构成的线路板，包括绝缘基材、其上的导电体图案和具上的磁性薄膜。该磁性薄膜由用M-X-Y表示的磁性损耗材料构成，M是Fe，Co和Ni至少一个，X是除了M或Y外的至少一个元素，Y是F，N和O至少一个，为磁性损耗材料复数导磁率特征之虚部分量的损耗系数μ”的最大值μ”max存在于100MHz到10GHz的频率范围内，相对带宽bwr不大于200%或不小于150%，其中相对带宽bwr是通过提取在μ”为最大μ”max的50%处的两个频率间的一个频率带宽并标准化在其中心频率的频率带宽而获得的。
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公开(公告)号：CN1937219A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200610136213.2
申请日：2001-04-04
Applicant: NEC东金株式会社
IPC: H01L23/552
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 在半导体裸芯片(57)的前表面上形成集成电路，在半导体裸芯片的背侧表面上形成磁损耗薄膜55。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1930643B
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200580007538.4
申请日：2005-03-08
CPC classification number: H05K9/0083 , B82Y25/00 , H01F1/28 , H01F10/007 , H05K1/0233
Abstract: 电磁噪声抑制薄膜具有如下的结构，即由Fe、Co、或Ni各自的纯金属或至少含有20重量％的所述纯金属的合金组成的柱状结构体埋入作为氧化物、氮化物或氟化物或它们的混合物的无机物质的绝缘性母体中。
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公开(公告)号：CN100524732C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200610136213.2
申请日：2001-04-04
Applicant: NEC东金株式会社
IPC: H01L23/552
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 在半导体裸芯片(57)的前表面上形成集成电路，在半导体裸芯片的背侧表面上形成磁损耗薄膜55。
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公开(公告)号：CN101188903A
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200710186498.5
申请日：2007-11-22
Applicant: NEC东金株式会社
Abstract: 一种多层印刷电路板，包括主要由磁性材料组成的内磁性层。内磁性层可以通过化学键或范德华力的作用来形成。内磁性层可以包括多个磁性单元，每一个所述磁性单元提供磁力，以及可以通过使用强相互作用，将磁性单元彼此磁性地耦合，来形成所述内磁性层。内磁性层可以主要由铁氧体膜组成。可以通过化学浸镀方法将铁氧体膜直接形成于内导电层上。铁氧体膜可以主要由金属氧化物组成，其中金属成分由公式FeaNibZncCod来表示，其中：a+b+c+d＝3.0；2.1≤a≤2.7；0.1≤b≤0.3；0.1≤c≤0.7；以及0≤d≤0.15。
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公开(公告)号：CN1618264A
公开(公告)日：2005-05-18
申请号：CN02828023.7
申请日：2002-11-11
Applicant: NEC东金株式会社
CPC classification number: H05K9/0083 , H01F1/0027 , H01F1/083 , H01F1/18 , H01F1/28 , H01F1/33 , H01P3/081
Abstract: 一种EMI应对部件，将在结合剂中分散了磁铁粉末的复合磁铁层配置于在有机结合剂中分散软磁性粉末而构成的复合磁性体层的至少一部分上。上述复合磁铁体层对上述复合磁性体层外加偏磁场。
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公开(公告)号：CN102209997B
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN200980144535.3
申请日：2009-07-29
Applicant: NEC东金株式会社
CPC classification number: H01F41/24 , C23C18/00 , H01F10/20 , H01F10/265 , H01F41/14 , H05K9/0075 , Y10T428/24975 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明提供一种在基体上附着磁性膜而成的磁性膜附着体的制造方法。该制造方法具备：准备基体的工序和在基体上形成包含交替地层叠的有机物膜及铁氧体膜的磁性膜的工序。在该制造方法中，形成磁性膜的工序交替地进行利用铁氧体镀膜法形成具有20μm以下的膜厚的铁氧体膜的工序和形成有机物膜的工序，该有机物膜是具有0.1μm以上20μm以下的膜厚的有机物膜，该有机物膜的膜厚t与杨氏模量E的比t/E为0.025μm/GPa以上。
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