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    HALBLEITERLASERDIODE UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER HALBLEITERLASERDIODE
    11.
    发明申请
    HALBLEITERLASERDIODE UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER HALBLEITERLASERDIODE 审中-公开

    公开(公告)号：WO2020182406A1

    公开(公告)日：2020-09-17

    申请号：PCT/EP2020/053776

    申请日：2020-02-13

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： GERHARD, Sven ,  EICHLER, Christoph ,  LELL, Alfred ,  ALI, Muhammad

    IPC: H01S5/042 ,  H01S5/22 ,  H01S5/32 ,  H01S5/024 ,  H01S5/026 ,  H01S5/40 ,  H01S5/022 ,  H01S5/323 ,  H01S5/20

    Abstract: Es wird eine Halbleiterlaserdiode (100) angegeben, die eine in einer vertikalen Richtung aufgewachsene Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktiven Schicht (3), die dazu eingerichtet und vorgesehen ist, im Betrieb in zumindest einem sich in longitudinaler Richtung (93) erstreckenden aktiven Bereich (5) Licht (8) zu erzeugen, und eine transparente elektrisch leitende Abdeckschicht (4) auf der Halbleiterschichtenfolge aufweist, wobei die Halbleiterschichtenfolge in einer vertikalen Richtung (92) mit einer Oberseite (20) abschließt und die Oberseite einen in vertikaler Richtung über dem aktiven Bereich angeordneten Kontaktbereich (21) und zumindest einen in einer zur vertikalen und longitudinalen Richtung senkrechten lateralen Richtung (91) unmittelbar an den Kontaktbereich anschließenden Abdeckbereich (22) aufweist, die Abdeckschicht zusammenhängend auf der Oberseite auf dem Kontaktbereich und dem zumindest einen Abdeckbereich aufgebracht ist, die Abdeckschicht zumindest im zumindest einen Abdeckbereich unmittelbar auf der Oberseite der Halbleiterschichtenfolge aufgebracht ist und zumindest ein den zumindest einen aktiven Bereich definierendes Element (10) vorhanden ist, das von der Abdeckschicht überdeckt wird. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterlaserdiode angegeben.

    KANTENEMITTIERENDER LASERBARREN
    12.
    发明申请
    KANTENEMITTIERENDER LASERBARREN 审中-公开

    公开(公告)号：WO2019042827A1

    公开(公告)日：2019-03-07

    申请号：PCT/EP2018/072561

    申请日：2018-08-21

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： LELL, Alfred ,  ALI, Muhammad ,  STOJETZ, Bernhard ,  KÖNIG, Harald

    IPC: H01S5/024 ,  H01S5/042 ,  H01S5/22 ,  H01S5/323 ,  H01S5/40

    Abstract: Ein kantenemittierender Laserbarren (100) umfasst eine AlInGaN-basierte Halbleiterschichtenfolge (1) mit einer Kontaktseite (10) und einer aktiven Schicht (11) zur Erzeugung von Laserstrahlung. Ferner umfasst der Laserbarren mehrere, in einer lateralen Querrichtung nebeneinander und beabstandet voneinander angeordnete Einzelemitter (2), die im bestimmungsgemäßen Betrieb jeweils Laserstrahlung emittieren. Mehrere Kontaktelemente (20) sind in der lateralen Querrichtung nebeneinander und beabstandet voneinander auf der Kontaktseite angeordnet. Jedes Kontaktelement ist einem Einzelemitter zugeordnet. Jedes Kontaktelement ist über einen zusammenhängenden Kontaktbereich (12) der Kontaktseite elektrisch leitend an die Halbleiterschichtenfolge gekoppelt. Im Bereich zwischen zwei benachbarten Einzelemittern (2) umfasst der Laserbarren eine thermische Entkopplungsstruktur (3). Die Entkopplungsstruktur umfasst ein auf der Kontaktseite aufgebrachtes Kühlelement (30), das einen zusammenhängenden Kühlbereich (13) der Kontaktseite vollständig überdeckt. Das Kühlelement ist entlang des Kühlbereichs elektrisch von der Halbleiterschichtenfolge isoliert und entlang des Kühlbereichs thermisch an Halbleiterschichtenfolge gekoppelt. Der Kühlbereich weist eine Breite, gemessen entlang der lateralen Querrichtung auf, die zumindest halb so groß ist wie Breite eines benachbarten Kontaktbereichs.

    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERLASERS UND HALBLEITERLASER
    13.
    发明申请
    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERLASERS UND HALBLEITERLASER 审中-公开
    生产半导体激光器和半导体激光器的方法

    公开(公告)号：WO2018077954A1

    公开(公告)日：2018-05-03

    申请号：PCT/EP2017/077318

    申请日：2017-10-25

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： LELL, Alfred ,  BRÜDERL, Georg ,  BRÜCKNER, John ,  GERHARD, Sven ,  ALI, Muhammad ,  ADLHOCH, Thomas

    IPC: H01S5/042 ,  H01L21/268 ,  H01L21/44

    Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterlasers (100) angegeben, aufweisend die Schritte: - Bereitstellen eines Substrats (1) mit einer Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktiven Schicht (3), die dazu eingerichtet und vorgesehen ist, im Betrieb des Halbleiterlasers (100) Licht (8) zu erzeugen, - Aufbringen einer zusammenhängenden Kontaktschicht (11) mit zumindest einem ersten Teilbereich (12) und zumindest einem zweiten Teilbereich (13) auf einer der Halbleiterschichtenfolge (2) gegenüberliegenden Unterseite (10) des Substrats (1), - lokales Tempern der Kontaktschicht (11) nur im zumindest einen ersten Teilbereich (12), insbesondere mittels eines laserbasierten Bestrahlungsverfahrens. Weiterhin wird ein Halbleiterlaser (100) angegeben.

    Abstract translation:

    本发明提供了一种制造半导体激光器（100），包括以下步骤的方法： - 提供衬底（1），其具有半导体层序列（2）与活性层（3）中，设置和 提供（100）的半导体激光的操作期间，以产生（8）， - 在半导体层序列中的一个施加具有至少一个第一部分（12）和至少一个第二部分区域（13）一个zusammenh BEAR ngenden接触层（11）（2） 相对于基板（1）中，导航用途berliegenden下侧（10）， - 通过基于激光的照射方法的装置仅在至少一个第一部分（12）的接触层（11）的局部退火，尤其如此。 此外，给出半导体激光器（100）。

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