公开(公告)号：WO2018077954A1

公开(公告)日：2018-05-03

申请号：PCT/EP2017/077318

申请日：2017-10-25

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LELL, Alfred ,  BRÜDERL, Georg ,  BRÜCKNER, John ,  GERHARD, Sven ,  ALI, Muhammad ,  ADLHOCH, Thomas

IPC: H01S5/042 ,  H01L21/268 ,  H01L21/44

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterlasers (100) angegeben, aufweisend die Schritte: - Bereitstellen eines Substrats (1) mit einer Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktiven Schicht (3), die dazu eingerichtet und vorgesehen ist, im Betrieb des Halbleiterlasers (100) Licht (8) zu erzeugen, - Aufbringen einer zusammenhängenden Kontaktschicht (11) mit zumindest einem ersten Teilbereich (12) und zumindest einem zweiten Teilbereich (13) auf einer der Halbleiterschichtenfolge (2) gegenüberliegenden Unterseite (10) des Substrats (1), - lokales Tempern der Kontaktschicht (11) nur im zumindest einen ersten Teilbereich (12), insbesondere mittels eines laserbasierten Bestrahlungsverfahrens. Weiterhin wird ein Halbleiterlaser (100) angegeben.

Abstract translation:

本发明提供了一种制造半导体激光器（100），包括以下步骤的方法： - 提供衬底（1），其具有半导体层序列（2）与活性层（3）中，设置和 提供（100）的半导体激光的操作期间，以产生（8）， - 在半导体层序列中的一个施加具有至少一个第一部分（12）和至少一个第二部分区域（13）一个zusammenh BEAR ngenden接触层（11）（2） 相对于基板（1）中，导航用途berliegenden下侧（10）， - 通过基于激光的照射方法的装置仅在至少一个第一部分（12）的接触层（11）的局部退火，尤其如此。 此外，给出半导体激光器（100）。

公开(公告)号：WO2016037863A1

公开(公告)日：2016-03-17

申请号：PCT/EP2015/069698

申请日：2015-08-27

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GERHARD, Sven ,  ADLHOCH, Thomas ,  VEIT, Thomas ,  LELL, Alfred ,  PFEIFFER, Joachim ,  MUELLER, Jens ,  EICHLER, Christoph

IPC: H01S5/02 ,  H01S5/22

CPC classification number: H01S5/0202 ,  H01S5/0203 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2201

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines Laserchips (140) umfasst Schritte zum Bereitstellen einer Halbleiterscheibe (100) mit einer Oberseite (101) und einer Unterseite (102), wobei die Halbleiterscheibe eine Mehrzahl integrierter Laserdiodenstrukturen (141) aufweist, die entlang einer festgelegten Bruchrichtung (10) hintereinander angeordnet sind, zum Anlegen einer Mehrzahl von entlang der Bruchrichtung hintereinander angeordneten Vertiefungen (200) an der Oberseite der Halbleiterscheibe, wobei jede Vertiefung in Bruchrichtung aufeinander folgend eine vordere Begrenzungsfläche (210) und eine hintere Begrenzungsfläche (220) aufweist, wobei bei mindestens einer Vertiefung die hintere Begrenzungsfläche gegenüber der Oberseite der Halbleiterscheibe um einen Winkel zwischen 95° und 170° geneigt ist, und zum Brechen der Halbleiterscheibe in Bruchrichtung an einer senkrecht zur Oberseite der Halbleiterscheibe orientierten Bruchebene, die durch die Vertiefungen verläuft.

Abstract translation: 制造激光芯片（140）的方法，包括：提供具有顶部（101）和底部（102）的半导体晶片（100）的步骤，所述具有多个集成的激光二极管结构的（141）（沿着预定断裂方向10的半导体晶片 ）被布置成一个在另一个后面，对于在组分方向以下对半导体晶片的顶侧施加的多个沿依次布置的凹槽（200）的断裂方向，每个孔具有连续的前边界表面（210）和后边界表面（220），其中，至少 的凹部，所述后边界表面以一定角度倾斜，相对于半导体晶片的上表面95°和170°之间，且用于断开在断裂方向上的半导体晶片上的垂直于半导体晶片断裂面穿过孔的顶表面取向。

公开(公告)号：EP3192135A1

公开(公告)日：2017-07-19

申请号：EP15760121.2

申请日：2015-08-27

Applicant: OSRAM Opto Semiconductors GmbH

Inventor： GERHARD, Sven ,  ADLHOCH, Thomas ,  VEIT, Thomas ,  LELL, Alfred ,  PFEIFFER, Joachim ,  MUELLER, Jens ,  EICHLER, Christoph

IPC: H01S5/02 ,  H01S5/22

CPC classification number: H01S5/0202 ,  H01S5/0203 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2201

Abstract: The invention relates to a method for producing a laser chip (140) comprising steps for providing a semiconductor wafer (100) having a top side (101) and a bottom side (102), wherein the semiconductor wafer has a plurality of integrated laser diode structures (141), which are arranged one after the other along a defined fracture direction (10), for creating a plurality of recesses (200) on the top side of the semiconductor wafer, which recesses are arranged one after the other along the fracture direction, wherein each recess has a front boundary surface (210) and a rear boundary surface (220) following one another in the fracture direction, wherein the rear boundary surface is tilted by an angle between 95° and 170° in relation to the top side of the semiconductor wafer in the case of at least one recess, and for fracturing the semiconductor wafer in the fracture direction at a fracture plane that is oriented perpendicularly to the top side of the semiconductor wafer and that extends through the recesses.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造激光芯片（140）的方法，其包括用于提供具有顶侧（101）和底侧（102）的半导体晶片（100）的步骤，其中所述半导体晶片具有多个集成激光二极管 （141），其沿着限定的断裂方向（10）一个接一个地布置，用于在所述半导体晶片的顶侧上形成多个凹部（200），所述凹部沿着所述断裂一个接一个地布置 其中每个凹部具有在断裂方向上彼此接连的前边界表面（210）和后边界表面（220），其中后边界表面相对于顶部倾斜95°与170°之间的角度 在半导体晶片的至少一个凹部的情况下，在断裂方向上在垂直于半导体晶片的顶面定向的断裂面处断裂半导体晶片， 穿过凹处。