公开(公告)号：DE102017108199A1

公开(公告)日：2018-10-18

申请号：DE102017108199

申请日：2017-04-18

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： VIERHEILIG CLEMENS ,  KREUTER PHILIPP ,  HARTMANN RAINER ,  BINDER MICHAEL ,  MEYER TOBIAS

IPC: H01L33/36 ,  H01L33/00 ,  H01L33/14

Abstract: In einer Ausführungsform umfasst das optoelektronische Halbleiterbauteil (1) eine Halbleiterschichtenfolge (2), die eine aktive Zone (22) zur Erzeugung von Strahlung mittels Elektrolumineszenz umfasst. Eine elektrisch isolierende Passivierungsschicht (4) ist an Seitenflächen (25) der Halbleiterschichtenfolge (2) angebracht. Eine Randfelderzeugungsvorrichtung (5) befindet sich an den Seitenflächen (25) an einer der Halbleiterschichtenfolge (2) abgewandten Seite der Passivierungsschicht (4) sowie einer Raumladungszone (23), welche an die aktive Zone (22) angrenzt. Die Randfelderzeugungsvorrichtung (5) ist dazu eingerichtet, mindestens zeitweise in einem Randbereich der aktiven Zone (22) ein elektrisches Feld zu erzeugen, sodass im Betrieb ein Stromfluss durch die Halbleiterschichtenfolge (2) in dem Randbereich (23) steuerbar ist.

公开(公告)号：DE102012217681A1

公开(公告)日：2014-03-27

申请号：DE102012217681

申请日：2012-09-27

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GALLER BASTIAN ,  ZEISEL ROLAND ,  BINDER MICHAEL

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/10 ,  H01S5/34

Abstract: Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauteil (101), umfassend: – eine Halbleiterschichtenfolge (103) mit einer Mehrfach-Quantentopf-Struktur (105, 301), – wobei die Mehrfach-Quantentopf-Struktur (105, 301) einen ersten Quantentopf (107, 303) mit einer ersten Bandlückenenergie und – einen zweiten Quantentopf (109, 305) mit einer zweiten Bandlückenenergie aufweist, die größer ist als die erste Bandlückenenergie – wobei der erste Quantentopf (107, 303) und der zweite Quantentopf (109, 305) benachbart zu einander gebildet sind, – wobei eine Differenz zwischen der ersten und der zweiten Bandlückenenergie derart gewählt ist, dass mittels einer Anregung des ersten Quantentopfes (107, 303) gebildete Ladungsträger (319, 321) eine Energie aus einem Verlustprozeß, insbesondere einem Augerprozeß, nutzen können, um in den zweiten Quantentopf (109, 305) zu gelangen, um in dem zweiten Quantentopf (109, 305) strahlend zu rekombinieren. Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zum Betreiben des optoelektronischen Bauteils (101).