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    Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Betriebsverfahren für ein optoelektronisches Halbleiterbauteil
    2.
    发明专利
    Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Betriebsverfahren für ein optoelektronisches Halbleiterbauteil 未知

    公开(公告)号：DE112018002064B4

    公开(公告)日：2022-10-27

    申请号：DE112018002064

    申请日：2018-04-16

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： BINDER MICHAEL ,  VIERHEILIG CLEMENS ,  KREUTER PHILIPP ,  HARTMANN RAINER ,  MEYER TOBIAS

    IPC: H01L33/36 ,  H01L33/08 ,  H01L33/14 ,  H01L33/38 ,  H01L33/44

    Abstract: Optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) mit- einer Halbleiterschichtenfolge (2), die eine aktive Zone (22) zur Erzeugung von Strahlung mittels Elektrolumineszenz umfasst,- einer p-Elektrode (31) und einer n-Elektrode (32),- einer elektrisch isolierenden Passivierungsschicht (4) an Seitenflächen (25) der Halbleiterschichtenfolge (2), und- einer Randfelderzeugungsvorrichtung (5) an den Seitenflächen (25) an einer der Halbleiterschichtenfolge (2) abgewandten Seite der Passivierungsschicht (4) an der aktiven Zone (22), wobei die Randfelderzeugungsvorrichtung (5) dazu eingerichtet ist, mindestens zeitweise in einem Randbereich (52) der aktiven Zone (22) ein elektrisches Feld zu erzeugen, sodass im Betrieb ein Stromfluss durch die Halbleiterschichtenfolge (2) in dem Randbereich (52) steuerbar ist, wobei eines oder beide der folgenden Merkmale (i), (ii) erfüllt ist/sind:(i) eine der Elektroden (31, 32) erstreckt sich durch die aktive Zone (22) in Form von Zapfen hindurch und die Randfelderzeugungsvorrichtung (5) erstreckt sich um zumindest manche der Zapfen ringförmig, (ii) die Halbleiterschichtenfolge (2) ist zu Inseln pixeliert und die Randfelderzeugungsvorrichtung (5) erstreckt sich direkt um zumindest einige der Inseln.

    Optoelektronischer Halbleiterchip
    5.
    发明专利
    Optoelektronischer Halbleiterchip 未知

    公开(公告)号：DE102016112972A1

    公开(公告)日：2018-01-18

    申请号：DE102016112972

    申请日：2016-07-14

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： ZEISEL ROLAND ,  BINDER MICHAEL ,  EBBECKE JENS ,  MEYER TOBIAS

    IPC: H01L33/24 ,  H01L33/06 ,  H01L33/14 ,  H01L33/38

    Abstract: Die Erfindung betrifft einen optoelektronischen Halbleiterchip (1) mit einem Halbleiterkörper (10) umfassend eine erste Halbleiterstruktur (100), eine zweite Halbleiterstruktur (200) und einen aktiven Bereich (300) zwischen der ersten (100) und der zweiten Halbleiterstruktur (200), und eine Vielzahl von Aussparungen (500), die jeweils zumindest eine der Halbleiterstrukturen (100, 200) und den aktiven Bereich (300) durchdringen, wobei eine Deckfläche (300a) des aktiven Bereichs (300) eine zusammenhängende Fläche ist, und zumindest in manchen der Aussparungen (500), Oberflächen (500a) der Aussparungen (500), vollständig mit elektrisch isolierendem Material (5) bedeckt sind.

    6.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE102008035255A1

    公开(公告)日：2010-03-11

    申请号：DE102008035255

    申请日：2008-07-29

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： BINDER MICHAEL ,  LINKOV ALEXANDER ,  ZEILER THOMAS ,  BRICK PETER

    IPC: H01L33/54 ,  H01L33/56 ,  H01L33/58 ,  H05B33/00

    Abstract: An optoelectronic semiconductor component comprising a connection carrier with a mounting face and an electrically insulating base member. An optoelectronic semiconductor chip is arranged on the mounting face of the connection carrier. A radiation-transmissive body having four side faces is provided. The radiation-transmissive body surrounds the semiconductor chip in such a way that the radiation-transmissive body envelops outer faces of the optoelectronic semiconductor chip not facing the connection carrier in form-fitting manner. The radiation-transmissive body comprises at least one side face which extends at least in places at an angle of between 60° and 70° to the mounting face. The base member has a thickness which amounts to at most 250 μm.

    Konversionselement und strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit einem solchen Konversionselement
    7.
    发明专利
    Konversionselement und strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit einem solchen Konversionselement 未知

    公开(公告)号：DE102016101442B4

    公开(公告)日：2025-03-13

    申请号：DE102016101442

    申请日：2016-01-27

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： LÖFFLER ANDREAS ,  BAUER ADAM ,  PETER MATTHIAS ,  BINDER MICHAEL

    IPC: H10H20/851 ,  H10H20/82

    Abstract: Konversionselement (1) mit- einem aktiven Bereich (13), der mit einem Halbleitermaterial gebildet ist und eine Vielzahl von Barrieren (131) und Quantentrögen (132) umfasst,- einer Vielzahl erster Strukturelemente (14), die an einer Oberseite (1a) des Konversionselements (1) angeordnet sind, und- einer Vielzahl zweiter Strukturelemente (15) und/oder dritter Strukturelemente (16), die an einer der Vielzahl erster Strukturelemente (14) abgewandten Seite des aktiven Bereichs (13) angeordnet sind, wobei- die Vielzahl erster Strukturelemente (14) im aktiven Bereich (13) ausgebildet ist,- das Konversionselement (1) frei von elektrischen Anschlüssen ist, und- ein Durchmesser der ersten Strukturelemente (14) kleiner ist als ein Durchmesser der zweiten (15) und/oder dritten (16) Strukturelemente.

    Verfahren zum Betreiben einer Leuchtdiodenanordnung, Verfahren zum Charakterisieren einer Leuchtdiode und Leuchtdiodenanordnung
    8.
    发明专利
    Verfahren zum Betreiben einer Leuchtdiodenanordnung, Verfahren zum Charakterisieren einer Leuchtdiode und Leuchtdiodenanordnung 未知

    公开(公告)号：DE102019115817B4

    公开(公告)日：2025-05-15

    申请号：DE102019115817

    申请日：2019-06-11

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： BINDER MICHAEL ,  SPECHT HOLGER ,  TAUER MAXIMILIAN

    IPC: H05B47/14 ,  H05B45/10 ,  H05B45/50

    Abstract: Verfahren zum Betreiben einer Leuchtdiodenanordnung (1) mit zumindest einer Leuchtdiode (2) mit den Schritten:a) Bestimmung von zumindest einem aktuellen Strom-Spannungs-Wertepaar;b) Abgleichen des aktuellen Strom-Spannungs-Wertepaars mit einem ursprünglichen Strom-Spannungs-Wertepaar; undc) Ermitteln einer aktualisierten Bestromung anhand des Abgleichs und Ansteuern der Leuchtdiode mit der aktualisierten Bestromung; wobei anhand einer Abweichung zwischen dem aktuellen Strom-Spannungs-Wertepaar und dem ursprünglichen Strom-Spannungs-Wertepaar eine aktualisierte Effizienz der Leuchtdiode für verschiedene Dimmstufen ermittelt wird, wobei für die Ermittlung der aktualisierten Effizienz der Leuchtdiode ein Ersatzschaltbild (5) zugrunde gelegt wird, bei dem eine ideale strahlende Diode (DR) von einer parasitären nichtstrahlenden Diode (DNR) mit einem Vorwiderstand (RP) überbrückt ist.

    BAUTEIL, BAUTEILVERBUND UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES BAUTEILS ODER BAUTEILVERBUNDS
    9.
    发明专利
    BAUTEIL, BAUTEILVERBUND UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES BAUTEILS ODER BAUTEILVERBUNDS 未知

    公开(公告)号：DE102018110344A1

    公开(公告)日：2019-10-31

    申请号：DE102018110344

    申请日：2018-04-30

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： HARTMANN RAINER ,  VIERHEILIG CLEMENS ,  MEYER TOBIAS ,  RÜCKERL ANDREAS ,  SCHIMPKE TILMAN ,  BINDER MICHAEL

    IPC: H01L33/02 ,  H01L21/205

    Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von optoelektronischen Bauteilen (10) oder eines Bauteilverbunds (100) aus einer Mehrzahl von optoelektronischen Bauteilen angegeben, bei dem ein Aufwachsubstrat (1) mit einer darauf angeordneten Pufferschicht (3) bereitgestellt wird. Die Pufferschicht wird derart strukturiert, dass diese eine Mehrzahl von Öffnungen (30) aufweist, die in lateralen Richtungen voneinander räumlich beabstandet sind. Es wird eine Mehrzahl von Halbleiterkörpern in den Öffnungen ausgebildet, wobei die Pufferschicht in den Bereichen der Öffnungen Teilregionen (31) aufweist, die in einer vertikalen Richtung zwischen dem Aufwachssubstrat und den Halbleiterkörpern angeordnet sind. Das Aufwachssubstrat wird von den Halbleiterkörpern abgelöst. Die Pufferschicht wird zumindest in den Bereichen der Teilregionen entfernt. Des Weiteren wird ein Bauteil oder ein Bauteilverbund aus einer Mehrzahl von Bauteilen angegeben, wobei das Bauteil oder der Bauteilverbund durch ein solches Verfahren herstellbar ist.

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