公开(公告)号：DE102018110344A1

公开(公告)日：2019-10-31

申请号：DE102018110344

申请日：2018-04-30

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HARTMANN RAINER ,  VIERHEILIG CLEMENS ,  MEYER TOBIAS ,  RÜCKERL ANDREAS ,  SCHIMPKE TILMAN ,  BINDER MICHAEL

IPC: H01L33/02 ,  H01L21/205

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von optoelektronischen Bauteilen (10) oder eines Bauteilverbunds (100) aus einer Mehrzahl von optoelektronischen Bauteilen angegeben, bei dem ein Aufwachsubstrat (1) mit einer darauf angeordneten Pufferschicht (3) bereitgestellt wird. Die Pufferschicht wird derart strukturiert, dass diese eine Mehrzahl von Öffnungen (30) aufweist, die in lateralen Richtungen voneinander räumlich beabstandet sind. Es wird eine Mehrzahl von Halbleiterkörpern in den Öffnungen ausgebildet, wobei die Pufferschicht in den Bereichen der Öffnungen Teilregionen (31) aufweist, die in einer vertikalen Richtung zwischen dem Aufwachssubstrat und den Halbleiterkörpern angeordnet sind. Das Aufwachssubstrat wird von den Halbleiterkörpern abgelöst. Die Pufferschicht wird zumindest in den Bereichen der Teilregionen entfernt. Des Weiteren wird ein Bauteil oder ein Bauteilverbund aus einer Mehrzahl von Bauteilen angegeben, wobei das Bauteil oder der Bauteilverbund durch ein solches Verfahren herstellbar ist.

公开(公告)号：DE102017124585A1

公开(公告)日：2019-04-25

申请号：DE102017124585

申请日：2017-10-20

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： RÜCKERL ANDREAS ,  HARTMANN RAINER

IPC: H01L33/20 ,  H01L33/16

Abstract: Es wird ein Halbleiterkörper (2) basierend auf einem III-V-Verbindungshalbleitermaterial mit einer hexagonal-wurtzitischen Kristallstruktur angegeben, der eine erste Halbleiterschicht (21), eine zweite Halbleiterschicht (22) und eine dazwischenliegende aktive Zone (23) aufweist. Der Halbleiterkörper umfasst einen ersten Teilkörper (2U) und einen zweiten Teilkörper (2D), wobei der erste Teilkörper die erste Halbleiterschicht, die aktive Zone und zumindest eine Teilschicht (22U) der zweiten Halbleiterschicht aufweist und der zweite Teilkörper eine weitere Teilschicht (22D) der zweiten Halbleiterschicht aufweist. Der erste Teilkörper und der zweite Teilkörper weisen unterschiedlich große laterale Querschnitte auf, wobei der erste Teilkörper zumindest eine vertikale Seitenfläche (2US) aufweist, die parallel zu einer m-Fläche oder parallel zu einer a-Fläche der hexagonal-wurtzitischen Kristallstruktur des III-V-Verbindungshalbleitermaterials verläuft.Des Weiteren werden ein Halbleiterchip (10) mit einem solchen Halbleiterkörper und ein Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl solcher Halbleiterkörper oder einer Mehrzahl solcher Halbleiterchips angegeben.

公开(公告)号：DE102017108199A1

公开(公告)日：2018-10-18

申请号：DE102017108199

申请日：2017-04-18

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： VIERHEILIG CLEMENS ,  KREUTER PHILIPP ,  HARTMANN RAINER ,  BINDER MICHAEL ,  MEYER TOBIAS

IPC: H01L33/36 ,  H01L33/00 ,  H01L33/14

Abstract: In einer Ausführungsform umfasst das optoelektronische Halbleiterbauteil (1) eine Halbleiterschichtenfolge (2), die eine aktive Zone (22) zur Erzeugung von Strahlung mittels Elektrolumineszenz umfasst. Eine elektrisch isolierende Passivierungsschicht (4) ist an Seitenflächen (25) der Halbleiterschichtenfolge (2) angebracht. Eine Randfelderzeugungsvorrichtung (5) befindet sich an den Seitenflächen (25) an einer der Halbleiterschichtenfolge (2) abgewandten Seite der Passivierungsschicht (4) sowie einer Raumladungszone (23), welche an die aktive Zone (22) angrenzt. Die Randfelderzeugungsvorrichtung (5) ist dazu eingerichtet, mindestens zeitweise in einem Randbereich der aktiven Zone (22) ein elektrisches Feld zu erzeugen, sodass im Betrieb ein Stromfluss durch die Halbleiterschichtenfolge (2) in dem Randbereich (23) steuerbar ist.

公开(公告)号：DE112018002064B4

公开(公告)日：2022-10-27

申请号：DE112018002064

申请日：2018-04-16

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BINDER MICHAEL ,  VIERHEILIG CLEMENS ,  KREUTER PHILIPP ,  HARTMANN RAINER ,  MEYER TOBIAS

IPC: H01L33/36 ,  H01L33/08 ,  H01L33/14 ,  H01L33/38 ,  H01L33/44

Abstract: Optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) mit- einer Halbleiterschichtenfolge (2), die eine aktive Zone (22) zur Erzeugung von Strahlung mittels Elektrolumineszenz umfasst,- einer p-Elektrode (31) und einer n-Elektrode (32),- einer elektrisch isolierenden Passivierungsschicht (4) an Seitenflächen (25) der Halbleiterschichtenfolge (2), und- einer Randfelderzeugungsvorrichtung (5) an den Seitenflächen (25) an einer der Halbleiterschichtenfolge (2) abgewandten Seite der Passivierungsschicht (4) an der aktiven Zone (22), wobei die Randfelderzeugungsvorrichtung (5) dazu eingerichtet ist, mindestens zeitweise in einem Randbereich (52) der aktiven Zone (22) ein elektrisches Feld zu erzeugen, sodass im Betrieb ein Stromfluss durch die Halbleiterschichtenfolge (2) in dem Randbereich (52) steuerbar ist, wobei eines oder beide der folgenden Merkmale (i), (ii) erfüllt ist/sind:(i) eine der Elektroden (31, 32) erstreckt sich durch die aktive Zone (22) in Form von Zapfen hindurch und die Randfelderzeugungsvorrichtung (5) erstreckt sich um zumindest manche der Zapfen ringförmig, (ii) die Halbleiterschichtenfolge (2) ist zu Inseln pixeliert und die Randfelderzeugungsvorrichtung (5) erstreckt sich direkt um zumindest einige der Inseln.

公开(公告)号：DE112020005645A5

公开(公告)日：2022-09-01

申请号：DE112020005645

申请日：2020-11-03

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BINDER MICHAEL ,  RÜCKERL ANDREAS ,  ZEISEL ROLAND ,  MEYER TOBIAS ,  NEVELING KERSTIN ,  RAFAEL CHRISTINE ,  RICHTER MOSES ,  HARTMANN RAINER ,  VIERHEILIG CLEMENS

IPC: H01L33/14 ,  H01L33/08 ,  H01L33/44

公开(公告)号：DE112018002064A5

公开(公告)日：2020-01-02

申请号：DE112018002064

申请日：2018-04-16

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： VIERHEILIG CLEMENS ,  KREUTER PHILIPP ,  HARTMANN RAINER ,  BINDER MICHAEL ,  MEYER TOBIAS

IPC: H01L33/36 ,  H01L33/00 ,  H01L33/08 ,  H01L33/14 ,  H01L33/38 ,  H01L33/44

公开(公告)号：DE102015116495B4

公开(公告)日：2025-04-30

申请号：DE102015116495

申请日：2015-09-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HARTMANN RAINER ,  MANDL MARTIN ,  KATZ SIMEON ,  RÜCKERL ANDREAS

IPC: H10H20/00 ,  H10H20/824 ,  H10H20/83 ,  H10H20/84

Abstract: Optoelektronischer Halbleiterchip (1), der einen Träger (5) und einen auf dem Träger (5) angeordneten Halbleiterkörper (2) mit einer Halbleiterschichtenfolge, sowie eine Chipvorderseite und eine Chiprückseite aufweist, wobei- die Halbleiterschichtenfolge einen aktiven Bereich (20) umfasst, der zwischen einer ersten Halbleiterschicht (21) und einer zweiten Halbleiterschicht (22) angeordnet ist und zur Erzeugung oder zum Empfangen von elektromagnetischer Strahlung vorgesehen ist,- die erste Halbleiterschicht (21) elektrisch leitend mit einem ersten Kontakt (41) verbunden ist,- der erste Kontakt (41) auf der Chipvorderseite, insbesondere neben dem aktiven Bereich (20), ausgebildet ist,- die zweite Halbleiterschicht (22) elektrisch leitend mit einem zweiten Kontakt (42) verbunden ist,- der zweite Kontakt (42) ebenfalls auf der Chipvorderseite, insbesondere neben dem aktiven Bereich (20), ausgebildet ist und- der optoelektronische Halbleiterchip eine elektrisch isolierende Trennschicht (6) umfasst, die die Chiprückseite von dem aktiven Bereich (2) des Halbleiterchips elektrisch isoliert, wobei die elektrisch isolierende Trennschicht (6) zumindest eine erste Trennschicht (61) umfasst, die wenigstens eine Atomlagenschicht oder zumindest eine Moleküllagenschicht aufweist, und- die elektrisch isolierende Trennschicht (6) eine zweite Trennschicht (62) und eine dritte Trennschicht (63) aufweist, und- die erste Trennschicht (61) Pinholes und Risse in der zweiten Trennschicht (62) verschließt oder füllt.

公开(公告)号：DE102013113191A1

公开(公告)日：2015-05-28

申请号：DE102013113191

申请日：2013-11-28

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： WALTHER SABINE ,  HARTMANN RAINER ,  HERZ MARTIN ,  HUBER MICHAEL

IPC: H01L21/31 ,  G03F7/00 ,  H01L21/28 ,  H01L33/44

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung optoelektronischer Bauelemente für die Kapselung von Schichten angegeben. Dazu wird ein Träger (1) mit einer Trägerhauptseite (10) bereitgestellt. Auf die Trägerhauptseite (10) des Trägers (1) wird eine Maske (2) aufgebracht. Die Maske (2) weist eine erste Maskenschicht (21) und eine zweite Maskenschicht (22) auf. Ferner weist die Maske (2) zumindest einen Durchbruch (200) auf, der die Maske (2) in Richtung senkrecht zur Trägerhauptseite (10) vollständig durchdringt. Des Weiteren weist die erste Maskenschicht (21) im Bereich des Durchbruchs (200) zumindest einen Unterschnitt (201) bezüglich der zweiten Maskenschicht (22) auf. Nach dem Aufbringen der Maske (2) auf den Träger (1) wird ein Funktionsmaterial (4) so abgeschieden, dass im Bereich des Durchbruchs (200) zumindest eine auf der Trägerhauptseite (10) angeordnete Materialstruktur (41) entsteht. Anschließend wird eine Kapselschicht (5) auf zumindest der Materialstruktur (41) abgeschieden. Die Kapselschicht (5) wird derart abgeschieden, dass vor dem Aufbringen der Kapselschicht (5) freiliegende Seiten der Materialstruktur (41) vollständig mit der Kapselschicht (5) bedeckt werden. In einem weiteren Schritt wird die Maske (2) nach dem Aufbringen der Kapselschicht (5) entfernt.

公开(公告)号：DE102015116495A1

公开(公告)日：2017-03-30

申请号：DE102015116495

申请日：2015-09-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HARTMANN RAINER ,  MANDL MARTIN ,  KATZ SIMEON ,  RÜCKERL ANDREAS

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/30 ,  H01L33/44

Abstract: Ein optoelektronischer Halbleiterchip (1), insbesondere in der Form eines Dünnfilmchips, umfasst einen Träger (5), sowie eine Chipvorderseite und Chiprückseite und einen auf dem Träger (5) angeordneten Halbleiterkörper (2) mit einer Halbleiterschichtenfolge. Die Halbleiterschichtenfolge umfasst einen aktiven Bereich (20), der zwischen einer ersten Halbleiterschicht (21) und einer zweiten Halbleiterschicht (22) angeordnet ist. Dieser dient zur Erzeugung oder zum Empfangen von elektromagnetischer Strahlung. Die erste Halbleiterschicht (21) ist elektrisch leitend mit einem ersten Kontakt (41) verbunden, wobei der erste Kontakt (41) an der Chipvorderseite, insbesondere neben dem Halbleiterkörper (2), ausgebildet ist. Die zweite Halbleiterschicht (22) ist elektrisch leitend mit einem zweiten Kontakt (42) verbunden und der zweite Kontakt (42) ist an der Chipvorderseite, insbesondere neben dem Halbleiterkörper (2), ausgebildet. Eine elektrisch isolierende Trennschicht (6) ist zwischen elektrischer Anschlussschicht und Träger (5), im Träger oder auf der Rückseite des Trägers ausgebildet.

公开(公告)号：DE102013100818A1

公开(公告)日：2014-07-31

申请号：DE102013100818

申请日：2013-01-28

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： EIBL JOHANN ,  TAEGER SEBASTIAN ,  HÖPPEL LUTZ ,  ENGL KARL ,  RAMMELSBERGER STEFANIE ,  MAUTE MARKUS ,  HUBER MICHAEL ,  HARTMANN RAINER ,  HARTUNG GEORG

IPC: H01L33/44 ,  H01L33/46 ,  H01L33/62

Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip angegeben, mit – einem Halbleiterkörper (40), der einen zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (42) umfasst, – eine erste Spiegelschicht (21), die zur Reflexion der elektromagnetischen Strahlung vorgesehen ist, – einer ersten Verkapselungsschicht (31), die mit einem elektrisch isolierenden Material gebildet ist, und – einem Träger (10), der dazu vorgesehen ist, die erste Verkapselungsschicht (31), die erste Spiegelschicht (21) und den Halbleiterkörper (40) mechanisch zu stützen, wobei – die erste Spiegelschicht (21) zwischen dem Träger (10) und dem Halbleiterkörper (40) angeordnet ist, – die erste Verkapselungsschicht (31) zwischen dem Träger (10) und der ersten Spiegelschicht (21) angeordnet ist, und – die erste Verkapselungsschicht (31) eine ALD-Schicht ist.