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    LASER DIODE DEVICE
    1.
    发明申请
    LASER DIODE DEVICE 审中-公开
    二极管器件

    公开(公告)号：WO2013152909A3

    公开(公告)日：2013-12-19

    申请号：PCT/EP2013054890

    申请日：2013-03-11

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： STRAUSS UWE ,  TAUTZ SOENKE ,  LELL ALFRED ,  VIERHEILIG CLEMENS

    IPC: H01S5/022 ,  H01S5/024 ,  H01S5/323

    CPC classification number: H01S5/022 ,  H01S5/02212 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/02461 ,  H01S5/02469 ,  H01S5/0262 ,  H01S5/32341 ,  H01S2301/176

    Abstract: The invention relates to a laser diode device, which has a housing (1) with a mounting part (11) and a laser diode chip (2), which is based on a nitride compound semi-conductor material, in the housing (1) on the mounting part (11), wherein the laser diode chip (2) is mounted directly on the mounting part (11) by means of a solder layer (3) and the solder layer (3) has a thickness of greater than or equal to 3 mum.

    Abstract translation: 提供了一种具有（1）具有安装部（11）的壳体的激光二极管器件，（2）在所述安装构件（11），其中，所述激光二极管芯片上的壳体（1）（2）使用基于氮化物的化合物半导体材料的激光二极管芯片上 的焊料层（3）直接在所述安装部分（11）被安装时，与焊料层（3）的厚度为大于或等于3的妈妈。

    Laserdiodenvorrichtung
    3.
    发明专利
    Laserdiodenvorrichtung 未知

    公开(公告)号：DE102012102305A1

    公开(公告)日：2013-09-19

    申请号：DE102012102305

    申请日：2012-03-19

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： LELL ALFRED ,  TAUTZ SOENKE ,  STRAUSS UWE ,  VIERHEILIG CLEMENS

    IPC: H01S5/022 ,  H01S5/024 ,  H01S5/028

    Abstract: Es wird eine Laserdiodenvorrichtung, die ein Gehäuse (1) mit einem Gehäuseteil (10) und mit einem mit dem Gehäuseteil (10) verbundenen Montageteil (11), das sich entlang einer Erstreckungsrichtung (110) vom Gehäuseteil (10) wegerstreckt, und einen Laserdiodenchip (2) auf dem Montageteil (11) aufweist, der auf einem Substrat (20) Halbleiterschichten (21, 22, 23, 24) mit einer aktiven Schicht (23) zur Abstrahlung von Licht aufweist, wobei das Gehäuseteil (10) und das Montageteil (11) einen Grundkörper aus Kupfer aufweisen und zumindest das Gehäuseteil (10) stahlummantelt ist, zwischen dem Laserdiodenchip (2) und dem Montageteil (11) eine erste Lotschicht (3) angeordnet ist, die eine Dicke von größer oder gleich 2 µm aufweist, und der Laserdiodenchip (2) eine Strahlungsauskoppelfläche (27) aufweist, auf der eine kristalline Schutzschicht (6) aufgebracht ist.

    Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Betriebsverfahren für ein optoelektronisches Halbleiterbauteil
    4.
    发明专利
    Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Betriebsverfahren für ein optoelektronisches Halbleiterbauteil 未知

    公开(公告)号：DE112018002064B4

    公开(公告)日：2022-10-27

    申请号：DE112018002064

    申请日：2018-04-16

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： BINDER MICHAEL ,  VIERHEILIG CLEMENS ,  KREUTER PHILIPP ,  HARTMANN RAINER ,  MEYER TOBIAS

    IPC: H01L33/36 ,  H01L33/08 ,  H01L33/14 ,  H01L33/38 ,  H01L33/44

    Abstract: Optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) mit- einer Halbleiterschichtenfolge (2), die eine aktive Zone (22) zur Erzeugung von Strahlung mittels Elektrolumineszenz umfasst,- einer p-Elektrode (31) und einer n-Elektrode (32),- einer elektrisch isolierenden Passivierungsschicht (4) an Seitenflächen (25) der Halbleiterschichtenfolge (2), und- einer Randfelderzeugungsvorrichtung (5) an den Seitenflächen (25) an einer der Halbleiterschichtenfolge (2) abgewandten Seite der Passivierungsschicht (4) an der aktiven Zone (22), wobei die Randfelderzeugungsvorrichtung (5) dazu eingerichtet ist, mindestens zeitweise in einem Randbereich (52) der aktiven Zone (22) ein elektrisches Feld zu erzeugen, sodass im Betrieb ein Stromfluss durch die Halbleiterschichtenfolge (2) in dem Randbereich (52) steuerbar ist, wobei eines oder beide der folgenden Merkmale (i), (ii) erfüllt ist/sind:(i) eine der Elektroden (31, 32) erstreckt sich durch die aktive Zone (22) in Form von Zapfen hindurch und die Randfelderzeugungsvorrichtung (5) erstreckt sich um zumindest manche der Zapfen ringförmig, (ii) die Halbleiterschichtenfolge (2) ist zu Inseln pixeliert und die Randfelderzeugungsvorrichtung (5) erstreckt sich direkt um zumindest einige der Inseln.

    Multipixelchip und Verfahren zur Herstellung eines Multipixelchips
    7.
    发明专利
    Multipixelchip und Verfahren zur Herstellung eines Multipixelchips 未知

    公开(公告)号：DE102018105786A1

    公开(公告)日：2019-09-19

    申请号：DE102018105786

    申请日：2018-03-13

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： VIERHEILIG CLEMENS ,  MEYER TOBIAS ,  SCHOLZ DOMINIK

    IPC: H01L27/15 ,  H01L33/08 ,  H01L33/20

    Abstract: In einer Ausführungsform umfasst der optoelektronische Multipixelchip (1) eine Vielzahl von elektrisch einzeln ansteuerbaren Pixeln (3) zur Erzeugung und Abstrahlung von Licht. Ein erster Halbleiterbereich (21) erstreckt sich durchgehend über die Pixel (3). Ein zweiter Halbleiterbereich (22) ist zu den Pixeln (3) strukturiert. Eine aktive Zone (23) zur Erzeugung des Lichts befindet sich zwischen dem ersten und dem zweiten Halbleiterbereich (21, 22). Ein erster Kontakt (41) ist zur elektrischen Kontaktierung des ersten Halbleiterbereichs (21) vorgesehen und ein zweiter Kontakt (42) zur elektrischen Kontaktierung des zweiten Halbleiterbereichs (42). Die aktive Zone (23) ist nur in Richtung parallel zu einer Emissionsseite (10) des Multipixelchips (1) zur Erzeugung des Lichts eingerichtet. Der erste Halbleiterbereich (21) ist pro Pixel (3) im Querschnitt gesehen pilzförmig gestaltet.

    HALBLEITERLASER
    9.
    发明专利
    HALBLEITERLASER 未知

    公开(公告)号：DE102016106495A1

    公开(公告)日：2017-10-12

    申请号：DE102016106495

    申请日：2016-04-08

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： VIERHEILIG CLEMENS ,  LELL ALFRED ,  GERHARD SVEN ,  LÖFFLER ANDREAS

    IPC: H01S5/20

    Abstract: Die Erfindung betrifft einen Halbleiterlaser mit einer Schichtstruktur mit einer aktiven Zone, wobei die aktive Zone ausgebildet ist, um eine elektromagnetische Strahlung zu erzeugen, wobei die Schichtstruktur eine Abfolge von Schichten aufweist, wobei in einer Z-Richtung zwei gegenüber liegende Endflächen vorgesehen sind, wobei wenigstens eine Endfläche ausgebildet ist, um die elektromagnetische Strahlung wenigstens teilweise auszukoppeln, und wobei die zweite Endfläche ausgebildet ist, um die elektromagnetische Strahlung wenigstens teilweise zu reflektieren, wobei Führungsmittel zum Ausbilden einer optischen Mode in einem Modenraum zwischen den Endflächen vorgesehen sind, wobei Mittel außerhalb des Modenraumes vorgesehen sind, die eine Ausbildung einer optischen Mode außerhalb des Modenraumes, insbesondere Moden mit einer Ausbreitungsrichtung, die nicht senkrecht zu den Endflächen (14, 15) verlaufen, erschweren.

    LASERBARREN MIT GRÄBEN
    10.
    发明专利
    LASERBARREN MIT GRÄBEN 未知

    公开(公告)号：DE102016103358A1

    公开(公告)日：2017-08-31

    申请号：DE102016103358

    申请日：2016-02-25

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： LOEFFLER ANDREAS ,  VIERHEILIG CLEMENS ,  GERHARD SVEN

    IPC: H01S5/22 ,  H01S5/024

    Abstract: Die Erfindung betrifft einen Laserbarren (1) mit einer Halbleiterschicht (11) mit mehreren Schichten und mit einer aktiven Zone (15), wobei die aktive Zone (15) in einer x-y-Ebene angeordnet ist, wobei Laserdioden (12) jeweils in einer x-Richtung zwischen zwei Endflächen einen Modenraum (4) ausbilden, wobei die Modenräume (4) der Laserdioden (12) nebeneinander in der y-Richtung angeordnet sind, wobei zwischen zwei Modenräumen (4) ein Graben (3) in der Halbleiterschicht (11) vorgesehen ist, wobei sich die Gräben (3) in der x-Richtung erstrecken, und wobei sich die Gräben (3) von einer Oberseite der Halbleiterschicht (11) in der z-Richtung bis in die aktive Zone (15) erstrecken.

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