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    STRAHLUNGEMITTIERENDER HALBLEITERCHIP MIT SCHUTZ GEGEN ELEKTROSTATISCHE ENTLADUNGEN UND ENTSPRECHENDES HERSTELLUNGSVERFAHREN
    13.
    发明申请
    STRAHLUNGEMITTIERENDER HALBLEITERCHIP MIT SCHUTZ GEGEN ELEKTROSTATISCHE ENTLADUNGEN UND ENTSPRECHENDES HERSTELLUNGSVERFAHREN 审中-公开
    具有防止电气放电及对应的方法STRAHLUNGEMITTIERENDER半导体芯片

    公开(公告)号：WO2010009690A1

    公开(公告)日：2010-01-28

    申请号：PCT/DE2009/000885

    申请日：2009-06-25

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  ENGL, Karl ,  HAHN, Berthold ,  STREUBEL, Klaus ,  KLEIN, Markus

    Inventor： ENGL, Karl ,  HAHN, Berthold ,  STREUBEL, Klaus ,  KLEIN, Markus

    IPC: H01L27/15 ,  H01L33/40

    CPC classification number: H01L27/15 ,  H01L33/382 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    Abstract: Es wird ein strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) angegeben, der einen Träger (5) und einen Halbleiterkörper (2) mit einer Halbleiterschichtenfolge aufweist. Die Halbleiterschichtenfolge weist einen zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20), eine erste Halbleiterschicht (21) und eine zweite Halbleiterschicht (22) auf. Der aktive Bereich ist zwischen der ersten Halbleiterschicht und der zweiten Halbleiterschicht angeordnet. Die erste Halbleiterschicht ist auf der dem Träger abgewandten Seite des aktiven Bereichs angeordnet. Der Halbleiterkörper weist zumindest eine Ausnehmung (25) auf, die sich durch den aktiven Bereich hindurcherstreckt. Die erste Halbleiterschicht ist elektrisch leitend mit einer ersten Anschlussschicht (31) verbunden, wobei sich die erste Anschlussschicht in der Ausnehmung von der ersten Halbleiterschicht in Richtung des Trägers erstreckt. Die erste Anschlussschicht ist mit der zweiten Halbleiterschicht über eine Schutzdiode (4) elektrisch verbunden. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips angegeben.

    Abstract translation: 提供了一种具有一个支撑件（5）和（2），其具有半导体层序列的半导体主体中的发射辐射的半导体芯片（1）。 半导体层序列具有提供用于产生辐射激活区（20），第一半导体层（21）和第二半导体层（22）。 所述有源区设置在第一半导体层和第二半导体层之间。 所述第一半导体层被设置在有源区的碱基远程侧。 半导体本体具有至少一个凹部（25）延伸穿过所述活性区域。 第一半导体层导电地连接至第一连接层（31），其中，在从在所述载体的方向上的第一半导体层延伸的凹部中的第一连接层。 第一连接层是通过保护二极管（4）电连接到所述第二半导体层。 此外，被指定用于制造发射辐射的半导体芯片的方法。

    DÜNNSCHICHT-LEUCHTDIODENCHIP UND VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG
    18.
    发明申请
    DÜNNSCHICHT-LEUCHTDIODENCHIP UND VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG 审中-公开

    公开(公告)号：WO2005024962A3

    公开(公告)日：2005-03-17

    申请号：PCT/DE2004/001854

    申请日：2004-08-19

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  BAUR, Johannes ,  HAHN, Berthold ,  HÄRLE, Volker

    Inventor： BAUR, Johannes ,  HAHN, Berthold ,  HÄRLE, Volker

    IPC: H01L33/00

    Abstract: Es wird ein Dünnschicht-Leuchtdiodenchip (5) mit einer auf einem Trägerelement (2) angeordneten Epitaxieschichtenfolge (6), die eine elektromagnetische Strahlung erzeugende aktive Zone (8) aufweist, und einer an einer zu dem Trägerelement (2) hin gewandten Hauptfläche der Epitaxieschichtenfolge (6) angeordneten reflektierenden Schicht (3), die zumindest einen Teil der in der Epitaxieschichtenfolge (6) erzeugten elektromagnetischen Strahlung in diese zurückreflektiert, beansprucht, bei dem auf einer vom Trägerelement (2) abgewandten Strahlungsauskoppelfläche (7) der Epitaxieschichtenfolge (6) eine strukturierte Schicht (1) angeordnet ist, die ein Glasmaterial enthält und eine Strukturierung aufweist, die nebeneinanderliegende, sich in Richtung von der Strahlungsauskoppelfläche (7) weg verjüngende Vorsprünge (5) umfaßt, die ein laterales Rastermaß kleiner als eine Wellenlänge einer aus der Epitaxieschichtenfolge (6) emittierten elektromagnetischen Strahlung aufweisen. Die strukturierte Schicht (1) wird vorteilhaft als Spin-on-Glas aufgebracht und durch Grautonlithographie strukturiert.

    BELEUCHTUNGSMODUL UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG
    19.
    发明申请
    BELEUCHTUNGSMODUL UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG 审中-公开
    照明模块与方法研究

    公开(公告)号：WO2004077578A2

    公开(公告)日：2004-09-10

    申请号：PCT/DE2004/000040

    申请日：2004-01-15

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  HÄRLE, Volker ,  HAHN, Berthold ,  LUGAUER, Hans-Jürgen

    Inventor： HÄRLE, Volker ,  HAHN, Berthold ,  LUGAUER, Hans-Jürgen

    IPC: H01L33/00

    CPC classification number: H01L33/486 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/22 ,  H01L33/507 ,  H01L33/54 ,  H01L33/56 ,  H01L33/60 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

    Abstract: Die Erfindung bezieht sich auf ein Beleuchtungsmodul mit zumindest einem auf einem elektrische Anschlussleiter aufweisenden Chipträger aufgebrachten Dünnfilm-Leuchtdiodenchip, der eine erste une eine zweite elektrische Anschlussseite sowie eine epitaktisch hergestellte Halbleiterschichtfolge aufweist. Die Halbleiterschichtfolge weist eine n-leitende Halbleiterschicht, eine p-leitende Halbleiterschicht und einen zwischen diesen beiden Halbleiterschichten angeordneten elektromagnetische Strahlung erzeugenden Bereich auf und ist auf einem Träger angeordnet. Zudem weist sie an einer zu dem Träger hin gewandten Hauptfläche eine reflektierende Schicht auf, die zumindest einen Teil der in der Halbleiterschichtfolge erzeugten elektromagnetischen Strahlung in diese zurückreflektiert. Die Halbleiterschichtfolge weist mindestens eine Halbleiterschicht mit zumindest einer mikrostrukturierten, rauhen Fläche auf. Die Auskoppelfläche des Dünnfilm-Leuchtdiodenchips ist im Wesentlichen durch eine von der reflektierenden Schicht abgewandten Hauptfläche definiert und ist frei von Gehäusematerial wie Verguss- oder Verkapselungsmaterial.

    Abstract translation: 本发明涉及一种照明模块，包括至少一个具有一种半导体芯片载体具有第一UNE的第二电端子侧和外延制造的半导体层序列淀积薄膜发光二极管芯片电连接。 半导体层序列具有n型半导体层，p型半导体层和设置在这两个半导体层之间的电磁辐射产生部分和设置在载体上。 此外，它有一个朝向正对支撑主表面上的反射层，其反射回在它的半导体层序列中产生的电磁辐射的至少一部分。 半导体层序列具有至少一个微结构化的，粗糙的表面的至少一个半导体层。 该薄膜发光芯片的输出表面基本上由面向从反射层主表面远离的一侧形成，并且自由外壳材料，如灌封或包封材料的。

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