公开(公告)号：DE112020003524B4

公开(公告)日：2025-02-20

申请号：DE112020003524

申请日：2020-07-17

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HERRMANN SIEGFRIED

IPC: H10H20/831 ,  H10H20/813 ,  H10H20/857

Abstract: Optoelektronischer Halbleiterchip, umfassend:- einen Verbund (1) mit einer Vorderseite (10), einer ersten Halbleiterschichtenfolge (11) und einer zweiten Halbleiterschichtenfolge (12) zwischen der Vorderseite (10) und der ersten Halbleiterschichtenfolge (1),- ein erstes Kontaktelement (21) und ein zweites Kontaktelement (22) an einer der Vorderseite (10) gegenüberliegenden Seite des Verbunds (1),- eine erste Durchkontaktierung (31) und eine zweite Durchkontaktierung (32), die sich jeweils ausgehend von der der Vorderseite (10) gegenüberliegenden Seite in den Verbund (1) hinein erstrecken, wobei- die erste (11) und die zweite (12) Halbleiterschichtenfolge (11) jeweils eine aktive Schicht (11b, 12b) zur Erzeugung oder Absorption elektromagnetischer Strahlung umfassen,- das erste Kontaktelement (21) und die erste Durchkontaktierung (31) zur elektrischen Kontaktierung der ersten Halbleiterschichtenfolge (11) eingerichtet sind,- das zweite Kontaktelement (22) und die zweite Durchkontaktierung (32) zur elektrischen Kontaktierung der zweiten Halbleiterschichtenfolge (12) eingerichtet sind,- die erste Durchkontaktierung (31) durch die aktive Schicht (11b) der ersten Halbleiterschichtenfolge (11) geführt ist und die zweite Durchkontaktierung (32) durch die aktive Schicht (12b) der zweiten Halbleiterschichtenfolge (12) geführt ist,- die Kontaktelemente (21, 22) und die Durchkontaktierungen (31, 32) so eingerichtet sind, dass die erste Halbleiterschichtenfolge (11) und die zweite Halbleiterschichtenfolge (12) elektrisch parallel verschaltet sind, so dass im Betrieb durch beide Halbleiterschichtenfolgen (11, 12) gleichzeitig Ladungsträger fließen können, wobei Ladungsträger, die durch die erste Halbleiterschichtenfolge (11) fließen, nicht in die zweite Halbleiterschichtenfolge (12) gelangen und umgekehrt, und- die zweite Durchkontaktierung (32) durch das zweite Kontaktelement (22) geführt ist und von dem zweiten Kontaktelement (22) elektrisch isoliert ist.

公开(公告)号：DE102017106755B4

公开(公告)日：2022-08-18

申请号：DE102017106755

申请日：2017-03-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PLÖSSL ANDREAS ,  HERRMANN SIEGFRIED ,  BEHRINGER MARTIN RUDOLF ,  SINGER FRANK ,  SCHWARZ THOMAS

IPC: H01L21/50 ,  H01L25/075

Abstract: Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils (1, 11) mit den Schritten:A) Bereitstellen von mindestens zwei Quellsubstraten (21, 22), wobei jedes der Quellsubstrate (21, 22) mit einer bestimmten Art von Strahlung emittierenden Halbleiterchips (41, 42, 43) bestückt ist,B) Bereitstellen eines Zielsubstrats (3) mit einer Montageebene (30), die für eine Montage der Halbleiterchips (41, 42, 43) eingerichtet ist,C) Übertragen mindestens eines Teils der Halbleiterchips (41, 42, 43) mit einem Scheibe-zu-Scheibe-Prozess von den Quellsubstraten (21, 22) auf das Zielsubstrat (3), sodass die auf das Zielsubstrat (3) übertragenen Halbleiterchips (41, 42, 43) innerhalb einer Art ihre relative Position zueinander beibehalten, sodass jede Art von Halbleiterchips (41, 42, 43) auf dem Zielsubstrat (3) eine andere Höhe über der Montageebene (30) aufweist, wobei die Halbleiterchips (41, 42, 43) zumindest teilweise übereinander gestapelt werden und/oder zumindest teilweise auf wenigstens einer Vergussschicht (71, 72, 73) aufgebracht werden.

公开(公告)号：DE112014003593B4

公开(公告)日：2021-11-04

申请号：DE112014003593

申请日：2014-10-24

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HERRMANN SIEGFRIED

IPC: H01L33/58 ,  H01L33/38 ,  H01L33/48 ,  H01L33/62 ,  H05K1/18

Abstract: Anordnung (2) mit- mindestens einem Halbleiterchip (1), und- mindestens einer Montageplattform (3) mit elektrischen Anschlussflächen (31) und mit elektrischen Leiterbahnen (34) an einer Plattformanschlussseite (30) der Montageplattform (3), wobei- der Halbleiterchip (1) einen Träger (11) mit einer Trägerhauptseite (12) und eine Halbleiterschichtenfolge (13) mit mindestens einer aktiven Schicht (14) zur Erzeugung von sichtbarem Licht und mit einer Dicke (H) von höchstens 12 µm aufweist,- elektrische Kontakte (15) des Halbleiterchips (1) zum Bestromen der Halbleiterschichtenfolge (13) auf der Trägerhauptseite (12) angebracht sind und sich, in Draufsicht gesehen, neben der Halbleiterschichtenfolge (13) befinden, sodass der Träger (11) die Halbleiterschichtenfolge (13) seitlich überragt,- eine Strahlungshauptseite (18) der Halbleiterschichtenfolge (13) der Trägerhauptseite abgewandt ist,- der Träger (11) des Halbleiterchips (1) ein Siliziumträger ist und eine Gesamtdicke des Halbleiterchips (1) höchstens 75 µm beträgt,- die Halbleiterschichtenfolge (13) frei von einem Aufwachssubstrat ist,- die Montageplattform (3) mindestens ein Fenster (32) aufweist, in dem die Halbleiterschichtenfolge (13) des mindestens einen Halbleiterchips (1) angebracht ist, sodass das Fenster (32) die Montageplattform (3) vollständig durchdringt,- der Träger (11) das Fenster (32) seitlich überragt, in Draufsicht auf die Strahlungshauptseite (18) gesehen,- die elektrischen Anschlussflächen (31) an der Plattformanschlussseite (30) elektrisch und mechanisch mit den elektrischen Kontakten (15) an der Trägerhauptseite (12) verbunden sind, und- eine Dicke der Montageplattform (3) größer ist als eine Dicke der Halbleiterschichtenfolge (13),- die Anordnung (2) ferner einen Zusatzträger (8) umfasst, der aus einem Kunststoffmaterial hergestellt ist und der unmittelbar und spaltfrei an dem Träger (11) angebracht ist,- der Zusatzträger (8) den Halbleiterchip (1) nur im Bereich des Trägers (11) ringsum formschlüssig umgibt, sodass das Fenster (32) frei von einem Material des Zusatzträgers (8) ist,- die Montageplattform (3) die Halbleiterschichtenfolge (13) in Richtung weg von dem Träger (11) überragt, und- die Anordnung eine zusätzliche optische Funktionseinheit (4) umfasst und/oder die Montageplattform (3) als optische Funktionseinheit (4) ausgebildet ist.

公开(公告)号：DE102008047579B4

公开(公告)日：2020-02-06

申请号：DE102008047579

申请日：2008-09-17

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HERRMANN SIEGFRIED ,  EISSLER DIETER DR

IPC: F21K9/62 ,  H01L25/075 ,  F21V5/02 ,  F21Y113/10 ,  H01L33/20 ,  H01S5/02

Abstract: Leuchtmittel (10) mit- einer ersten Gruppe (11) von Halbleiterchips (1) und einer zweite Gruppe (22) von Halbleiterchips (2), die jeweils mindestens einen Halbleiterchip (1, 2) umfassen, wobei die erste (11) und die zweite Gruppe (22) von Halbleiterchips (1, 2) wenigstens zum Teil bezüglich einer Hauptabstrahlrichtung (H) des Leuchtmittels (10) lateral nebeneinander angeordnet sind,- einer dritten Gruppe (33) von Halbleiterchips (3), die mindestens einen Halbleiterchip (3) umfasst, und die dritte Gruppe (33) bezüglich der Hauptabstrahlrichtung (H) der ersten (11) und der zweiten Gruppe (22) nachgeordnet ist, wobei- jede Gruppe (11, 22, 33) von Halbleiterchips (1, 2, 3) dazu ausgestaltet ist, in paarweise voneinander verschiedenen Wellenlängenbereichen elektromagnetische Strahlung (L1, L2, L3) zu emittieren,- die von der dritten Gruppe (33) von Halbleiterchips (3) emittierte Strahlung den kurzwelligsten Wellenlängenbereich (L3) aufweist,- die von der ersten (11) und zweiten Gruppe (22) von Halbleiterchips (1, 2) emittierte Strahlung wenigstens teilweise in den wenigstens einen Halbleiterchip (3) der dritten Gruppe (33) gelangt,- von einer Abstrahlfläche (4) des Leuchtmittels (10) eine Mischstrahlung (M) emittiert wird, und- das Leuchtmittel wenigstens ein prismenförmiges oder pyramidenstumpfförmiges optisches Element (6) umfasst, durch das die von der ersten (11) oder zweiten Gruppe (22) emittierte Strahlung wenigstens teilweise zur dritten Gruppe (33) gelangt.

公开(公告)号：DE102018111168A1

公开(公告)日：2019-11-14

申请号：DE102018111168

申请日：2018-05-09

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： VÖLKL MICHAEL ,  HERRMANN SIEGFRIED

IPC: H01L33/14 ,  H01L33/10 ,  H01L33/42 ,  H01L33/50 ,  H01L33/58

Abstract: Ein optoelektronisches Halbleiterbauelement umfasst eine erste Halbleiterschicht (140) von einem ersten Leitfähigkeitstyp, und eine zweite Halbleiterschicht (150) von einem zweiten Leitfähigkeitstyp, die über einem Substrat (100) angeordnet sind. Die erste Halbleiterschicht (140) ist zwischen der zweiten Halbleiterschicht (150) und dem Substrat (150) angeordnet. Das optoelektronische Halbleiterbauelement umfasst ferner eine erste Stromverteilungsstruktur (130), die mit der ersten Halbleiterschicht (140) elektrisch leitend verbunden ist, und eine zweite Stromverteilungsstruktur (135), die mit der zweiten Halbleiterschicht (150) elektrisch leitend verbunden ist. Die erste Stromverteilungsstruktur (130) ist in einem größeren Abstand von der ersten Halbleiterschicht (140) angeordnet als die zweite Stromverteilungsstruktur (135).

公开(公告)号：DE102017130760A1

公开(公告)日：2019-06-27

申请号：DE102017130760

申请日：2017-12-20

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HERRMANN SIEGFRIED

IPC: H01L25/075 ,  H01L27/15 ,  H01L33/08 ,  H01L33/24 ,  H01L33/62

Abstract: In einer Ausführungsform umfasst das optoelektronische Halbleiterbauteil (1) eine Vielzahl von Halbleitersäulen (3). An Seitenflächen (37) sind die Halbleitersäulen (3) mindestens zum Teil von einer elektrischen Trennschicht (2) umgeben. Eine Bestromung der Halbleitersäulen (3) erfolgt über mindestens eine erste elektrische Kontaktfläche (41) und mindestens eine zweite elektrische Kontaktfläche (42). Ein erster Teil der Halbleitersäulen (3) ist als Emittersäulen (5) zur Strahlungserzeugung und ein zweiter Teil als nicht strahlende elektrische Kontaktsäulen (4) gestaltet. Die Kontaktsäulen (4) verlaufen durch die Trennschicht (2) hindurch, sodass alle Kontaktflächen (41, 42) auf der gleichen Seite der Trennschicht (2) liegen. Die Kontaktsäulen (4) sind je mit einer elektrisch ohmsch leitenden Außenschicht (43) versehen.

公开(公告)号：DE102017113745A1

公开(公告)日：2018-12-27

申请号：DE102017113745

申请日：2017-06-21

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HERRMANN SIEGFRIED

IPC: H01L27/15 ,  H01L25/075

Abstract: In einer Ausführungsform umfasst das Halbleiterdisplay (10) eine Vielzahl von Halbleitersäulen (2) sowie erste und zweite elektrische Kontaktleisten (3, 4). Die Halbleitersäulen (2) umfassen je einen Halbleiterkern (21) eines ersten Leitfähigkeitstyps und eine Halbleiterhülle (23) eines vom ersten verschiedenen, zweien Leitfähigkeitstyps sowie eine dazwischenliegende aktive Schicht (22) zur Strahlungserzeugung. Die Halbleitersäulen (2) umfassen je eine Bestromungshülle (24), die zur Bestromung auf die jeweilige Halbleiterhülle (23) aufgebracht ist. Die Halbleitersäulen (2) sind einzeln oder in kleinen Gruppen (29) über die ersten und zweiten elektrischen Kontaktleisten (3, 4) elektrisch unabhängig voneinander ansteuerbar.

公开(公告)号：DE112017001958A5

公开(公告)日：2018-12-20

申请号：DE112017001958

申请日：2017-04-10

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HERRMANN SIEGFRIED ,  VÖLKL MICHAEL

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/38

公开(公告)号：DE112016005908A5

公开(公告)日：2018-09-13

申请号：DE112016005908

申请日：2016-12-20

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HERRMANN SIEGFRIED

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/52

公开(公告)号：DE102017103828A1

公开(公告)日：2018-08-30

申请号：DE102017103828

申请日：2017-02-24

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SINGER FRANK ,  HERRMANN SIEGFRIED

IPC: H01L33/48 ,  H01L21/58 ,  H01L23/043 ,  H01L23/08 ,  H01L23/13

Abstract: Es wird ein Halbleiterbauelement (1) angegeben umfassend- einen Halbleiterchip (2), der einen Halbleiterkörper (3) und einen ersten und zweiten Anschlusskontakt (8, 9) aufweist, wobei der erste und zweite Anschlusskontakt (8, 9) zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterkörpers (3) vorgesehen sind,- einen Träger (10), auf dem der Halbleiterchip (2) angeordnet ist, aufweisend- einen Grundkörper (11), der eine Chipmontagefläche (11A) und eine der Chipmontagefläche (11A) gegenüberliegende Anschlussfläche (11B) sowie mindestens eine Seitenfläche (11C) aufweist, welche die Chipmontagefläche (11A) mit der Anschlussfläche (11B) verbindet,- eine erste elektrisch leitende Kontaktschicht (12), die mit dem ersten Anschlusskontakt (8) elektrisch leitend verbunden ist, und eine zweite elektrisch leitende Kontaktschicht (13), die mit dem zweiten Anschlusskontakt (9) elektrisch leitend verbunden ist, wobei die erste und die zweite Kontaktschicht (12, 13) auf den Grundkörper (11) aufgebracht sind und jeweils einen ersten auf der Chipmontagefläche (11A) angeordneten Teilbereich (12A, 13A), einen zweiten auf einer Seitenfläche (11C) angeordneten Teilbereich (12B, 13B) und einen dritten auf der Anschlussfläche (11B) angeordneten Teilbereich (12C, 13C) aufweisen, und wobeider Grundkörper (11) ein strahlungsdurchlässiges Grundmaterial enthält.Des Weiteren wird ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Halbleiterbauelements (1) angegeben.