公开(公告)号：JP2014207473A

公开(公告)日：2014-10-30

申请号：JP2014136894

申请日：2014-07-02

Applicant: オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH ,  Osram Opto Semiconductors Gmbh ,  オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH

Inventor： SINGER FRANK ,  ZEILER THOMAS ,  REILL JOACHIM

IPC: H01L33/50 ,  H01L33/48 ,  H01L33/60

CPC classification number: H01L25/0753 ,  H01L33/486 ,  H01L33/50 ,  H01L33/58 ,  H01L33/60 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/10155 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18165 ,  H01L2933/0058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 【課題】本発明は少なくとも2つの発光半導体素子を備えたデバイスに関する。【解決手段】本発明のデバイスは、相互に隣接する少なくとも2つの発光半導体素子(101,111)と、各発光半導体素子を少なくとも部分的に包囲し、発光半導体素子から放出された光の波長領域を部分的にまたは完全に変換する変換物質を含む複数の包囲部材(102,112)と、発光半導体素子および包囲部材のあいだに配置される少なくとも1つの光学減衰素子(103)とを有しており、光学減衰素子は、或る発光半導体素子または或る包囲部材から別の発光半導体素子または別の包囲部材への光の入力が低減されるように配置されている。【選択図】図1

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种包括至少两个发光半导体元件的器件。解决方案：本发明的器件包括：至少两个彼此相邻的发光半导体元件（101,111）; 至少部分地包围每个发光半导体元件并且包含部分地或全部地转换从发光半导体元件发射的光的波长区域的转换材料的多个封闭构件（102,112） 以及设置在所述发光半导体元件之间和所述封闭构件之间的至少一个光衰减元件（103）。 光学衰减元件被布置成使得从一个发光半导体元件或一个外壳构件到另一个发光半导体元件或另一个外壳构件的光的输入减少。

公开(公告)号：JP2004331222A

公开(公告)日：2004-11-25

申请号：JP2004099845

申请日：2004-03-30

Applicant: Osram Opto Semiconductors Gmbh ,  オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH

Inventor： KAEMPF MATHIAS ,  SINGER FRANK ,  DACHS JUERGEN ,  BACHLER ALFRED

IPC: B65D85/86 ,  H01L21/673 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01L21/67356 ,  Y10S414/135

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a chip container or a chip carrying container capable of storing and carrying opto-electronic elements and a manufacturing method for the same, in particular a chip container capable of managing and carrying respective chips without substantially damaging and contaminating them, and a manufacturing method for the same. SOLUTION: The chip container 7 equipped with a number of cavities 8 for respective semiconductor chips 9 has a cavity plate 2 equipped with etched cavities 8. COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

公开(公告)号：JP2009194388A

公开(公告)日：2009-08-27

申请号：JP2009031414

申请日：2009-02-13

Applicant: Osram Opto Semiconductors Gmbh ,  オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH

Inventor： DACHS JUERGEN ,  ILLEK STEFAN ,  SCHULZ ROLAND ,  SCHWARZ THOMAS ,  SINGER FRANK ,  UNOLD HEIKO

IPC: H01S5/022

CPC classification number: H01S5/0201

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To manufacture exceptionally compact semiconductor lasers in high-volume. SOLUTION: A method of manufacturing a plurality of semiconductor lasers 100 includes (a) a step of preparing a supporting wafer 30, (b) a step of forming a complex 70 by fixing a plurality of semiconductor laser chips 4 to the surface 31 of the supporting wafer 30, and (c) a step of forming a plurality of semiconductor lasers 100 by dividing the complex 70. The semiconductor laser 100 has a fixing block 3 and at least one semiconductor laser chip 4. The fixing block 3 has a fixing surface 13, and the fixing surface 13 is extended substantially perpendicularly to the surface 12 of the fixing block 3. The semiconductor laser chip 4 is arranged on the fixing block 3, and the fixing surface 13 is formed when the complex 70 is divided. COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：制造大容量的非常紧凑的半导体激光器。 解决方案：制造多个半导体激光器100的方法包括（a）制备支撑晶片30的步骤，（b）通过将多个半导体激光芯片4固定在表面上来形成复合体70的步骤 31，并且（c）通过分开复合体70形成多个半导体激光器100的步骤。半导体激光器100具有固定块3和至少一个半导体激光芯片4.固定块3具有 固定表面13和固定表面13基本上垂直于固定块3的表面12延伸。半导体激光芯片4设置在固定块3上，并且当复合体70被分割时形成固定表面13 。 版权所有（C）2009，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2007103938A

公开(公告)日：2007-04-19

申请号：JP2006268940

申请日：2006-09-29

Applicant: Osram Opto Semiconductors Gmbh ,  オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH

Inventor： KUEHNELT MICHAEL ,  STEEGMUELLER ULRICH ,  REILL WOLFGANG ,  SCHWARZ THOMAS ,  SINGER FRANK

IPC: H01S5/183

CPC classification number: H01S5/141 ,  H01S3/0805 ,  H01S3/109 ,  H01S5/024 ,  H01S5/041 ,  H01S5/18394 ,  H01S2301/18 ,  H04N9/3129

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an optically-pumped surface emitting semiconductor laser having a particularly stable laser emission in terms of time above all, and an optical projection device having such a semiconductor laser. SOLUTION: In an optically-pumped surface emitting semiconductor laser, a mode selection device is provided for suppressing a relatively high resonance mode of a semiconductor laser that can be previously set, and in this semiconductor laser, the mode selection device is fixedly connected to a semiconductor body of the semiconductor laser. Further, an optical projection device has a control electronics for the optically-pumped surface emitting semiconductor laser, and such a semiconductor laser. COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种具有特别稳定的激光发射的光泵浦表面发射半导体激光器，以及具有这种半导体激光器的光学投影装置。 解决方案：在光泵浦表面发射半导体激光器中，提供了一种模式选择装置，用于抑制可以预先设置的半导体激光器的相对高的谐振模式，并且在该半导体激光器中，模式选择装置固定 连接到半导体激光器的半导体本体。 此外，光学投影装置具有用于光学泵浦表面发射半导体激光器的控制电子器件和这种半导体激光器。 版权所有（C）2007，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2006287231A

公开(公告)日：2006-10-19

申请号：JP2006099335

申请日：2006-03-31

Applicant: Osram Opto Semiconductors Gmbh ,  オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH

Inventor： KUEHNELT MICHAEL ,  SCHWARZ THOMAS ,  STEEGMUELLER ULRICH ,  SINGER FRANK

IPC: H01S3/094

CPC classification number: H01S3/16 ,  H01S3/005 ,  H01S3/025 ,  H01S3/042 ,  H01S3/0602 ,  H01S3/0612 ,  H01S3/0627 ,  H01S3/09415 ,  H01S3/109 ,  H01S3/1611 ,  H01S3/1643 ,  H01S3/1673 ,  H01S3/2383

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a laser apparatus for generating electromagnetic radiation, the output power of which has been raised, and the radiation quality of which has been improved advantageously. SOLUTION: A crystal array body 14 and a pump source 1 are provided. In this case, the crystal array body 14 has a laser gain crystal 3 and an optically nonlinear frequency translation crystal 4. Further, the pump source 1 has a cylindrical lens 7 and another lens 8 suitable to input-coupling at least two pump beams 2 separated spatially from each other to the crystal array body 14 and the crystal array body 14 has a sawing groove 9 extending in parallel to the pump beam. COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种用于产生电磁辐射的激光装置，该激光装置的输出功率已经提高，其辐射质量得到有利地改善。 解决方案：提供了晶体阵列体14和泵浦源1。 在这种情况下，晶体阵列体14具有激光增益晶体3和光学非线性频率平移晶体4.此外，泵浦源1具有柱面透镜7和适于输入耦合至少两个泵浦光束2的透镜8 在空间上彼此分离成晶体阵列体14，并且晶体阵列体14具有平行于泵浦光束延伸的锯槽9。 版权所有（C）2007，JPO＆INPIT

公开(公告)号：WO2014095906A3

公开(公告)日：2014-08-14

申请号：PCT/EP2013076957

申请日：2013-12-17

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SINGER FRANK ,  GRÖTSCH STEFAN

IPC: F21V7/22 ,  F21V7/00 ,  F21V7/06 ,  F21V9/16 ,  F21Y101/02

CPC classification number: F21S48/1225 ,  F21S41/14 ,  F21S41/16 ,  F21S41/321 ,  F21S41/36 ,  F21S41/365 ,  F21S41/43 ,  F21S41/50 ,  F21S45/47 ,  F21V7/0033 ,  F21V7/06 ,  F21V7/22 ,  F21V9/16 ,  F21Y2115/10 ,  F21Y2115/30

Abstract: The invention relates to a headlight device (1) comprising: a laser light source (2) for emitting collimated primary radiation (3); a conversion element (4) having conversion regions (5) which are provided for at least partly converting the collimated primary radiation (3) into secondary radiation (6) and form luminous regions during operation, and separating webs (7) which separate the conversion regions (5) from one another and are opaque to the primary radiation (3) and secondary radiation (6); and a deflection unit (8), which is provided for directing the collimated primary radiation (3) coming from the laser light source (2) during operation onto the conversion element (4) and for guiding it as the scanning beam (9) over partial regions of the conversion element (4).

Abstract translation: 它是一种前照灯装置（1）中指定的，包括：一个激光光源（2），用于发射准直的初级辐射（3），（4），其包括转换区域的转换元件（5），用于在所述二次辐射的准直的初级辐射（3）的至少部分转化（6 ）被提供，以形成操作的发光区域，和分隔片（7），该分离转换区域（5）彼此，和（对于初级辐射3）和次级辐射（6）是不透明的，一个偏转装置（8），其被提供给 从在操作中，激光光源引导（2）来准直的初级辐射用于引导（3）的转换元件（4）上，并作为扫描光束（9）在所述转换元件的部分区域（4）。

公开(公告)号：WO2016170151A3

公开(公告)日：2016-12-15

申请号：PCT/EP2016059073

申请日：2016-04-22

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SINGER FRANK ,  MOOSBURGER JÜRGEN ,  VON MALM NORWIN ,  DIRSCHERL GEORG

IPC: H01L33/54 ,  H01L25/075 ,  H01L33/50 ,  H01L33/56

CPC classification number: H01L33/56 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/505 ,  H01L33/54 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/005

Abstract: The invention relates to a light-emitting diode assembly (1) having: at least one first light-emitting diode chip (2) with a first radiation output surface (3), the chip being designed to emit radiation via the radiation output surface (3); and at least one hybrid polymer (4) positioned in the beam path of the first light-emitting diode chip (2), the hybrid polymer (4) having organic and inorganic regions covalently bonded to one another and said hybrid polymer (4) being thermally- and/or radiation cross-linked. The first radiation output surface (3) and the hybrid polymer (4) are in direct mechanical contact.

Abstract translation: 本发明涉及一种Lumineszenzdiodenanordnung（1），包括至少一个第一LED芯片（2），具有第一辐射出射表面（3），其被布置在所述辐射出射表面（3）上对辐射的发射，至少一个杂化聚合物（4），在第一的光束路径 LED芯片（2）布置，所述混合聚合物（4），其共价连接在一起的有机和无机的区域，所述混合聚合物（4）是热和/或通过辐射交联，所述第一辐射出射表面（3）和所述的杂化聚合物 （4）在直接机械接触。

公开(公告)号：DE102014102848B4

公开(公告)日：2025-01-02

申请号：DE102014102848

申请日：2014-03-04

Applicant: OSRAM GMBH ,  OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GÖÖTZ BRITTA ,  SINGER FRANK ,  HÜTTINGER ROLAND

IPC: H10H20/851 ,  C09K11/02 ,  H05B33/22 ,  H10K50/80

Abstract: Konversionselement (1)- mit einem Plättchen (2) umfassend ein anorganisches Glas,- mit ersten Konverterpartikeln (3), wobei- die ersten Konverterpartikel (3) eine Hülle (3a) und einen Kern (3b) aufweisen,- wobei die Hülle (3a) ein anorganisches Material umfasst und eine Dicke zwischen wenigstens 10 nm und höchstens 50 µm aufweist, und- der Kern (3b) einen nitridischen oder oxynitridischen Leuchtstoff umfasst und- wobei die ersten Konverterpartikel (3) auf und/oder in dem Plättchen (2) angeordnet sind.

公开(公告)号：DE112018002092B4

公开(公告)日：2022-10-27

申请号：DE112018002092

申请日：2018-04-18

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BEHRINGER MARTIN RUDOLF ,  PFEUFFER ALEXANDER F ,  PLÖSSL ANDREAS ,  BOGNER GEORG ,  HAHN BERTHOLD ,  SINGER FRANK

IPC: H01L33/62 ,  F21S4/15 ,  F21V19/00 ,  F21V33/00 ,  H01L25/075 ,  H05K1/03 ,  H05K1/11 ,  H05K1/18

Abstract: Strahlungsemittierendes Halbleiterbauteil (1) mit- einer Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktiven Zone zur Erzeugung von Strahlung, und- zumindest einem Träger (3), auf dem die Halbleiterschichtenfolge (2) aufgebracht ist, wobei- der zumindest eine Träger (3) an einer der Halbleiterschichtenfolge (2) abgewandten Trägerunterseite (34) wenigstens eine Verankerungsstruktur (4) aufweist,- die wenigstens eine Verankerungsstruktur (4) elektrische Kontaktstellen (5) zur elektrischen Kontaktierung der Halbleiterschichtenfolge (2) umfasst, und- die wenigstens eine Verankerungsstruktur (4) zur Aufnahme mindestens eines Fadens (9) zur Befestigung des Halbleiterbauteils (1) an einem Gewebe (10) und zur elektrischen Kontaktierung mittels des mindestens einen Fadens (9) eingerichtet ist, und- wenigstens eine Verankerungsstruktur (4) in Draufsicht gesehen gekrümmt verläuft.

公开(公告)号：DE112020000567A5

公开(公告)日：2021-12-02

申请号：DE112020000567

申请日：2020-01-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BAUMHEINRICH THORSTEN ,  BEHRINGER MARTIN ,  BIEBERSDORF ANDREAS ,  BOSS RUTH ,  BRANDL MICHAEL ,  BRICK PETER ,  DROLET JEAN-JAQUES ,  HALBRITTER HUBERT ,  KREINER LAURA ,  LANG ERWIN ,  LEBER ANDREAS ,  MEYER TOBIAS ,  PFEUFFER ALEXANDER ,  PHILIPPENS MARC ,  RICHTER JENS ,  SCHWARZ THOMAS ,  TA PAUL ,  VARGHESE TANSEN ,  WANG XUE ,  WITTMANN SEBASTIAN ,  STOLZ JULIA ,  DIEKMANN KARSTEN ,  ENGL KARL ,  HERRMANN SIEGFRIED ,  HAHN BERTHOLD ,  ILLEK STEFAN ,  JENTZSCH BRUNO ,  PERZLMAIER KORBINIAN ,  PIETZONKA INES ,  RAUSCH ANDREAS ,  REGAU KILIAN ,  RUEGHEIMER TILMAN ,  SCHWALENBERG SIMON ,  SOELL CHRISTOPHER ,  STAUSS PETER ,  SUNDGREN PETRUS ,  VU HOA ,  WIESMANN CHRISTOPHER ,  BOGNER GEORG ,  HÖRNER PATRICK ,  KLEMP CHRISTOPH ,  MÜLLER JENS ,  NEVELING KERSTIN ,  PARK JONG ,  RAFAEL CHRISTINE ,  SINGER FRANK ,  CHAND KANISHK ,  FEIX FELIX ,  MÜLLER CHRISTIAN ,  RUMMEL EVA-MARIA ,  HEITZER NICOLE ,  ASSMANN MARIE ,  BERGER CHRISTIAN ,  KANEVCE ANA

IPC: H01L33/62 ,  G09F9/33 ,  H01L25/075 ,  H01L33/60