公开(公告)号：DE112018002092B4

公开(公告)日：2022-10-27

申请号：DE112018002092

申请日：2018-04-18

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BEHRINGER MARTIN RUDOLF ,  PFEUFFER ALEXANDER F ,  PLÖSSL ANDREAS ,  BOGNER GEORG ,  HAHN BERTHOLD ,  SINGER FRANK

IPC: H01L33/62 ,  F21S4/15 ,  F21V19/00 ,  F21V33/00 ,  H01L25/075 ,  H05K1/03 ,  H05K1/11 ,  H05K1/18

Abstract: Strahlungsemittierendes Halbleiterbauteil (1) mit- einer Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktiven Zone zur Erzeugung von Strahlung, und- zumindest einem Träger (3), auf dem die Halbleiterschichtenfolge (2) aufgebracht ist, wobei- der zumindest eine Träger (3) an einer der Halbleiterschichtenfolge (2) abgewandten Trägerunterseite (34) wenigstens eine Verankerungsstruktur (4) aufweist,- die wenigstens eine Verankerungsstruktur (4) elektrische Kontaktstellen (5) zur elektrischen Kontaktierung der Halbleiterschichtenfolge (2) umfasst, und- die wenigstens eine Verankerungsstruktur (4) zur Aufnahme mindestens eines Fadens (9) zur Befestigung des Halbleiterbauteils (1) an einem Gewebe (10) und zur elektrischen Kontaktierung mittels des mindestens einen Fadens (9) eingerichtet ist, und- wenigstens eine Verankerungsstruktur (4) in Draufsicht gesehen gekrümmt verläuft.

公开(公告)号：DE102019100521A1

公开(公告)日：2020-07-16

申请号：DE102019100521

申请日：2019-01-10

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PLÖSSL ANDREAS

IPC: H01L27/15

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils (1) angegeben, mit den Schritten:- Bereitstellen eines Halbleiterwafers (2) mit einer funktionellen Halbleiterschicht (3), die elektronische Steuerelemente (4) aufweist, und einer Aufwachsschicht (5),- Erzeugen einer Vielzahl von Ausnehmungen (6) in dem Halbleiterwafer (2), die die Aufwachsschicht (5) stellenweise freilegt, und- epitaktisches Aufwachsen einer Vielzahl von Halbleiterschichtenstapeln (7) auf die freigelegte Aufwachsschicht (6).Weiterhin wird ein optoelektronisches Bauteil (1) angegeben.

公开(公告)号：DE102017126338A1

公开(公告)日：2019-05-16

申请号：DE102017126338

申请日：2017-11-10

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： RÜGHEIMER TILMAN ,  SCHWARZ THOMAS ,  HÖPPEL LUTZ ,  PLÖSSL ANDREAS ,  PFEUFFER ALEXANDER F

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/52 ,  H01L21/60 ,  H01L25/16 ,  H01L33/62

Abstract: Es wird ein Bauteilverbund (100) mit einem Zwischenträger (90), einer Mehrzahl von darauf angeordneten Bauteilen (10) und einer Mehrzahl von Halteelementen (3, 3A, 3B), bei dem die Bauteile jeweils zumindest zwei elektrische Bauelemente (1, 1A, 1B) und eine Isolierungsschicht (2) aufweisen, wobei mindestens eines der elektrischen Bauelemente des Bauteils ein optoelektronischer Halbleiterchip (1, 1A) ist. Die Isolierungsschicht ist bereichsweise zwischen den elektrischen Bauelementen desselben Bauteils angeordnet, wobei die zumindest zwei elektrischen Bauelemente desselben Bauteils nebeneinander angeordnet und jeweils von der Isolierungsschicht lateral umschlossen sind, sodass die zumindest zwei elektrischen Bauelemente und die Isolierungsschicht desselben Bauteils als integrale Bestandteile einer selbsttragenden und mechanisch stabilen Einheit ausgeführt sind. Die Halteelemente fixieren die Positionen der Bauteile auf dem Zwischenträger, wobei die Bauteile als selbsttragende und mechanisch stabile Einheiten vom Zwischenträger ablösbar ausgeführt sind und die Halteelemente beim Abnehmen der Bauteile diese unter mechanischer Belastung freigeben.Des Weiteren wird ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Bauteilverbunds angegeben.

公开(公告)号：DE102017119346A1

公开(公告)日：2019-02-28

申请号：DE102017119346

申请日：2017-08-24

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ALTIERI-WEIMAR PAOLA ,  NEUDECKER INGO ,  PLÖSSL ANDREAS ,  ZENGER MARCUS

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/58 ,  H01L33/62

Abstract: Es wird ein Bauteil (100) mit einem Halbleiterchip (10), einer Pufferschicht (3), einer Verbindungsschicht (4) und einem metallischen Träger (9) angegeben. Der Halbleiterchip umfasst ein Substrat (1) und einen darauf angeordneten Halbleiterkörper (2). Der metallische Träger weist einen thermischen Ausdehnungskoeffizienten auf, der mindestens 1,5-mal so groß ist wie ein thermischer Ausdehnungskoeffizient des Substrats oder des Halbleiterchips, oder umgekehrt. Der Halbleiterchip ist mittels der Verbindungsschicht auf dem metallischen Träger derart befestigt, dass die Pufferschicht zwischen dem Halbleiterchip und der Verbindungsschicht angeordnet ist, wobei der Halbleiterchip an die Pufferschicht angrenzt. Bevorzugt weist die Pufferschicht eine Fließspannung auf, die mindestens 10 MPa ist und höchstens 300 MPa beträgt.Des Weiteren wird ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Bauteils angegeben.

公开(公告)号：DE102017112866A1

公开(公告)日：2018-12-13

申请号：DE102017112866

申请日：2017-06-12

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MÜLLER KLAUS ,  PLÖSSL ANDREAS ,  WENDT MATHIAS

IPC: H01L21/58 ,  B23K1/20 ,  H01L21/60 ,  H01L23/488

Abstract: Es wird ein Verfahren zum Befestigen eines Halbleiterchips (1) auf einem Substrat (3) angegeben. Das Verfahren umfasst die Verfahrensschritte:A) Bereitstellen eines Halbleiterchips (1),B) Aufbringen einer Lotmetall-Schichtenfolge (2) auf den Halbleiterchip (1),C) Bereitstellen eines Substrats (3),D) Aufbringen einer Metallisierungs-Schichtenfolge (4) auf das Substrat (3),E) Aufbringen des Halbleiterchips (1) über die Lotmetall-Schichtenfolge (2) und die Metallisierungs-Schichtenfolge (4) auf das Substrat (3),F) Heizen der unter E) erzeugten Anordnung zur Befestigung des Halbleiterchips (1) auf dem Substrat (3),wobei die Lotmetall-Schichtenfolge (2)- eine erste metallische Schicht (2a) umfassend eine Indium-Zinn-Legierung,- eine über der ersten metallischen Schicht (2a) angeordnete Barrierenschicht (2b) und- eine zwischen der Barrierenschicht (2b) und dem Halbleiterchip (1) angeordnete zweite metallische Schicht (2c) umfassend Gold umfasst, wobei die Stoffmenge des Golds in der zweiten metallischen Schicht größer ist als die Stoffmenge des Zinns in der ersten metallischen Schicht.

公开(公告)号：DE102017100812A1

公开(公告)日：2018-08-02

申请号：DE102017100812

申请日：2017-01-17

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PLÖSSL ANDREAS ,  HERRMANN SIEGFRIED ,  BEHRINGER MARTIN RUDOLF ,  SINGER FRANK ,  SCHWARZ THOMAS ,  PFEUFFER ALEXANDER

IPC: H01L21/50 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  G09F9/33 ,  H01L25/075

Abstract: Das Verfahren ist zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterchips eingerichtet und umfasst die Schritte:A) Bereitstellen von Quellsubstraten (21, 22, 23), wobei jedes der Quellsubstrate (21, 22, 23) mit einer bestimmten Art von Strahlung emittierenden Halbleiterchips (41, 42, 43) bestückt ist,B) Bereitstellen eines Zielsubstrats (3) mit einer Montageebene (30),C) Erzeugen von Podesten (52, 53) an dem Zielsubstrat (3) oder an zumindest einem der Quellsubstrate (21, 22, 23), undD) Übertragen mindestens eines Teils der Halbleiterchips (41, 42, 43) mit einem Scheibe-zu-Scheibe-Prozess von den Quellsubstraten (21, 22, 23) auf das Zielsubstrat (3), sodass die auf das Zielsubstrat (3) übertragenen Halbleiterchips (41, 42, 43) innerhalb einer Art ihre relative Position zueinander beibehalten und jede Art von Halbleiterchips (41, 42, 43) auf dem Zielsubstrat (3) aufgrund der Podeste (52, 53) eine andere Höhe (H1, H2, H3) über der Montageebene (30) aufweist.

公开(公告)号：DE102014116512A1

公开(公告)日：2016-05-12

申请号：DE102014116512

申请日：2014-11-12

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MOOSBURGER JÜRGEN ,  PLÖSSL ANDREAS

IPC: H01L23/60 ,  H01L33/62

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) mit einem Emissionsbereich (3), der eine Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer ersten Halbleiterschicht (21), einer zweiten Halbleiterschicht (22) und einem zwischen der ersten Halbleiterschicht und der zweiten Halbleiterschicht angeordneten zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20) aufweist, und mit einem Schutzdiodenbereich (4) angegeben, wobei – das Halbleiterbauelement einen Kontakt (6) zur externen elektrischen Kontaktierung des Halbleiterbauelements (1) aufweist; – der Kontakt einen ersten Kontaktbereich (61) aufweist, der mit dem Emissionsbereich elektrisch leitend verbunden ist; – der Kontakt einen zweiten Kontaktbereich (62) aufweist, der von dem ersten Kontaktbereich beabstandet ist und mit dem Schutzdiodenbereich elektrisch leitend verbunden ist; und – der erste Kontaktbereich und der zweite Kontaktbereich mittels eines gemeinsamen Endes (95) einer Verbindungsleitung (9) extern elektrisch kontaktierbar sind. Weiterhin wird eine Vorrichtung mit einem optoelektronischen Halbleiterbauelement angegeben.

公开(公告)号：DE112014001708A5

公开(公告)日：2015-12-24

申请号：DE112014001708

申请日：2014-03-24

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PLÖSSL ANDREAS

IPC: B23K20/16 ,  H01L21/60 ,  H01L23/488 ,  H01L23/62

公开(公告)号：DE102013110853A1

公开(公告)日：2015-04-02

申请号：DE102013110853

申请日：2013-10-01

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PLÖSSL ANDREAS ,  ZULL HERIBERT

IPC: H01L33/14 ,  H01L23/60

Abstract: Es wird ein strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) mit einem Halbleiterkörper (2), der eine Halbleiterschichtenfolge (200) mit einem zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20), eine erste Halbleiterschicht (21) eines ersten Leitungstyps und eine zweite Halbleiterschicht (22) eines vom ersten Leitungstyp verschiedenen zweiten Leitungstyps aufweist, und mit einem Träger (5), auf dem der Halbleiterkörper angeordnet ist, angegeben, wobei – im Träger ein pn-Übergang (55) ausgebildet ist; – der Träger auf einer dem Halbleiterkörper abgewandten Rückseite (501) einen ersten Kontakt (61) und einen zweiten Kontakt (62) aufweist; und – der aktive Bereich und der pn-Übergang über den ersten Kontakt und den zweiten Kontakt bezüglich der Durchlassrichtung antiparallel zueinander verschaltet sind. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung von strahlungsemittierenden Halbleiterchips angegeben.

公开(公告)号：DE102013109316A1

公开(公告)日：2014-12-04

申请号：DE102013109316

申请日：2013-08-28

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MALM NORWIN VON ,  PLÖSSL ANDREAS

IPC: H01L33/62 ,  H01L21/58 ,  H01L21/78 ,  H01L31/0224 ,  H01S5/02

Abstract: Ein optoelektronische Halbleiterchip (1) umfasst einen Halbleiterkörper (2), der eine Halbleiterschichtenfolge (24) sowie mindestens eine Ausnehmung (6) aufweist, die sich durch eine zweite Halbleiterschicht (22) in eine erste Halbleiterschicht (21) hinein erstreckt, einen Träger (5), wobei der Träger (5) mindestens eine Aussparung (9) aufweist, eine metallische Verbindungsschicht (4) zwischen dem Halbleiterkörper (2) und dem Träger (5), wobei die metallische Verbindungsschicht (4) einen ersten Bereich (41) und einen zweiten Bereich (42) umfasst und wobei der erste Bereich (41) durch die Ausnehmung (6) hindurch elektrisch leitend mit der ersten Halbleiterschicht (21) und der zweite Bereich (42) elektrisch leitend mit der zweiten Halbleiterschicht (22) verbunden ist, und einen ersten Kontakt (81) und einen zweiten Kontakt (82), wobei der erste Kontakt (81) durch die Aussparung (9) hindurch elektrisch leitend mit dem ersten Bereich (41) oder der zweite Kontakt (82) durch die Aussparung (9) hindurch elektrisch leitend mit dem zweiten Bereich (42) verbunden ist.