公开(公告)号：WO2009146689A1

公开(公告)日：2009-12-10

申请号：PCT/DE2009/000781

申请日：2009-06-03

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  KAISER, Stephan ,  PLÖSSL, Andreas

Inventor： KAISER, Stephan ,  PLÖSSL, Andreas

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/0079 ,  H01L33/20 ,  H01L33/405 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Eine Ausführungsform der Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements, umfassend die Verfahrensschritte: A) Bereitstellen eines Aufwachssubstrates (1), B) Epitaktisches Aufwachsen zumindest einer Halbleiterschicht (2) zur Erzeugung einer im Betrieb aktiven Zone, C) Aufbringen einer metallischen Spiegelschicht (3) auf die Halbleiterschicht (2), D) Aufbringen zumindest einer Kontaktschicht (8) zur elektronischen Kontaktierung des Bauelements, E) Abtrennen des Aufwachssubstrates (1) von der Halbleiterschicht (2), wobei eine Oberfläche der Halbleiterschicht (2) freigelegt wird, F) Strukturieren der Halbleiterschicht (2) mittels eines Ätzverfahrens von Seiten der Oberfläche, die in Verfahrenschritt E) freigelegt wurde.

Abstract translation: 本发明的一个实施方案涉及一种方法，用于制造光电子器件，其包括以下步骤：A）提供生长衬底（1），B）外延生长至少一层半导体层（2），以产生活性在工况区C）施加金属镜层 （3）在半导体层（2）上，d）将露出的至少一个接触层（8）的部件，e的生长衬底的分离电子接触）（1）（半导体层2）的，其中，所述半导体层的表面（2） ，F）通过图案化在其上在方法步骤e暴露表面的所述部分的蚀刻工艺来在半导体层（2））。

公开(公告)号：WO2003065420A3

公开(公告)日：2003-08-07

申请号：PCT/DE2003/000260

申请日：2003-01-30

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  FEHRER, Michael ,  HAHN, Berthold ,  HÄRLE, Volker ,  KAISER, Stephan ,  OTTE, Frank ,  PLÖSSL, Andreas

Inventor： FEHRER, Michael ,  HAHN, Berthold ,  HÄRLE, Volker ,  KAISER, Stephan ,  OTTE, Frank ,  PLÖSSL, Andreas

IPC: H01L31/18

Abstract: Die Erfindung beschreibt ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements, insbesondere eines Dünnschichtbauelements, wobei eine Halbleiterschicht durch Bestrahlung mit einem Laserstrahl, der ein plateauartiges räumliches Strahlprofil aufweist, von einem Substrat getrennt wird. Weiterhin wird die Halbleiterschicht vor der Trennung auf einen Träger mit einem angepaßten thermischen Ausdehnungskoeffizienten aufgebracht. Die Erfindung eignet sich insbesondere für Halbleiterschichten, die einen Nitridverbindungshalbleiter enthalten.

公开(公告)号：WO2014048797A2

公开(公告)日：2014-04-03

申请号：PCT/EP2013/069270

申请日：2013-09-17

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GÄRTNER, Christian ,  SCHLERETH, Thomas ,  SCHULZ, Roland ,  SCHNEIDER, Albert ,  KIRSCH, Markus ,  ALBRECHT, Tony ,  BESTELE, Michael ,  MARFELD, Jan ,  KAISER, Stephan

IPC: F21V7/00

CPC classification number: F21V7/0008 ,  F21K9/64 ,  F21Y2103/33 ,  F21Y2115/10

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform umfasst das Ringlichtmodul (1) mehrere lichtemittierende, optoelektronische Halbleiterbauteile (2), die je eine Hauptemissionsrichtung (20) aufweisen. Das Ringlichtmodul (1) beinhaltet einen Reflektor (3), der eine gekrümmte Reflexionsfläche aufweist (30). Es sind die Halbleiterbauteile (2) an einem Träger (4) angebracht. Die Halbleiterbauteile (2) sind, in Draufsicht auf die Reflexionsfläche (30) gesehen, entlang einer Anordnungslinie (42) ringförmig um die Reflexionsfläche (42) herum angeordnet. In einem Zentrum (44) weist der Reflektor (3) eine maximale Höhe auf, bezogen auf eine Bodenseite (40) des Ringlichtmoduls (1). Das Zentrum (44) befindet sich in einer geometrischen Mitte einer von der Anordnungslinie (42) umschlossenen Innenfläche. In Draufsicht auf die Reflexionsfläche (30) gesehen, weisen die Hauptemissionsrichtungen (20), mit einer Toleranz von höchstens 15°, je zu dem Zentrum (44) hin. Entlang der Anordnungslinie (42) sind die Halbleiterbauteile (2) dicht angeordnet.

Abstract translation: 在至少一个实施例中，环形灯模块（1）包括多个发光光电子半导体部件（2），每个发光光电子半导体部件具有主发射方向（20）。 环形灯模块（1）包括具有弯曲反射表面（30）的反射器（3）。 半导体器件（2）安装在载体（4）上。 在反射表面（30）的平面图中看到的半导体器件（2）沿着阵列线（42）环形地布置在反射表面（42）周围。 在中心（44）中，反射器（3）相对于环形灯模块（1）的底侧（40）具有最大高度。 中心（44）位于由排列线（42）包围的内表面的几何中心。 在反射表面（30）的平面图中看，具有至多15°的公差的主发射方向（20）指向中心（44）。 沿着阵列线（42），半导体器件（2）密集排列。

公开(公告)号：WO2014044556A1

公开(公告)日：2014-03-27

申请号：PCT/EP2013/068478

申请日：2013-09-06

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GÄRTNER, Christian ,  SCHLERETH, Thomas ,  KAISER, Stephan

IPC: H01L33/08 ,  H01L33/38

CPC classification number: H01L33/38 ,  H01L33/08 ,  H01L33/10 ,  H01L33/14 ,  H01L33/382 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (10) angegeben, umfassend eine Halbleiterschichtenfolge (20), die mindestens zwei übereinander angeordnete aktive Bereiche (21, 22) aufweist, wobei die aktiven Bereiche (21, 22) jeweils einen ersten Halbleiterbereich (3) eines ersten Leitungstyps, einen zweiten Halbleiterbereich (5) eines zweiten Leitungstyps und eine zwischen dem ersten Halbleiterbereich (3) und dem zweiten Halbleiterbereich (5) angeordnete strahlungsemittierende aktive Schicht (4) aufweisen. Der optoelektronische Halbleiterchip (10) weist eine Spiegelschicht (6) auf, welche an einer von einer Strahlungsaustrittsfläche (13) abgewandten Seite der Halbleiterschichtenfolge (20) angeordnet ist, und mindestens zwei elektrische Kontakte (11, 12), welche an einer von der Strahlungsaustrittsfläche (13) abgewandten Seite der Spiegelschicht (6) angeordnet sind. Weiterhin wird eine Lichtquelle (30) mit dem optoelektronischen Halbleiterchip (10) angegeben. Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (10) angegeben, umfassend eine Halbleiterschichtenfolge (20), die mindestens zwei übereinander angeordnete aktive Bereiche (21, 22) aufweist, wobei die aktiven Bereiche (21, 22) jeweils einen ersten Halbleiterbereich (3) eines ersten Leitungstyps, einen zweiten Halbleiterbereich (5) eines zweiten Leitungstyps und eine zwischen dem ersten Halbleiterbereich (3) und dem zweiten Halbleiterbereich (5) angeordnete strahlungsemittierende aktive Schicht (4) aufweisen. Der optoelektronische Halbleiterchip (10) weist eine Spiegelschicht (6) auf, welche an einer von einer Strahlungsaustrittsfläche (13) abgewandten Seite der Halbleiterschichtenfolge (20) angeordnet ist, und mindestens zwei elektrische Kontakte (11, 12), welche an einer von der Strahlungsaustrittsfläche (13) abgewandten Seite der Spiegelschicht (6) angeordnet sind. Weiterhin wird eine Lichtquelle (30) mit dem optoelektronischen Halbleiterchip (10) angegeben.

Abstract translation: 提供了一种光电子半导体芯片（10），其包括半导体层序列（20），所述至少两个堆叠的有源区（21，22），其中，所述有源区（21,22）各自具有第一半导体区域（3）的第一导电类型的 第二导电类型的，并且所述第一半导体区域（3）和第二半导体区域（5）之间的第二半导体区域（5），其布置发射辐射的有源层（4）。 光电子半导体芯片（10）包括在其上从一个辐射出射面中的一个（13）的面向远离所述半导体层序列（20）的侧布置的反射镜层（6），和至少两个电触点（11，12）安装在所述辐射出射面中的一个 镜层（6）（13）的侧被布置为背向。 此外，光源（30）的光电子半导体芯片（10）被指定。 提供了一种光电子半导体芯片（10），其包括半导体层序列（20），所述至少两个堆叠的有源区（21，22），其中，所述有源区（21,22）各自具有第一半导体区域（3）的第一导电类型的 第二导电类型的，并且所述第一半导体区域（3）和第二半导体区域（5）之间的第二半导体区域（5），其布置发射辐射的有源层（4）。 光电子半导体芯片（10）包括在其上从一个辐射出射面中的一个（13）的面向远离所述半导体层序列（20）的侧布置的反射镜层（6），和至少两个电触点（11，12）安装在所述辐射出射面中的一个 镜层（6）（13）的侧被布置为背向。 此外，光源（30）的光电子半导体芯片（10）被指定。

公开(公告)号：WO2011131476A1

公开(公告)日：2011-10-27

申请号：PCT/EP2011/055203

申请日：2011-04-04

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  BRICK, Peter ,  FRANK, Joachim ,  HILLER, Uli ,  KAISER, Stephan ,  KUHN, Gerhard ,  MARKYTAN, Ales ,  MUSCHAWECK, Julius ,  NEUGIRG, Christian

Inventor： BRICK, Peter ,  FRANK, Joachim ,  HILLER, Uli ,  KAISER, Stephan ,  KUHN, Gerhard ,  MARKYTAN, Ales ,  MUSCHAWECK, Julius ,  NEUGIRG, Christian

IPC: F21V11/14 ,  F21K99/00

CPC classification number: G02B6/0001 ,  F21K9/00 ,  F21V11/14 ,  G02B6/0036 ,  G02B6/0058 ,  G02B6/0073 ,  G09F13/04

Abstract: Es wird eine Flächenlichtquelle mit einer Leuchtfläche (6) angegeben, die mindestens einen Halbleiterkörper (2), der im Betrieb elektromagnetische Strahlung von seiner Vorderseite (3) emittiert, umfasst und weiterhin Auskoppelstrukturen (7) aufweist, die dazu geeignet sind, eine lokale Änderung der Leuchtdichte auf der Leuchtfläche (6) zu erzeugen, so dass die Leuchtdichte (6) in zumindest einem Leuchtbereich (8) gegenüber einem Hintergrundbereich (9) erhöht ist.

Abstract translation: 提供了一种具有一个光发射表面（6）包括至少一个半导体本体的面光源（2），其从它的前侧发射电磁辐射（3）在操作中，并且进一步输出耦合结构（7），其适合于局部变化 以产生光发射表面（6）上的亮度，从而使亮度（6）中的至少一个发光区域（8）相对于增大到背景区域（9）。

公开(公告)号：WO2006012838A2

公开(公告)日：2006-02-09

申请号：PCT/DE2005/001276

申请日：2005-07-20

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  HAHN, Berthold ,  HÄRLE, Volker ,  KAISER, Stephan ,  PLÖSSL, Andreas

Inventor： HAHN, Berthold ,  HÄRLE, Volker ,  KAISER, Stephan ,  PLÖSSL, Andreas

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/405 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3185 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/83 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/62 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2221/68354 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00

Abstract: Zur Herstellung von Halbleiterchips (1) in Dünnfilmtechnik wird eine aktive Schichtenfolge auf einem Wachstumssubstrat (3) aufgebracht auf der anschließend eine strukturierte re­flektierende elektrisch leitfähige Kontaktmaterialschicht (4) ausgebildet wird. Dann wird die aktive Schichtenfolge zu ak­tiven Schichtstapeln (2) strukturiert, so dass sich auf jedem aktiven Schichtstapel (2) eine reflektierende elektrisch leitfähige Kontaktmaterialschicht (4) befindet. Anschließend wird als Hilfsträgerschicht eine flexible elektrisch leitfä­hige Folie (6) auf die Kontaktmaterialschichten (4) aufge­bracht und das Wachstumssubstrat entfernt.

Abstract translation:

形成在d导航中使用的制造半导体芯片（1）的通断接触材料层（4）;有源层序列nnfilmtechnik施加到生长衬底（3）上的后续ROAD结束的结构化重新＆害羞;抑扬导电＆AUML ， 然后，将有源层序列图案化成有源层堆叠（2），使得反射性导电接触材料层（4）位于每个有源层堆叠（2）上。 随后，作为虚设支撑层，将柔性导电片（6）放置在接触材料层（4）上并去除生长衬底

公开(公告)号：WO2005106972A1

公开(公告)日：2005-11-10

申请号：PCT/DE2004/000892

申请日：2004-04-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  HAHN, Berthold ,  KAISER, Stephan ,  HÄRLE, Volker

Inventor： HAHN, Berthold ,  KAISER, Stephan ,  HÄRLE, Volker

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/22 ,  H01L33/0079

Abstract: Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Mikrostrukturierung einer strahlungsemittierenden Fläche einer Halbleiterschichtfolge für einen Dünnschicht-Leuchtdiodenchip, mit folgenden Verfahrensschritten: a) Aufwachsen der Halbleiterschichtfolge auf einem Substrat; b) Ausbilden oder Aufbringen einer Spiegelschicht (7) auf der Halbleiterschichtfolge, die zumindest einen Teil einer in der Halbleiterschichtfolge bei deren Betrieb erzeugten und zur Spiegelschicht hin gerichteten Strahlung in die Halbleiterschichtfolge zurückreflektiert; c) Trennen der Halbleiterschichtfolge vom Substrat mittels eines Abhebe-Verfahrens, bei dem eine Trennzone in der Halbleiterschichtfolge zumindest teilweise zersetzt wird, derart, dass an der Trennfläche der Halbleiterschichtfolge, von der das Substrat abgetrennt ist, anisotrop Rückstände (20) eines Bestandteils der Trennzone, insbesondere eines metallischen Bestandteils der Trennschicht verbleiben; und d) Ätzen der mit den Rückständen versehenen Trennfläche der Halbleiterschichtfolge, bei dem die anisotropen Rückstände zumindest temporär als Ätzmaske verwendet werden.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于微结构的半导体层序列的发射辐射的表面的薄膜发光二极管芯片，包括以下步骤：a）在衬底上的半导体层序列的增长; b）形成或沉积镜层（7）在半导体层序列，其至少反映在其朝向半导体层序列中的反射镜层中的操作过程中在半导体层序列产生的辐射和一部分; c）以在其中半导体层序列中的分离区被至少部分地分解，剥离方法的手段从基底分离半导体层序列，使得在从该衬底在分离区的部件的各向异性分离残基（20）中的半导体层序列的接口 依然存在，特别是分离层的金属成分的; 以及d）蚀刻设置有半导体层序列的残基，其中，所述各向异性残基是至少暂时分离区域，作为蚀刻掩模。

公开(公告)号：WO2004068572A3

公开(公告)日：2004-08-12

申请号：PCT/DE2004/000123

申请日：2004-01-27

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  KAISER, Stephan ,  HÄRLE, Volker ,  HAHN, Berthold

Inventor： KAISER, Stephan ,  HÄRLE, Volker ,  HAHN, Berthold

IPC: H01L33/00

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements, bei dem eine Halbleiterschicht (2) von einem Substrat (1) durch Bestrahlen mit Laserimpulsen getrennt wird, wobei die Impulsdauer der Laserimpulse kleiner oder gleich 10 ns ist. Die Laserimpulse weisen ein räumliches Strahlprofil auf, dessen Flankensteilheit so gering gewählt ist, dass bei der Trennung von Halbleiterschicht (2) und Substrat (1) Risse in der Halbleiterschicht (2), die durch thermisch induzierte laterale Verspannungen entstehen, vermieden werden.

公开(公告)号：EP1774599B1

公开(公告)日：2015-11-04

申请号：EP05770659.0

申请日：2005-07-20

Applicant: OSRAM Opto Semiconductors GmbH

Inventor： HAHN, Berthold ,  HÄRLE, Volker ,  KAISER, Stephan ,  PLÖSSL, Andreas

IPC: H01L21/78 ,  H01L23/00 ,  H01L23/31 ,  H01L21/683 ,  H01L33/00 ,  H01L33/40 ,  H01L33/62

CPC classification number: H01L33/405 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3185 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/83 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/62 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2221/68354 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：EP2517271A1

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：EP10795318.4

申请日：2010-12-15

Applicant: OSRAM Opto Semiconductors GmbH

Inventor： KUNZ, Thorsten ,  KAISER, Stephan

IPC: H01L33/50 ,  G02F1/13357

CPC classification number: H01L33/50 ,  G02F1/133603 ,  H01L25/0753 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: The invention relates to a light emitting diode assembly (1) having a first light emitting diode chip (2), a second light emitting diode chip (3) and a light emission conversion element (4, 4a, 4b). The first light emitting diode chip (2) is designed to emit blue light. The second light emitting diode chip (3) comprises a semiconductor layer sequence, which is designed to emit green light. The light emission conversion element (4, 4a, 4b) is designed to convert a part of the blue light emitted by the first light emitting diode chip (2) to red light. The light emitting diode assembly (1) is designed to radiate mixed light which comprises blue light from the first light emitting diode chip (2), green light from the second light emitting diode chip (3) and red light from the light emission conversion element (4). The invention also relates to a backlighting device (10) and to a display device.