公开(公告)号：WO2019057830A1

公开(公告)日：2019-03-28

申请号：PCT/EP2018/075490

申请日：2018-09-20

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： TÅNGRING, Ivar ,  SCHLERETH, Thomas

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/62 ,  H01L27/02

Abstract: Es wird ein elektronisches Bauteil angegeben, mit - einer ersten Kontaktstelle (11) zur n-seitigen Kontaktierung, - einer zweiten Kontaktstelle (12) zur p-seitigen Kontaktierung, und - einer Schutzdiode (20), die zur ersten Kontaktstelle (11) und zur zweiten Kontaktstelle (12) antiparallel verschaltet ist, wobei - die Schutzdiode (20) eine erste Diodenstruktur (21) umfasst, die p-leitend ist, - die Schutzdiode (20) eine zweite Diodenstruktur (22) umfasst, die n-leitend ist, - die erste Diodenstruktur (21) als Schicht ausgebildet ist, die stellenweise mit der ersten Kontaktstelle (11) in einem ersten Überlappungsbereich (71) überlappt, - die zweite Diodenstruktur (22) als Schicht ausgebildet ist, die stellenweise mit der zweiten Kontaktstelle (12) in einem zweiten Überlappungsbereich (72) überlappt, und - die erste Diodenstruktur (21) und die zweite Diodenstruktur (22) in einem dritten Überlappungsbereich (73) miteinander überlappen.

公开(公告)号：WO2014114407A1

公开(公告)日：2014-07-31

申请号：PCT/EP2013/076431

申请日：2013-12-12

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ALBRECHT, Tony ,  SCHLERETH, Thomas ,  SCHNEIDER, Albert

IPC: H01L33/54 ,  H01L33/50 ,  H01L33/48

CPC classification number: H01L33/502 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/486 ,  H01L33/50 ,  H01L33/54 ,  H01L33/56 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18301 ,  H01L2933/005 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl optoelektronischer Bauelemente mit den folgenden Schritten angegeben: - Bereitstellen eines Hilfsträgerwafers (1) mit Kontaktstrukturen (4), wobei der Hilfsträgerwafer Glas, Saphir oder ein Halbleitermaterial aufweist, - Aufbringen einer Vielzahl an strahlungsemittierenden Halbleiterkörpern (5) auf die Kontaktstrukturen (4), - Verkapseln zumindest der Kontaktstrukturen (4) mit einem Verguss (10), und - Entfernen des Hilfsträgerwafers (1). Weiterhin wird ein optoelektronisches Bauelement angegeben.

Abstract translation: 提供了一种制造多个光电器件的方法，包括以下步骤的方法： - 提供在基座晶片（1）与接触结构（4），所述辅助载体晶片玻璃，蓝宝石，或半导体材料，其包括， - 施加多个发射辐射的半导体本体（5）的 上的接触结构（4）， - 封装至少所述接触结构（4）用封装（10），以及 - 去除所述辅助载体晶片（1）。 此外，光电元件中指定。

公开(公告)号：WO2021250202A1

公开(公告)日：2021-12-16

申请号：PCT/EP2021/065701

申请日：2021-06-10

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SCHLERETH, Thomas ,  BELLYNCK, Gregory ,  BESTELE, Michael

IPC: H01L33/54 ,  H01L33/58 ,  H01L33/62 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0058 ,  H01L2933/0066

Abstract: Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement, das einen zur Lichterzeugung ausgestalteter Halbleiterkörper (10) mit einer Lichtaustrittsfläche umfasst. An dieser grenzt eine Primärlinse (20) an. Weiterhin sind wenigstens zwei Blockierelemente (12, 13) vorgesehen, insbesondere als Bonddrahtelemente ausgebildet, welche an zwei unterschiedlichen Teilbereichen der Primärlinse (20) anliegen und/oder durch diese teilweise hindurchragen und in Form und/oder Anordnung ausgestaltet sind, eine Ausdehnung der Primärlinse durch dessen Oberflächenspannung in einer durch die Anordnung der Blockierelemente abhängigen Form zu begrenzen.

公开(公告)号：WO2018184843A1

公开(公告)日：2018-10-11

申请号：PCT/EP2018/057133

申请日：2018-03-21

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： TÅNGRING, Ivar ,  SCHLERETH, Thomas

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/50 ,  H01L33/48

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl strahlungsemittierender Halbleiterbauelemente mit den folgenden Schritten angegeben: - Bereitstellen eines Hilfsträgers (1, 1`), - Aufbringen einer Vielzahl strahlungsemittierender Halbleiterchips (2) auf den Hilfsträger (1, 1`) mit ihren Rückseite, - Aufbringen einer ersten Vergussmasse (8), so dass ein Halbleiterchipverbund entsteht, und - Trennen des Halbleiterchipverbunds jeweils zwischen zwei Halbleiterchips (2) mittels Sägen, wobei der Hilfsträger (1,1`) nicht durchtrennt wird, so dass zumindest auf Seitenflächen der Halbleiterchips (2) jeweils eine Schicht der ersten Vergussmasse (8) entsteht. Außerdem werden ein weiteres Verfahren und eine strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement angegeben.

公开(公告)号：WO2013117700A1

公开(公告)日：2013-08-15

申请号：PCT/EP2013/052549

申请日：2013-02-08

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SCHLERETH, Thomas ,  KAISER, Stephan ,  LINKOV, Alexander

IPC: H01L33/46 ,  H01L33/52 ,  H01L31/0216

CPC classification number: H01L31/16 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/02325 ,  H01L31/02327 ,  H01L33/46 ,  H01L33/52 ,  H01L33/56 ,  H01L33/58 ,  H01L33/60 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014

Abstract: Es wird ein Halbleiterbauelement (100) angegeben, das zumindest einen Halbleiterchip (1) aufweist, der eine Strahlungsdurchtrittsfläche (10) und eine der Strahlungsdurchtrittsfläche (10) gegenüberliegende Montagefläche (11) aufweist. Die Montagefläche (11) weist eine erste elektrische Kontaktstruktur (2a) und eine von der ersten elektrischen Kontaktstruktur elektrisch isolierte zweite elektrische Kontaktstruktur (2b) auf. Die Strahlungsdurchtrittsfläche (10) ist frei von Kontaktstrukturen. Eine reflektierende Umhüllung, die den Halbleiterchip (1) bereichsweise umhüllt, und eine Schutzumhüllung (8), die den Halbleiterchip (1) und/oder die reflektierende Umhüllung (5) zumindest bereichsweise umhüllt, sind vorgesehen. Zudem ist eine Anordnung mit einer Mehrzahl derartiger Halbleiterbauelemente (100) angegeben.

Abstract translation: 公开的是具有至少一个半导体芯片（1），具有辐射穿透面（10）和所述辐射穿透面（10）的安装表面（11）相对的所述的半导体装置（100）。 所述安装表面（11）具有一个第一电接触结构（2a）和一个从所述第一电接触结构的第二电接触结构（2b）的电绝缘。 辐射穿透面（10）是自由接触结构。 的反射外壳，其在半导体芯片（1）部分地包裹，和（8）连接所述半导体芯片（1）和/或所述反射罩（5）至少部分地包裹一保护性护套中，提供了。 此外，有多个这样的半导体器件（100）的布置中指定。

公开(公告)号：WO2017162530A1

公开(公告)日：2017-09-28

申请号：PCT/EP2017/056345

申请日：2017-03-17

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HOFMANN, Markus ,  SCHLERETH, Thomas ,  BESTELE, Michael

IPC: F21K9/232 ,  H01L25/075 ,  H01L33/50 ,  F21Y103/10 ,  F21Y115/10 ,  H01L25/16 ,  H01L33/00

Abstract: Es wird ein Filament (10) mit einem strahlungsdurchlässigen Substrat (1), einer Mehrzahl von Licht emittierenden Dioden (LEDs) und einer Konverterschicht (3) angegeben, wobei die LEDs (2) auf dem Substrat angeordnet sind und die Konverterschicht die LEDs und das Substrat bedeckt, wobei die Konverterschicht auf einer Oberseite (11) des Substrats eine erste Teilschicht (31) und auf einer Unterseite (12) des Substrats eine zweite Teilschicht (32) aufweist, und wobei die Konverterschicht zur Erzielung eines verbesserten Abstrahlprofils des Filaments derart eingerichtet ist, dass: die Konverterschicht (3) eine variierende vertikale Schichtdicke (D) entlang einer lateralen Richtung aufweist, und/oder sich die erste Teilschicht (31) und die zweite Teilschicht (32) hinsichtlich deren Geometrie und/oder deren Materialzusammensetzung voneinander unterscheiden. Des Weiteren werden ein Leuchtmittel (100) mit solchen Filamenten (10) und ein Verfahren zur Herstellung zumindest eines solchen Filaments angegeben.

Abstract translation:

这是一个灯丝（10），其具有的发光二极管给予strahlungsdurchl BEAR（LED）和一个转换器层（3）LAR衬底（1），多个，其中，在所述发光二极管（2） 基板被布置，并且所述转换器层，所述发光二极管和所述衬底覆盖，其中，在所述基板的顶表面（11）的第一局部层（31）的转换器层和在所述基板的下侧（12）具有第二局部层（32），并且其中所述 转换器层被设置成实现该丝极的改进的辐射轮廓以这样的方式：所述转换器层（3）的变化的沿着横向方向的垂直厚度（d），和/或所述第一部分层（31）和所述第二子层（32）相对于 其几何形状和/或材料组成彼此不同。 此外，指出了具有这种丝（10）的发光装置（100）以及用于生产至少一个这种丝的方法。

公开(公告)号：WO2017037010A1

公开(公告)日：2017-03-09

申请号：PCT/EP2016/070302

申请日：2016-08-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SCHLERETH, Thomas ,  TÅNGRING, Ivar ,  ALBRECHT, Tony

IPC: H01L33/50 ,  H01L25/075

CPC classification number: H01L25/0753 ,  H01L33/54 ,  H01L33/62 ,  H01L33/642 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2933/005 ,  H01L2924/00014

Abstract: In einer Ausführungsform dient das Verfahren zur Herstellung von Leuchtdiodenfilamenten (10) und umfasst die Schritte: A) Aufbringen von Leuchtdiodenchips (3) direkt auf einen ersten Träger (1), B) Abdecken der Leuchtdiodenchips (3) mit einem zweiten Träger (2), C) Umspritzen der Leuchtdiodenchips (3) mit einem Vergusskörper (4) zu einem zusammenhängenden Filamentverbund (40), wobei die beiden Träger (1, 2) als Gussformen dienen und wobei der Vergusskörper (4) direkt an die Leuchtdiodenchips (3) angeformt wird, D) Entfernen des ersten Trägers (1) oder des zweiten Trägers (2) oder von beiden Trägern (1, 2), E) Anbringen von elektrischen Verbindungen (5) an den Vergusskörper (4) und zwischen den Leuchtdiodenchips (3), sodass die Leuchtdiodenchips (3) elektrisch verschaltet werden, und F) Vereinzeln des Filamentverbunds (40) zu den Leuchtdiodenfilamenten (10), wobei jedes der fertigen Leuchtdiodenfilamente (10) mechanisch selbsttragend ist, mindestens acht der Leuchtdiodenchips (3) umfasst und ein Verhältnis aus Länge zu Breite von mindestens 15 aufweist.

Abstract translation: 在一个实施例中，用于Leuchtdiodenfilamenten（10）的使用和制备方法包括以下步骤：A）在第一支撑的发光二极管芯片（3）应用程序（1），B），其覆盖所述发光二极管芯片（3）（与第二载波2） ，C）将LED芯片（3）配有一个铸造体封装（4）（以连续长丝组件40），其中，所述两个支撑件（1,2）作为模具和（4）（直接到LED芯片3所形成的铸造体的） 是，D）移除所述第一载体（1）或所述第二载波的（2）或（两个载波1，2）中，e）安装电连接（5）到铸造体的（4）和所述发光二极管芯片（3）之间 使得发光二极管芯片（3）电连接，和F）的灯丝组件（40的分离）到Leuchtdiodenfilamenten（10），每个成品Leuchtdiodenfilamente（10）机械地自支撑的，所述LED芯片至少八个 （3），并具有长度以至少15°的宽度的比率。

公开(公告)号：WO2014111384A1

公开(公告)日：2014-07-24

申请号：PCT/EP2014/050609

申请日：2014-01-14

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GÄRTNER, Christian ,  SCHLERETH, Thomas ,  BESTELE, Michael

IPC: H01L33/40 ,  H01L33/64 ,  H01L33/00 ,  H01L33/38 ,  H01L33/46

CPC classification number: H01L33/642 ,  H01L33/486 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (10) angegeben, umfassend : - eine Halbleiterschichtenfolge (20) mit einem ersten Halbleiterbereich (3) eines ersten Leitungstyps, einem zweiten Halbleiterbereich (5) eines zweiten Leitungstyps und einer zwischen dem ersten Halbleiterbereich (3) und dem zweiten Halbleiterbereich (5) angeordneten strahlungsemittierenden aktiven Schicht (4), - eine Strahlungsaustrittsfläche (13), - eine Spiegelschicht (6), welche an einer von der Strahlungsaustrittsfläche (13) abgewandten Seite der Halbleiterschichtenfolge (20) angeordnet ist, - einen ersten und einen zweiten elektrischen Kontakt (11, 12), wobei mindestens einer der elektrischen Kontakte (11, 12) ein Rückseitenkontakt ist, der an einer von der Strahlungsaustrittsfläche (13) abgewandten Rückseite des Halbleiterchips (10) angeordnet ist, und - mindestens eine thermische Anschlussschicht (9), welche an der Rückseite des Halbleiterchips (10) angeordnet ist, wobei die thermische Anschlussschicht (9) elektrisch von der Halbleiterschichtenfolge (20) isoliert ist.

Abstract translation: 提供了一种光电子半导体芯片（10），包括： - 具有第一半导体区域（3）的第一导电类型的，第二半导体区域（5）的第二导电类型的与第一半导体区域（3）之间和所述第二半导体层序列（20） 半导体区域（5），其布置发射辐射的有源层（4）， - 辐射出射面（13）， - 一个镜层（6），布置有从辐射出射表面中的一个（13）的面向远离所述半导体层序列（20）的侧上， - 一个第一和一个 第二电接触件（11，12），其中，所述电触点中的至少一个（11，12）是背面接触，从半导体芯片的辐射出射表面（13）中的一个背向的背面（10）布置，和 - 至少一个热连接层（ 9），其布置在半导体芯片（10），其中，所述热Anschlusssch的背侧 层（9）电气上与半导体层序列（20）是分离的绝缘。

公开(公告)号：WO2014044556A1

公开(公告)日：2014-03-27

申请号：PCT/EP2013/068478

申请日：2013-09-06

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GÄRTNER, Christian ,  SCHLERETH, Thomas ,  KAISER, Stephan

IPC: H01L33/08 ,  H01L33/38

CPC classification number: H01L33/38 ,  H01L33/08 ,  H01L33/10 ,  H01L33/14 ,  H01L33/382 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (10) angegeben, umfassend eine Halbleiterschichtenfolge (20), die mindestens zwei übereinander angeordnete aktive Bereiche (21, 22) aufweist, wobei die aktiven Bereiche (21, 22) jeweils einen ersten Halbleiterbereich (3) eines ersten Leitungstyps, einen zweiten Halbleiterbereich (5) eines zweiten Leitungstyps und eine zwischen dem ersten Halbleiterbereich (3) und dem zweiten Halbleiterbereich (5) angeordnete strahlungsemittierende aktive Schicht (4) aufweisen. Der optoelektronische Halbleiterchip (10) weist eine Spiegelschicht (6) auf, welche an einer von einer Strahlungsaustrittsfläche (13) abgewandten Seite der Halbleiterschichtenfolge (20) angeordnet ist, und mindestens zwei elektrische Kontakte (11, 12), welche an einer von der Strahlungsaustrittsfläche (13) abgewandten Seite der Spiegelschicht (6) angeordnet sind. Weiterhin wird eine Lichtquelle (30) mit dem optoelektronischen Halbleiterchip (10) angegeben. Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (10) angegeben, umfassend eine Halbleiterschichtenfolge (20), die mindestens zwei übereinander angeordnete aktive Bereiche (21, 22) aufweist, wobei die aktiven Bereiche (21, 22) jeweils einen ersten Halbleiterbereich (3) eines ersten Leitungstyps, einen zweiten Halbleiterbereich (5) eines zweiten Leitungstyps und eine zwischen dem ersten Halbleiterbereich (3) und dem zweiten Halbleiterbereich (5) angeordnete strahlungsemittierende aktive Schicht (4) aufweisen. Der optoelektronische Halbleiterchip (10) weist eine Spiegelschicht (6) auf, welche an einer von einer Strahlungsaustrittsfläche (13) abgewandten Seite der Halbleiterschichtenfolge (20) angeordnet ist, und mindestens zwei elektrische Kontakte (11, 12), welche an einer von der Strahlungsaustrittsfläche (13) abgewandten Seite der Spiegelschicht (6) angeordnet sind. Weiterhin wird eine Lichtquelle (30) mit dem optoelektronischen Halbleiterchip (10) angegeben.

Abstract translation: 提供了一种光电子半导体芯片（10），其包括半导体层序列（20），所述至少两个堆叠的有源区（21，22），其中，所述有源区（21,22）各自具有第一半导体区域（3）的第一导电类型的 第二导电类型的，并且所述第一半导体区域（3）和第二半导体区域（5）之间的第二半导体区域（5），其布置发射辐射的有源层（4）。 光电子半导体芯片（10）包括在其上从一个辐射出射面中的一个（13）的面向远离所述半导体层序列（20）的侧布置的反射镜层（6），和至少两个电触点（11，12）安装在所述辐射出射面中的一个 镜层（6）（13）的侧被布置为背向。 此外，光源（30）的光电子半导体芯片（10）被指定。 提供了一种光电子半导体芯片（10），其包括半导体层序列（20），所述至少两个堆叠的有源区（21，22），其中，所述有源区（21,22）各自具有第一半导体区域（3）的第一导电类型的 第二导电类型的，并且所述第一半导体区域（3）和第二半导体区域（5）之间的第二半导体区域（5），其布置发射辐射的有源层（4）。 光电子半导体芯片（10）包括在其上从一个辐射出射面中的一个（13）的面向远离所述半导体层序列（20）的侧布置的反射镜层（6），和至少两个电触点（11，12）安装在所述辐射出射面中的一个 镜层（6）（13）的侧被布置为背向。 此外，光源（30）的光电子半导体芯片（10）被指定。

公开(公告)号：WO2013182358A1

公开(公告)日：2013-12-12

申请号：PCT/EP2013/059233

申请日：2013-05-03

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SCHLERETH, Thomas ,  BESTELE, Michael ,  GÄRTNER, Christian ,  GEBUHR, Tobias ,  GALLMEIER, Hans-Christoph ,  HOLZER, Peter ,  ARNDT, Karlheinz ,  SCHNEIDER, Albert

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/62 ,  G01R31/26 ,  H01L33/48

CPC classification number: H01L21/78 ,  G01R31/2635 ,  H01L21/50 ,  H01L22/10 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49565 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/486 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2924/00014

Abstract: In einer Ausführungsform ist das Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen (1) eingerichtet und umfasst die Schritte: Bereitstellen eines Leiterrahmenverbunds (20) mit einer Vielzahl von Leiterrahmen (2) mit je mindestens zwei Leiterrahmenteilen (21, 22); Umformen mindestens eines Teils des Leiterrahmenverbunds (20) mit einem Gehäusematerial für Gehäusekörper (4); Unterbrechen des Leiterrahmenverbunds (20) zwischen zumindest eines Teils von Spalten (C) und/oder Zeilen (R), wobei die Leiterrahmen (2) matrixförmig angeordnet bleiben; Bestücken der Leiterrahmen (2) mit mindestens einem optoelektronischen Halbleiterchip (3); Testen mindestens eines Teils der mit den Halbleiterchips (3) bestückten und mit dem Gehäusematerial umformten Leiterrahmen (2) nach dem Schritt des Unterbrechens; und Vereinzeln zu den Halbleiterbauteilen (1) nach dem Schritt des Umformens und nach dem Schritt des Testens.

Abstract translation: 在一个实施例中用于生产光电半导体部件（1）的方法被布置并包括以下步骤：提供具有多个引线框架（2）各自具有至少两个引线框架部件（21，22）的引线框架组件（20）; 至少形成引线框架组件（20）具有用于所述壳体主体上的壳体材料的部分（4）; 至少塔（C）和/或部分行（R），其中所述引线框架（2）保持以矩阵形式布置之间中断所述引线框架组件（20）; 与至少一个光电子半导体芯片装载引线框（2）（3）; 半导体芯片（3）的测试的至少一部分，并配有外壳材料具有重拍引线框（2）中断的步骤之后; 和成形步骤后的半导体组件（1）中分离，并且测试的步骤之后。