Abstract:
Optoelektronische Bauelementevorrichtung, Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Bauelementevorrichtung und Verfahren zum Betreiben einer optoelektronischen Bauelementevorrichtung In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird eine optoelektronische Bauelementevorrichtung (100), die optoelektronische Bauelementevorrichtung (100) aufweisend: mehrere optoelektronische Bauelemente (104), eingerichtet zum Bereitstellen und/oder Aufnehmen von elektromagnetischer Strahlung (102); einen Reflektor (110), der im Strahlengang der elektromagnetischen Strahlung der mehreren optoelektronischen Bauelemente (104) angeordnet ist, und der eine wenigstens teilweise bezüglich der bereitgestellten elektromagnetischen Strahlung (102) reflektierende Oberfläche (112) aufweist; wobei die mehreren optoelektronischen Bauelemente (104) den Reflektor (110) wenigstens teilweise umgeben oder wenigstens teilweise von dem Reflektor (104) umgeben sind; und wobei der Reflektor (110) derart eingerichtet ist, dass er eine bereitgestellte elektromagnetische Strahlung derart reflektiert, dass eine vorgegebene Feldverteilung der reflektierten elektromagnetischen Strahlung in der Bildebene der optoelektronischen Bauelementevorrichtung (100) ausgebildet wird.
Abstract:
Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelementes mit den folgenden Schritten offenbart: - Bereitstellen eines Substrates (1) mit einer ersten Hauptfläche (2) und einer zweiten Hauptfläche (3), die der ersten Hauptfläche (1) gegenüberliegt, - Befestigen eines Halbleiterkörpers (4), der geeignet ist, elektromagnetische Strahlung von einer Vorderseite (5) zu emittieren, auf der ersten Hauptfläche (2) des Substrates (1), und - Aufbringen einer Umhüllung, die durchlässig ist für Strahlung des optoelektronischen Halbleiterkörpers (4), zumindest über der Vorderseite (5) des Halbleiterkörpers (4), bei dem die Umhüllung als optisches Element (19) ausgebildet wird unter Verwendung einer geschlossenen Kavität (18), die die Kontur des optischen Elementes (19) aufweist. Weiterhin wird ein optoelektronisches Bauelement beschrieben.
Abstract:
In einer Ausführungsform ist das Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen (1) eingerichtet und umfasst die Schritte: Bereitstellen eines Leiterrahmenverbunds (20) mit einer Vielzahl von Leiterrahmen (2) mit je mindestens zwei Leiterrahmenteilen (21, 22); Umformen mindestens eines Teils des Leiterrahmenverbunds (20) mit einem Gehäusematerial für Gehäusekörper (4); Unterbrechen des Leiterrahmenverbunds (20) zwischen zumindest eines Teils von Spalten (C) und/oder Zeilen (R), wobei die Leiterrahmen (2) matrixförmig angeordnet bleiben; Bestücken der Leiterrahmen (2) mit mindestens einem optoelektronischen Halbleiterchip (3); Testen mindestens eines Teils der mit den Halbleiterchips (3) bestückten und mit dem Gehäusematerial umformten Leiterrahmen (2) nach dem Schritt des Unterbrechens; und Vereinzeln zu den Halbleiterbauteilen (1) nach dem Schritt des Umformens und nach dem Schritt des Testens.
Abstract:
Es wird ein Leiterrahmen (1) für die Herstellung einer Vielzahl optoelektronischer Bauelemente angegeben, der mindestens einen Montagebereich (2) aufweist, der eine Vielzahl von Chipmontageflächen (8) für eine Vielzahl von Halbleiterchips aufweist. Neben dem Montagebereich (2) sind an mindestens einer Hauptfläche (3, 4) des Leiterrahmens (1) eine oder mehrere Nuten (5, 6) zur Reduzierung mechanischer Spannungen in dem Leiterrahmen (1) ausgebildet, die den Leiterrahmen (1) nicht vollständig durchdringen. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl optoelektronischer Bauelemente auf einem derartigen Leiterrahmen angegeben.
Abstract:
In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils (1) beinhaltet dieses mindestens einen optoelektronischen Halbleiterchip (2) mit einer Dicke von höchstens 200ym sowie einen Anschlussträger (4) mit mindestens zwei elektrischen Anschlussstellen (5a, 5b, 9) zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterchips (2). Der Halbleiterchip (2) ist direkt auf den Anschlusstäger (4) aufgebracht und stellenweise von einem Vergusskörper (3) umgeben. Der Vergusskörper (3) steht ebenfalls in direktem Kontakt zum Anschlussträger (4). Ein solches optoelektronisches Bauteil (1) ist leicht zu fertigen, kostengünstig herzustellen, besitzt gute optische Eigenschaften und ist alterungsstabil.
Abstract:
In mindestens einer Ausführungsform umfasst das Ringlichtmodul (1) mehrere lichtemittierende, optoelektronische Halbleiterbauteile (2), die je eine Hauptemissionsrichtung (20) aufweisen. Das Ringlichtmodul (1) beinhaltet einen Reflektor (3), der eine gekrümmte Reflexionsfläche aufweist (30). Es sind die Halbleiterbauteile (2) an einem Träger (4) angebracht. Die Halbleiterbauteile (2) sind, in Draufsicht auf die Reflexionsfläche (30) gesehen, entlang einer Anordnungslinie (42) ringförmig um die Reflexionsfläche (42) herum angeordnet. In einem Zentrum (44) weist der Reflektor (3) eine maximale Höhe auf, bezogen auf eine Bodenseite (40) des Ringlichtmoduls (1). Das Zentrum (44) befindet sich in einer geometrischen Mitte einer von der Anordnungslinie (42) umschlossenen Innenfläche. In Draufsicht auf die Reflexionsfläche (30) gesehen, weisen die Hauptemissionsrichtungen (20), mit einer Toleranz von höchstens 15°, je zu dem Zentrum (44) hin. Entlang der Anordnungslinie (42) sind die Halbleiterbauteile (2) dicht angeordnet.
Abstract:
In mindestens einer Ausführungsform weist das Ringlichtmodul (1) mehrere optoelektronische Halbleiterbauteile (2) zur Erzeugung einer elektromagnetischen Strahlung (R) auf. Ein Reflektor (3) des Ringlichtmoduls (1) weist eine Reflexionsfläche (30) auf. Die Halbleiterbauteile (2) sind an einem Träger (4) angebracht. Der Reflektor (3), in Draufsicht auf eine Strahlungshauptseite (45) des Ringlichtmoduls (1) gesehen, weist höchstens zwei Symmetrieebenen auf. In Richtung hin zur Strahlungshauptseite (45) verjüngt sich der Reflektor (3). Hauptemissionsrichtungen (20) von benachbarten Halbleiterbauteilen (2) sind mindestens zum Teil verschieden voneinander orientiert. Die Hauptemissionsrichtungen (20) weisen zu der Reflexionsfläche (30) hin.
Abstract:
Es ist ein optoelektronisches Bauelement (10) vorgesehen, das ein Gehäuse (1), mindestens einen in dem Gehäuse (1) angeordneten Halbleiterchip (2) und eine Vergussmasse (3) aufweist. Der Halbleiterchip (2) weist eine zur Erzeugung oder Detektion von elektromagnetischer Strahlung geeignete aktive Schicht auf. Die Vergussmasse (3) umschließt den Halbleiterchip (2) zumindest bereichsweise, wobei in der Vergussmasse (3) reflektierende Partikel (3a) eingebettet sind. Weiter sind ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Bauelements sowie eines Verbunds angegeben.
Abstract:
Eine optoelektronische Vorrichtung (10) umfasst ein optoelektronisches Bauelement (11) und ein auf einer ersten Hauptoberfläche (21) des optoelektronischen Bauelements (11) aufgebrachtes Konversionselement (12), wobei das Konversionselement (12) einen Rahmen (13) aus einem reflektierenden Material und Konversionsmaterial (14), das sich in dem Rahmen (13) befindet, aufweist, und wobei der Rahmen (13) seitlich über einen Licht emittierenden Bereich der ersten Hauptoberfläche (21) des optoelektronischen Bauelements (11) übersteht.
Abstract:
Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement (100) aufweisend eine Halbleiterschichtenfolge (1) mit einem aktiven Bereich, der zumindest über eine Hauptstrahlungsaustrittsfläche (11) in Betrieb Strahlung emittiert, ein freitragendes Konversionselement (2), das im Strahlengang der Halbleiterschichtenfolge (1) angeordnet ist, wobei das freitragende Konversionselement (2) ein Substrat (21) und nachfolgend eine erste Schicht (22) aufweist, wobei die erste Schicht (22) zumindest ein Konversionsmaterial (222) aufweist, das in einem Matrixmaterial (221) eingebettet ist, wobei das Matrixmaterial (221) zumindest ein kondensiertes Sol-Gel Material aufweist, wobei das kondensierte Sol-Gel Material einen Anteil zwischen 10 und 70 Vol% in der ersten Schicht (22) aufweist, wobei das Substrat (21) frei von dem Sol-Gel Material und dem Konversionsmaterial (222) ist und zur mechanischen Stabilisierung der ersten Schicht (22) dient.