公开(公告)号：WO2014048798A2

公开(公告)日：2014-04-03

申请号：PCT/EP2013/069274

申请日：2013-09-17

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ALBRECHT, Tony ,  SCHLERETH, Thomas ,  SCHULZ, Roland ,  GÄRTNER, Christian ,  BESTELE, Michael ,  MARFELD, Jan ,  KIRSCH, Markus ,  KAISER, Stephan

IPC: F21V7/00

CPC classification number: F21V7/0008 ,  F21K9/62 ,  F21K9/64 ,  F21V7/048 ,  F21V13/04 ,  F21Y2103/33 ,  F21Y2113/13 ,  F21Y2115/10

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform umfasst das Ringlichtmodul (1) mehrere erste und mehrere zweite Licht emittierende optoelektronische Halbleiterbauteile (2) mit je einer Hauptemissionsrichtung (20), wobei die ersten Halbleiterbauteile eine von den zweiten Halbleiterbauteilen verschiedene spektrale Emission aufweisen. Das Ringlichtmodul (1) beinhaltet einen Reflektor (3), der eine gekrümmte Reflexionsfläche aufweist (30). Es sind die Halbleiterbauteile (2) an einem Träger (4) angebracht. Die Halbleiterbauteile(2) sind, in Draufsicht auf die Reflexionsfläche (30) gesehen, entlang einer Anordnungslinie (42) ringförmig um die Reflexionsfläche (42) herum angeordnet. In einem Zentrum (44) weist der Reflektor (3) eine maximale Höhe auf, bezogen auf eine Bodenseite (40) des Ringlichtmoduls (1). Das Zentrum (44) befindet sich in einer geometrischen Mitte einer von der Anordnungslinie (42) umschlossenen Innenfläche. In Draufsicht auf die Reflexionsfläche (30) gesehen, weisen die Hauptemissionsrichtungen (20), mit einer Toleranz von höchstens 15°, je zu dem Zentrum (44) hin.

Abstract translation:

在至少一个示例性导航用途货币形成环形光模块（1）包括多个第一和多个第二发光光电半导体部件（2）的每一个都具有一个主发光方向（20），其中，从所述第二半导体器件的第一半导体组件不同 有光谱发射。 环形灯模块（1）包括具有弯曲反射表面（30）的反射器（3）。 半导体器件（2）安装在载体（4）上。 半导体部件（2）是，在看到车（30）的Reflexionsfl BEAR的平面图，沿着装配线（42）环状地＆OUML; RMIG所述Reflexionsfl BEAR表面（42）布置成围绕。 在一个中心（44），反射器（3）具有最大H＆ouml;到他基于所述环形发光模块（1）的底侧（40）。 中心（44）位于由排列线（42）包围的内表面的几何中心。 在看到车（30）的Reflexionsfl BEAR的平面图具有主发射方向（20），具有的H＆ouml一个公差; chstens 15°;，根据中心（44）朝着。

公开(公告)号：WO2011131446A1

公开(公告)日：2011-10-27

申请号：PCT/EP2011/054454

申请日：2011-03-23

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  BRICK, Peter ,  KAISER, Stephan ,  KUHN, Gerhard ,  MARKYTAN, Ales ,  MUSCHAWECK, Julius ,  NEUGIRG, Christian

Inventor： BRICK, Peter ,  KAISER, Stephan ,  KUHN, Gerhard ,  MARKYTAN, Ales ,  MUSCHAWECK, Julius ,  NEUGIRG, Christian

IPC: G02B6/00

CPC classification number: G02B6/0016 ,  G02B6/0035 ,  G02B6/0041 ,  G02B6/0068 ,  G02B6/0073 ,  G02B6/0076

Abstract: Es wird ein Flächenlichtleiter (1) angegeben, der eine entlang einer Haupterstreckungsebene des Flächenlichtleiters (1) verlaufende Strahlungsaustrittsfläche (10) aufweist und für eine seitliche Einkopplung von Strahlung vorgesehen ist, wobei - der Flächenlichtleiter (1) Streustellen (4) zur Streuung der eingekoppelten Strahlung aufweist; - der Flächenlichtleiter (1) eine erste Grenzfläche (15) und eine zweite Grenzfläche (16) aufweist, die eine Lichtleitung der eingekoppelten Strahlung in vertikaler Richtung begrenzen; und - zwischen der ersten Grenzfläche (31) und der zweiten Grenzfläche (32) in vertikaler Richtung eine erste Lage (11) und eine zweite Lage (12) aufeinander ausgebildet sind. Weiterhin wird ein Flächenstrahler (100) mit zumindest einem Flächenlichtleiter (1) angegeben.

Abstract translation: 本发明提供一种平面光导体（1），其具有延伸的一个沿着引导面的光的主延伸平面（1）辐射出射表面（10）和被设置用于辐射的侧向联接器，其中 - 所述表面光导体（1）的散射位点的耦合的散射（4） 具有辐射; - 表面光导（1）具有第一边界表面（15）并限定在垂直方向上注入的辐射的光线的第二接口（16）; 以及 - 第一接口（31）和在垂直方向上的第二接口（32）之间，依次形成的第一层（11）和第二层（12）。 此外，表面发射体（100）与所述光导（1）的至少一个表面被指定。

公开(公告)号：WO2011085897A1

公开(公告)日：2011-07-21

申请号：PCT/EP2010/069812

申请日：2010-12-15

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  KUNZ, Thorsten ,  KAISER, Stephan

Inventor： KUNZ, Thorsten ,  KAISER, Stephan

IPC: H01L33/50 ,  G02F1/13357

CPC classification number: H01L33/50 ,  G02F1/133603 ,  H01L25/0753 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Es wird eine Lumineszenzdiodenanordnung (1) mit einem ersten Lumineszenzdiodenchip (2), einem zweiten Lumineszenzdiodenchip (3) und einem Lumineszenzkonversionselement (4, 4a, 4b) angegeben. Der erste Lumineszenzdiodenchip (2) ist zur Emission blauen Lichts ausgebildet. Der zweite Lumineszenzdiodenchip (3) enthält eine Halbleiterschichtenfolge, die zur Emission grünen Lichts ausgebildet ist. Das Lumineszenzkonversionselement (4, 4a, 4b) ist zur Konversion eines Teils des vom ersten Lumineszenzdiodenchip (2) emittierten blauen Lichts in rotes Licht ausgebildet. Die Lumineszenzdiodenanordnung (1) ist zur Abstrahlung von Mischlicht ausgebildet, das blaues Licht des ersten Lumineszenzdiodenchips (2), grünes Licht des zweiten Lumineszenzdiodenchips (3) und rotes Licht des Lumineszenzkonversionselements (4) enthält. Weiter wird eine Hinterleuchtungsvorrichtung (10) und eine Anzeigevorrichtung angegeben.

Abstract translation: 这是一个Lumineszenzdiodenanordnung（1），具有第一LED芯片（2），第二LED芯片（3）和发光转换元件（4，4A，4B）表示。 第一LED芯片（2）被配置为发射蓝光。 包含半导体层序列，其被配置为发射绿光的第二发光二极管芯片（3）。 发光转换元件（4，4A，4B）被设计用于转换从所述第一LED芯片发射的（2）的蓝色光的一部分的成红色光。 所述Lumineszenzdiodenanordnung（1）被设计成发射的混合光，所述第一LED芯片的蓝色光（2），所述第二LED芯片的绿色光（3）和红光的发光转换元件（4）。 另外，背光源装置（10）和显示装置。

公开(公告)号：WO2014048896A1

公开(公告)日：2014-04-03

申请号：PCT/EP2013/069783

申请日：2013-09-24

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ALBRECHT, Tony ,  BESTELE, Michael ,  KAISER, Stephan ,  KIRSCH, Markus ,  MARFELD, Jan ,  SCHNEIDER, Albert

IPC: H01L33/60 ,  F21V7/00

CPC classification number: F21V14/04 ,  F21V7/0066 ,  G01J1/0414 ,  G01J1/42 ,  G01J1/4228 ,  H01L25/10 ,  H01L25/13 ,  H01L33/60 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Optoelektronische Bauelementevorrichtung, Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Bauelementevorrichtung und Verfahren zum Betreiben einer optoelektronischen Bauelementevorrichtung In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird eine optoelektronische Bauelementevorrichtung (100), die optoelektronische Bauelementevorrichtung (100) aufweisend: mehrere optoelektronische Bauelemente (104), eingerichtet zum Bereitstellen und/oder Aufnehmen von elektromagnetischer Strahlung (102); einen Reflektor (110), der im Strahlengang der elektromagnetischen Strahlung der mehreren optoelektronischen Bauelemente (104) angeordnet ist, und der eine wenigstens teilweise bezüglich der bereitgestellten elektromagnetischen Strahlung (102) reflektierende Oberfläche (112) aufweist; wobei die mehreren optoelektronischen Bauelemente (104) den Reflektor (110) wenigstens teilweise umgeben oder wenigstens teilweise von dem Reflektor (104) umgeben sind; und wobei der Reflektor (110) derart eingerichtet ist, dass er eine bereitgestellte elektromagnetische Strahlung derart reflektiert, dass eine vorgegebene Feldverteilung der reflektierten elektromagnetischen Strahlung in der Bildebene der optoelektronischen Bauelementevorrichtung (100) ausgebildet wird.

Abstract translation: 光电器件器件，制造用于操作光电器件装置在各种实施例中，光电子器件装置（100），所述光电装置设备（100），包括一个光电组件的装置和方法的方法：多个光电器件（104）的，用于提供和/或接收 电磁辐射（102）; 布置在所述多个光电器件（104）的所述电磁辐射的光路中的反射器（110）和具有至少部分地设置有相对于所述电磁辐射（102）反射表面（112）; 其中围绕所述反射器（110），所述多个光电器件（104）至少部分地包围或至少部分地由所述反射器（104）; 并且其中，所述反射器（110）被布置为反射被供给的电磁辐射，使得形成在光电器件装置（100）的图像平面中的反射的电磁辐射的预定字段分配。

公开(公告)号：WO2013117700A1

公开(公告)日：2013-08-15

申请号：PCT/EP2013/052549

申请日：2013-02-08

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SCHLERETH, Thomas ,  KAISER, Stephan ,  LINKOV, Alexander

IPC: H01L33/46 ,  H01L33/52 ,  H01L31/0216

CPC classification number: H01L31/16 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/02325 ,  H01L31/02327 ,  H01L33/46 ,  H01L33/52 ,  H01L33/56 ,  H01L33/58 ,  H01L33/60 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014

Abstract: Es wird ein Halbleiterbauelement (100) angegeben, das zumindest einen Halbleiterchip (1) aufweist, der eine Strahlungsdurchtrittsfläche (10) und eine der Strahlungsdurchtrittsfläche (10) gegenüberliegende Montagefläche (11) aufweist. Die Montagefläche (11) weist eine erste elektrische Kontaktstruktur (2a) und eine von der ersten elektrischen Kontaktstruktur elektrisch isolierte zweite elektrische Kontaktstruktur (2b) auf. Die Strahlungsdurchtrittsfläche (10) ist frei von Kontaktstrukturen. Eine reflektierende Umhüllung, die den Halbleiterchip (1) bereichsweise umhüllt, und eine Schutzumhüllung (8), die den Halbleiterchip (1) und/oder die reflektierende Umhüllung (5) zumindest bereichsweise umhüllt, sind vorgesehen. Zudem ist eine Anordnung mit einer Mehrzahl derartiger Halbleiterbauelemente (100) angegeben.

Abstract translation: 公开的是具有至少一个半导体芯片（1），具有辐射穿透面（10）和所述辐射穿透面（10）的安装表面（11）相对的所述的半导体装置（100）。 所述安装表面（11）具有一个第一电接触结构（2a）和一个从所述第一电接触结构的第二电接触结构（2b）的电绝缘。 辐射穿透面（10）是自由接触结构。 的反射外壳，其在半导体芯片（1）部分地包裹，和（8）连接所述半导体芯片（1）和/或所述反射罩（5）至少部分地包裹一保护性护套中，提供了。 此外，有多个这样的半导体器件（100）的布置中指定。

公开(公告)号：WO2011131495A1

公开(公告)日：2011-10-27

申请号：PCT/EP2011/055545

申请日：2011-04-08

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  BRICK, Peter ,  FRANK, Joachim ,  HILLER, Uli ,  KAISER, Stephan ,  KUHN, Gerhard ,  MARKYTAN, Ales ,  MUSCHAWECK, Julius ,  NEUGIRG, Christian

Inventor： BRICK, Peter ,  FRANK, Joachim ,  HILLER, Uli ,  KAISER, Stephan ,  KUHN, Gerhard ,  MARKYTAN, Ales ,  MUSCHAWECK, Julius ,  NEUGIRG, Christian

IPC: G02B6/00

CPC classification number: G02B6/0041 ,  G02B6/006

Abstract: Es wird ein Flächenlichtleiter (1) angegeben, der eine Vielzahl von Streuzentren (2) aufweist, wobei die Streuzentren (2) eine nicht sphärische Form aufweisen und die Streuzentren (2) im Mittel zumindest in einer Richtung eine Abmessung von mehr als 200 nm aufweisen. Bei einem Verfahren zur Herstellung des Flächenlichtleiters (1) werden die nicht sphärischen Streuzentren (2) durch ein elektrisches Feld oder magnetisches Feld (12) ausgerichtet.

Abstract translation: 本发明提供一种平面光导体（1）具有多个散射中心（2），其中，所述散射中心（2）具有非球面形状，并且具有散射中心（2）的平均值，至少在一个方向上的尺寸大于200nm ， 在制造表面光导（1），所述非球形散射中心（2）通过施加电场或磁场（12）的方法被对准。

公开(公告)号：WO2011131447A1

公开(公告)日：2011-10-27

申请号：PCT/EP2011/054467

申请日：2011-03-23

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  BRICK, Peter ,  FRANK, Joachim ,  KAISER, Stephan ,  KUHN, Gerhard ,  MARKYTAN, Ales ,  MUSCHAWECK, Julius ,  NEUGIRG, Christian

Inventor： BRICK, Peter ,  FRANK, Joachim ,  KAISER, Stephan ,  KUHN, Gerhard ,  MARKYTAN, Ales ,  MUSCHAWECK, Julius ,  NEUGIRG, Christian

IPC: G02B6/00

CPC classification number: G02B6/0035 ,  G02B6/004 ,  G02B6/0041 ,  G02B6/0055 ,  G02B6/0063

Abstract: Es wird ein Flächenlichtleiter (1) mit einer entlang einer Haupterstreckungsebene des Flächenlichtleiters verlaufenden Strahlungsaustrittsfläche (10) und mit einem Lichtleitbereich (3), der Streustellen (4) und eine auf einer ersten Hauptfläche (31) des Lichtleitbereichs angeordnete Beschichtung (5) aufweist, angegeben. Eine entlang der Haupterstreckungsebene eingekoppelte und nach Streuung an den Streustellen (4) auf die erste Hauptfläche (31) auftreffende Strahlung weist einen überhöhten Strahlungsanteil auf und die Beschichtung (5) reduziert einen Austritt des überhöhten Strahlungsanteils aus der Strahlungsaustrittsfläche (10) gezielt. Weiterhin wird ein Flächenstrahler (100) mit einem solchen Flächenlichtleiter angegeben.

Abstract translation: 它是（1）具有一轴线沿所述表面上的光导向辐射出射表面的主延伸平面延伸（10）和具有导光区域的表面的光导（3）的散射点（4），并且在光的第一主表面（31）的导光区设置的涂层（5）， 指定。 甲沿主延伸平面和通过在第一主表面（31）的入射辐射的散射位点（4）散射后耦合具有辐射的比例过高和涂层（5）减少了从辐射出射表面（10）选择性地将过量的辐射分量的泄漏。 此外，表面发射体（100）上设置有这样的表面的光导。

公开(公告)号：WO2012084451A1

公开(公告)日：2012-06-28

申请号：PCT/EP2011/071534

申请日：2011-12-01

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  GÄRTNER, Christian ,  MARKYTAN, Ales ,  SCHNEIDER, Albert ,  KAISER, Stephan

Inventor： GÄRTNER, Christian ,  MARKYTAN, Ales ,  SCHNEIDER, Albert ,  KAISER, Stephan

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/50 ,  H01L33/52 ,  H01L33/48

CPC classification number: H01L33/08 ,  H01L25/0753 ,  H01L27/3211 ,  H01L33/50 ,  H01L33/60 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: In mindestens einer Aus führungs form des optoelektronischen Halbleiterbauteils (10) umfasst dieses eine erste Lichtquelle (1), die weiß-grünes Licht emittiert. Die erste Lichtquelle (I) weist einen im blauen Spektralbereich emittierenden Halbleiterchip (4) auf, auf dem ein erstes Konversionselement (II) angebracht ist. Ferner beinhaltet das Halbleiterbauteil (10) eine zweite, im roten Spektralbereich emittierende Lichtquelle (2). Die zweite Lichtquelle (2) umfasst einen im blauen Spektralbereich emittierenden Halbleiterchip (4), dem ein zweites Konversionselement (22) nachgeordnet ist, oder es umfasst die zweite Lichtquelle (2) einen unmittelbar im roten Spektralbereich emittierenden Halbleiterchip (5). Ferner weist das Halbleiterbauteil (10) eine dritte, blaues Licht emittierende Lichtquelle (3) mit einem im blauen Spektralbereich emittierenden Halbleiterchip (4) auf. Ein Vergusskörper (6) des Halbleiterbauteils (10) umfasst ein Matrixmaterial, in das ein Konversionsmittel eingebettet ist. Der Vergusskörper (6) ist den Lichtquellen (1, 2, 3) gemeinsam nachgeordnet.

Abstract translation: 在光电子半导体器件的至少一个公开的实施例（10）发出白色 - 绿光的这一点，第一光源（1）。 第一光源（I）具有在蓝色光谱半导体芯片（4）在其上的第一转换元件（II）附着发光。 此外，半导体器件（10）包括第二，发射在红色光谱光源（2）。 第二光源（2）包括在蓝色光谱半导体芯片（4）其中，第二转换元件（22）被布置在下游的发射或包括所述第二光源（2）直接在红色光谱半导体芯片（5）的发光。 另外，在第三，蓝色发光的光具有在蓝色光谱半导体芯片的发射源（3）的半导体器件（10）（4）。 半导体元件（10）的铸体（6）包括到其中的转换剂是嵌入在基质材料中。 浇注体（6），该光源（1，2，3）的下游在一起。

公开(公告)号：WO2011131429A1

公开(公告)日：2011-10-27

申请号：PCT/EP2011/053992

申请日：2011-03-16

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  BRICK, Peter ,  HILLER, Uli ,  KAISER, Stephan ,  KUHN, Gerhard ,  MARKYTAN, Ales ,  MUSCHAWECK, Julius ,  NEUGIRG, Christian

Inventor： BRICK, Peter ,  HILLER, Uli ,  KAISER, Stephan ,  KUHN, Gerhard ,  MARKYTAN, Ales ,  MUSCHAWECK, Julius ,  NEUGIRG, Christian

IPC: F21V8/00 ,  G02B6/00

CPC classification number: G02B6/006 ,  G02B6/0041 ,  G02B6/0065

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform des Flächenlichtleiters (1) weist dieser zumindest eine als Abstrahlfläche gestaltete Hauptseite (2) sowie mindestens einen ersten Bereich (11) und mindestens einen zweiten Bereich (22) auf. In Draufsicht auf die Hauptseite (1) gesehen sind der erste (11) und der zweite Bereich (22) benachbart angeordnet. Ein mittlerer Lichtauskoppelkoeffizient des zweiten Bereichs (22) ist um mindestens einen Faktor 2 von einem mittleren Lichtauskoppelkoeffizienten des ersten Bereichs (11) verschieden. Für den ersten (11) und den zweiten Bereich (22) beträgt, jeweils in einer Richtung senkrecht zu der Hauptseite (2) gesehen, ein Trübheitswert höchstens 0,15 und ein Transmissionskoeffizient mindestens 0,70.

Abstract translation: 在此表面上的光导向装置（1）中的至少一个实施方案中具有至少一个构造为辐射主（2）和至少一个第一区域（11）和至少一个第二区域（22）。 第一（11）和在主侧（1）俯视图所见的第二区域（22）相邻布置。 Lichtauskoppelkoeffizient第二区域（22）的介质是通过至少一个从第一区（11）的中间Lichtauskoppelkoeffizienten 2的倍数不同。 对于第一个（11）和第二区域（22）在每种情况下在垂直的方向上看到的至多0.15的浊度值和至少0.70的透射系数的主面（2）。

公开(公告)号：WO2011061035A1

公开(公告)日：2011-05-26

申请号：PCT/EP2010/065806

申请日：2010-10-20

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  KAISER, Stephan ,  KUNZ, Thorsten ,  MUSCHAWECK, Julius

Inventor： KAISER, Stephan ,  KUNZ, Thorsten ,  MUSCHAWECK, Julius

IPC: H05B33/08

CPC classification number: H05B33/0869 ,  H05B33/0872

Abstract: Es wird eine Licht emittierende Vorrichtung (100) angegeben, umfassend zumindest eine Leuchtdiode erster Art (1); ein der Leuchtdiode erster Art (1) nachgeordnetes Konverterelement (3); zumindest eine Leuchtdiode zweiter Art (2); eine Ansteuerschaltung (5) zum Betreiben der Leuchtdiode zweiter Art (2).

Abstract translation: 本发明提供一种发光器件（100），其包括第一类型（1）中的至少一个发光二极管; 第一类型的发光二极管（1）转换器元件的下游（3）; 所述第二类型的至少一个发光二极管（2）; 用于驱动所述第二类型（2）的所述发光二极管的驱动电路（5）。