公开(公告)号：WO2020070202A1

公开(公告)日：2020-04-09

申请号：PCT/EP2019/076733

申请日：2019-10-02

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BIEBERSDORF, Andreas ,  ILLEK, Stefan ,  KLEMP, Christoph ,  PIETZONKA, Ines ,  SUNDGREN, Petrus

IPC: H01L21/223 ,  H01L21/225 ,  H01L33/02 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01L33/30

Abstract: Ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements umfasst das Durchführen (S100) einer Plasmabehandlung einer freiliegenden Oberfläche eines Halbleitermaterials (100) mit Halogenen und das Durchführen (S120) eines Diffusionsverfahrens mit Dotierstoffen an der freiliegenden Oberfläche.

公开(公告)号：WO2018041909A1

公开(公告)日：2018-03-08

申请号：PCT/EP2017/071797

申请日：2017-08-30

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KREUTER, Philipp ,  BIEBERSDORF, Andreas ,  KLEMP, Christoph ,  EBBECKE, Jens ,  PIETZONKA, Ines ,  SUNDGREN, Petrus

IPC: H01L23/00 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H05K13/04 ,  H01L25/075 ,  H01L33/52 ,  H01L33/00 ,  H01L33/62

Abstract: Verfahren zum Ausrichten von Halbleiterchips (210) in einem Medium mit den folgenden Verfahrensschritten: - Bereitstellen eines elektrisch isolierenden, flüssigen Mediums; - Bereitstellen von Halbleiterchips; - Ausbilden einer Suspension (20) mit dem Medium und den Halbleiterchips; - Belichten der Halbleiterchips mit elektromagnetischer Strahlung zum Erzeugen von freien Ladungsträgern in den Halbleiterchips; - Anordnen der Suspension in einem elektrischen Feld, wobei die Halbleiterchips entlang des elektrischen Feldes ausgerichtet werden.

Abstract translation: 半导体芯片（210）在介质中对齐的方法，包括以下步骤： - 提供电绝缘液体介质; - 提供半导体芯片; - 用介质和半导体芯片形成悬架（20）; - 将半导体芯片暴露于电磁辐射以在半导体芯片中产生自由电荷辐射; - 在电场中布置悬架，其中半导体芯片沿电场排列。

公开(公告)号：WO2012171736A1

公开(公告)日：2012-12-20

申请号：PCT/EP2012/058969

申请日：2012-05-15

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  AVRAMESCU, Adrian Stefan ,  DINI, Dimitri ,  PIETZONKA, Ines

Inventor： AVRAMESCU, Adrian Stefan ,  DINI, Dimitri ,  PIETZONKA, Ines

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01S5/22 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02647 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205

Abstract: Ein optoelektronischer Halbleiterkörper (100) mit einem Substrat (102, 132, 202) weist eine verspannte Schicht (104, 134, 160) auf, die in einem ersten Epitaxieschritt auf das Substrat (102, 132, 202) aufgebracht ist. Die verspannte Schicht (104, 134, 160) weist mindestens eine vertikal in der verspannten Schicht gebildete Ausnehmung (106, 110) auf. Auf die verspannte Schicht (104, 134, 160) ist in einem zweiten Epitaxieschritt eine weitere Schicht (108, 136, 168) aufgebracht, die die mindestens eine Ausnehmung (106, 110) auffüllt und die verspannte Schicht (104, 134, 160) zumindest bereichsweise bedeckt.

Abstract translation: 具有基底（102，132，202）的光电子半导体主体（100）包括在所述基板上的第一外延步骤（102，132，202）被施加应变层（104，134，160）。 应变层（104，134，160）具有至少一个垂直地形成在应变层的凹部（106，110）。 应变层（104，134，160）是在第二外延步骤中，另外的层（108，136，168）施加到所述至少一个凹部（106，110）填满和应变层（104，134，160） 至少部分地覆盖。

公开(公告)号：WO2006012818A2

公开(公告)日：2006-02-09

申请号：PCT/DE2005/001065

申请日：2005-06-15

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  PIETZONKA, Ines ,  SCHMID, Wolfgang ,  WIRTH, Ralph

Inventor： PIETZONKA, Ines ,  SCHMID, Wolfgang ,  WIRTH, Ralph

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/105 ,  H01L33/465

Abstract: Bei einer Lumineszenzdiode (1) mit einer aktiven Zone (7), die elektromagnetische Strahlung in eine Hauptstrahlrichtung (15) emittiert, wobei der aktiven Zone (7) in der Hauptstrahlrichtung (15) eine reflexionsmindernde Schichtenfolge (16) nachgeordnet ist, enthält die reflexionsmindernde Schichtenfolge einen aus mindestens einem Schichtpaar (11, 12) gebildeten DBR-Spiegel (13), eine dem DBR-Spiegel (13) in der Hauptstrahlrichtung (15) nachfolgende Vergütungsschicht (9) und eine zwischen dem DBR-Spiegel (13) und der Vergütungsschicht (9) angeordnete Zwischenschicht (14).

Abstract translation: 在发光二极管（1）与活性区（7）中，在主辐射方向上的电磁辐射（15）被发射，其中，所述有源区（7）具有反射抑制层序列（16）中的主光束方向（15）的下游布置，包含防反射 层序列的至少一对层（11，12）形成的DBR镜（13），在主波束方向的DBR反射镜（13）（15）随后的补偿层（9）和所述DBR反射镜（13）和所述间 补偿层（9）布置中间层（14）。

公开(公告)号：WO2005004244A2

公开(公告)日：2005-01-13

申请号：PCT/DE2004/001344

申请日：2004-06-25

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  BUTENDEICH, Rainer ,  LINDER, Norbert ,  MAYER, Bernd ,  PIETZONKA, Ines

Inventor： BUTENDEICH, Rainer ,  LINDER, Norbert ,  MAYER, Bernd ,  PIETZONKA, Ines

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/025 ,  H01L33/02 ,  H01S5/3086

Abstract: Bei einem strahlungsemittierenden Halbleiterbauelement mit einer Schichtstruktur, die eine n-dotierte Confinementschicht (14), eine p-dotierte Confinementschicht (22), und eine zwischen der n-dotierten Confinementschicht (14) und der p-dotierten Confinementschicht (22) angeordnete aktive, Photonen emittierende Schicht (18) enthält, ist erfindungsgemäß vorgesehen, daß die n-dotierte Confinementschicht (14) mit einem ersten n-Dotierstoff (oder zwei voneinander verschiedenen n-Dotierstoffen) zur Erzeugung einer hohen aktiven Dotierung und eines scharfen Dotierprofils dotiert ist, und die aktive Schicht (18) mit nur einem von dem ersten Dotierstoff verschiedenen zweiten n-Dotierstoff zur Verbesserung der Schichtqualität der aktiven Schicht (18) dotiert ist.

Abstract translation: 在具有层结构，其设置在n掺杂限制层（14）发射辐射的半导体器件，p型掺杂的限制层（22），和n型掺杂的限制层（14）和p掺杂限制层（22）的活性之间， 光子发光层（18），本发明提供了具有第一n型掺杂剂（或两种不同的n型掺杂剂）的n型掺杂的限制层（14）被掺杂，以产生高活性掺杂和尖锐的掺杂分布，和 有源层（18）仅掺杂有从第一掺杂第二n型掺杂剂以改善活性层（18）的膜质量不同的角度。

公开(公告)号：EP1642347A2

公开(公告)日：2006-04-05

申请号：EP04738791.5

申请日：2004-06-25

Applicant: Osram Opto Semiconductors GmbH

Inventor： BUTENDEICH, Rainer ,  LINDER, Norbert ,  MAYER, Bernd ,  PIETZONKA, Ines

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/025 ,  H01L33/02 ,  H01S5/3086

Abstract: The invention relates to a radiation-emitting semi-conductor element provided with a layered structure, comprising an n-doped confinement layer (14), a p-doped confinement layer (22), and an active layer (18) emitting photons, said layer being arranged between the n-doped confinement layer (14) and the p-doped confinement layer (22). According to the invention, the n-doped confinement layer (14) is doped with a first n-dopant (or two n-dopants which are different from each other) in order to produce a high active doping and a precise doping profile, and the active layer (18) is doped with exclusively one second n dopant, which is different form the first dopant, in order to improve the layer quality of the active layer (18).

公开(公告)号：EP3745471A1

公开(公告)日：2020-12-02

申请号：EP19177581.6

申请日：2019-05-31

Applicant: OSRAM Opto Semiconductors GmbH

Inventor： EBBECKE, Jens ,  KREUTER, Philipp ,  KLEMP, Christoph ,  BIEBERSDORF, Andreas ,  PIETZONKA, Ines ,  SUNDGREN, Petrus

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/268 ,  H01L21/18

Abstract: A method of treating a semiconductor wafer (10) comprising a set of Aluminum Gallium Indium Phosphide light emitting diodes or AlGaInP-LEDs to increase the light generating efficiency of the AlGaInP-LEDs,
wherein each ALGaInP-LED includes a core active layer for light generation sandwiched between two outer layers, the core active layer having a central light generating area (20) and a peripheral edge (22) surrounding the central light generating area,
the method comprising the step of treating the peripheral edge (22) of the core active layer of each AlGaInP-LED with a laser beam (L), thus increasing the minimum band gap in each peripheral edge (22) to such an extent that, during later operation of the AlGaInP-LED, the electron-hole recombination is essentially confined to the central light generating area.

公开(公告)号：EP1642347B1

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：EP04738791.5

申请日：2004-06-25

Applicant: OSRAM Opto Semiconductors GmbH

Inventor： BUTENDEICH, Rainer ,  LINDER, Norbert ,  MAYER, Bernd ,  PIETZONKA, Ines

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/025 ,  H01L33/02 ,  H01S5/3086

Abstract: The invention relates to a radiation-emitting semi-conductor element provided with a layered structure, comprising an n-doped confinement layer (14), a p-doped confinement layer (22), and an active layer (18) emitting photons, said layer being arranged between the n-doped confinement layer (14) and the p-doped confinement layer (22). According to the invention, the n-doped confinement layer (14) is doped with a first n-dopant (or two n-dopants which are different from each other) in order to produce a high active doping and a precise doping profile, and the active layer (18) is doped with exclusively one second n dopant, which is different form the first dopant, in order to improve the layer quality of the active layer (18).

Abstract translation: 本发明涉及设置有分层结构的发射辐射的半导体元件，其包括n掺杂限制层（14），p掺杂限制层（22）和发射光子的活性层（18），所述 层设置在n掺杂限制层（14）和p掺杂限制层（22）之间。 根据本发明，为了产生高活性掺杂和精确的掺杂分布，n型掺杂限制层（14）被掺杂有第一n型掺杂剂（或者彼此不同的两种n型掺杂剂），并且 为了改善有源层（18）的层质量，有源层（18）仅掺杂有与第一掺杂剂不同的第二n掺杂剂。

公开(公告)号：EP3745472A1

公开(公告)日：2020-12-02

申请号：EP19177113.8

申请日：2019-05-28

Applicant: OSRAM Opto Semiconductors GmbH

Inventor： KREUTER, Philipp ,  BIEBERSDORF, Andreas ,  KLEMP, Christoph ,  EBBECKE, Jens ,  PIETZONKA, Ines ,  SUNDGREN, Petrus

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/30

Abstract: A method for manufacturing a semiconductor device, particularly an optoelectronic device, proposes to provide a growth substrate (10); to deposit an n-doped first layer (20) and an active region (30) on the n-doped first layer (20); then a second layer (50) is deposited onto the active region (30); the second layer is doped with Mg in the second layer (50); Subsequently to depositing Mg, Zn is deposited in the second layer (50) such that a concentration of Zn in the second layer is decreasing from a first value to a second value in a first area of the second layer adjacent to the active region, said first area in the range of 5 nm to 200 nm, in particularly less than 50nm.

公开(公告)号：EP1771890A2

公开(公告)日：2007-04-11

申请号：EP05760046.2

申请日：2005-06-15

Applicant: Osram Opto Semiconductors GmbH

Inventor： PIETZONKA, Ines ,  SCHMID, Wolfgang ,  WIRTH, Ralph

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/105 ,  H01L33/465

Abstract: The invention relates to a luminescent diode (1) comprising an active area (7) which emits electromagnetic radiation in the direction of the main radiation (15). The active area (7) in the direction of the main radiation (15) is arranged downstream from a reflection-reducing layer sequence (16). Said reflection-reducing layer sequence contains a DBR mirror which is formed from at least one pair of layers (11, 12), a reflection coating (9) which is arranged downstream from the DBR-mirror (13) in the direction of the main radiation (15) and an intermediate layer (14) which is arranged between the DBR-mirror (13) and the reflection coating (9).