-
1.发明申请
公开(公告)号：WO2022223290A1
公开(公告)日：2022-10-27
申请号：PCT/EP2022/059012
申请日：2022-04-05
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： MAHDAVI, Ali , PIETZONKA, Ines , BARTHEL, Stefan , GOMEZ-IGLESIAS, Alvaro
Abstract: Es wird ein strahlungsemittierender Halbleiterchip angegeben mit einem ersten dotierten Bereich (2), einem aktiven Bereich (3), der zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung vorgesehen ist und der an den ersten dotierten Bereich grenzt, und einem zweiten dotierten Bereich (4), der an der dem ersten dotierten Bereich (2) abgewandten Seite des aktiven Bereichs (3) angeordnet ist, wobei der erste dotierte Bereich (2) strukturiert ist, und der aktive Bereich (3) den ersten dotierten Bereich (2) an einer Seitenfläche (2a) und einer Deckfläche (2b) bedeckt.
-
公开(公告)号：WO2021052635A2
公开(公告)日：2021-03-25
申请号：PCT/EP2020/058547
申请日：2020-03-26
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： BIEBERSDORF, Andreas , ILLEK, Stefan , FEIX, Felix , KLEMP, Christoph , PIETZONKA, Ines , SUNDGREN, Petrus , BERGER, Christian , KANEVCE, Ana
IPC: H01L33/60 , H01L33/00 , H01L33/06 , H01L33/08 , H01L21/18 , H01L25/075 , H01L21/182 , H01L33/0066 , H01L33/0095 , H01L33/145
Abstract: Eine HalbleiterStruktur umfasst eine n-dotierte erste Schicht, eine mit einem ersten Dotierstoff dotierte p-dotierte zweite Schicht, und eine aktive Schicht, die zwischen der n-dotierten ersten Schicht und der p-dotierten zweiten Schicht angeordnet ist und mindestens einen Quantenwell aufweist. Die die aktive Schicht der Halbleiterstruktur teilt sich in eine Vielzahl von ersten optisch aktiven Bereichen, mindestens einen zweiten Bereich und mindestens einen dritten Bereich auf. Dabei sind die mehreren ersten optisch aktiven Bereiche in einem hexagonalen Muster zueinander beabstandet angeordnet sind. Der mindestens eine Quantenwell im aktiven Bereich weist im mindestens einen zweiten Bereich eine größere Bandlücke auf als in der Vielzahl von ersten optisch aktiven Bereichen und dem mindestens einen dritten Bereich, wobei die Bandlücke insbesondere durch ein Quantenwellintermixing modifiziert ist. Der mindestens eine zweite Bereich umschließt die Vielzahl von ersten optisch aktiven Bereichen umschließt.
-
3.发明申请
公开(公告)号：WO2020239526A1
公开(公告)日：2020-12-03
申请号：PCT/EP2020/063906
申请日：2020-05-19
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： EBBECKE, Jens , KREUTER, Philipp , KLEMP, Christoph , BIEBERSDORF, Andreas , PIETZONKA, Ines , SUNDGREN, Petrus
IPC: H01L33/00 , H01L21/268 , H01L21/18
Abstract: A method of treating a semiconductor wafer (10) comprising a set of Aluminum Gallium Indium Phosphide light emitting diodes or AlGaInP-LEDs to increase the light generating efficiency of the AlGaInP-LEDs, wherein each ALGaInP-LED includes a core active layer for light generation sandwiched between two outer layers, the core active layer having a central light generating area (20) and a peripheral edge (22) surrounding the central light generating area, the method comprising the step of treating the peripheral edge (22) of the core active layer of each AlGaInP-LED with a laser beam (L), thus increasing the minimum band gap in each peripheral edge (22) to such an extent that, during later operation of the AlGaInP-LED, the electron-hole recombination is essentially confined to the central light generating area.
-
4.发明申请
公开(公告)号：WO2017093257A1
公开(公告)日：2017-06-08
申请号：PCT/EP2016/079144
申请日：2016-11-29
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： HALBRITTER, Hubert , PIETZONKA, Ines
Abstract: Es wird ein optoelektronisches Bauelement (10) angegeben, umfassend einen Träger (1), eine Vielzahl von Nanostäben (2), welche auf dem Träger (1) angeordnet sind, wobei die Nanostäbe(2)jeweils eineaktive Zone (2d) umfassen. Weiterhin umfasst das optoelektronische Bauelement (10)eine Vergussmasse (3), welche auf dem Träger (1) angeordnet ist und die Nanostäbe(2)zumindest teilweise einbettet, und eine strukturierte Metallisierung (5), welche die Nanostäbe(2) lateral umgibt, wobei sich die Nanostäbe (2) entlang einer Längsrichtung N erstrecken, sich die strukturierte Metallisierung (5) entlang einer Längsrichtung M erstreckt, und die Längsrichtung M der strukturierten Metallisierung (5) quer zur Längsrichtung N der Nanostäbe (2) verläuft.
Abstract translation:
本发明提供的光电元件（10）包括一个Tr的AUML; GER（1），多个Nanost＆AUML的;奔安装在载体BEAR（2）被布置GER（1），其中 纳米油（2）各自包含活性区（2d）。 此外，光电子器件（10）包括封装化合物（3），其在载体BEAR布置GER（1）和Nanost＆AUML; BE（2）至少部分地嵌入，以及结构化的金属化（5）示出了Nanost BEAR是 （2）横向包围，与Nanost＆AUML; BE（2）沿一L＆AUML;纵向方向N延伸，所述结构化的金属化（5）沿L BEAR纵向方向M延伸，并且L＆AUML;结构化的金属化的纵向方向M（5） 横向于纳米棒（2）的纵向N。
-
公开(公告)号：WO2020239524A1
公开(公告)日：2020-12-03
申请号：PCT/EP2020/063903
申请日：2020-05-19
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： KREUTER, Philipp , BIEBERSDORF, Andreas , KLEMP, Christoph , EBBECKE, Jens , PIETZONKA, Ines , SUNDGREN, Petrus
Abstract: A method for manufacturing a semiconductor device, particularly an optoelectronic device, proposes to provide a growth substrate (10); to deposit an n-doped first layer (20) and an active region (30) on the n-doped first layer (20); then a second layer (50) is deposited onto the active region (30); the second layer is doped with Mg in the second layer (50); Subsequently to depositing Mg, Zn is deposited in the second layer (50) such that a concentration of Zn in the second layer is decreasing from a first value to a second value in a first area of the second layer adjacent to the active region, said first area in the range of 5 nm to 200 nm, in particularly less than 50nm.
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2020157149A1
公开(公告)日：2020-08-06
申请号：PCT/EP2020/052191
申请日：2020-01-29
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： BAUMHEINRICH, Thorsten , BEHRINGER, Martin , BIEBERSDORF, Andreas , BOSS, Ruth , BRANDL, Michael , BRICK, Peter , DROLET, Jean-Jaques , HALBRITTER, Hubert , KREINER, Laura , LANG, Erwin , LEBER, Andreas , MEYER, Tobias , PFEUFFER, Alexander , PHILIPPENS, Marc , RICHTER, Jens , SCHWARZ, Thomas , TA, Paul , VARGHESE, Tansen , WANG, Xue , WITTMANN, Sebastian , WUENSCHE, Julia , DIEKMANN, Karsten , ENGL, Karl , HERRMANN, Siegfried , HAHN, Berthold , ILLEK, Stefan , JENTZSCH, Bruno , PERZLMAIER, Korbinian , PIETZONKA, Ines , RAUSCH, Andreas , REGAU, Kilian , RUEGHEIMER, Tilman , SCHWALENBERG, Simon , SOELL, Christopher , STAUSS, Peter , SUNDGREN, Petrus , VU, Hoa , WIESMANN, Christopher , BOGNER, Georg , HOERNER, Patrick , KLEMP, Christoph , MUELLER, Jens , NEVELING, Kerstin , PARK, Jong , RAFAEL, Christine , SINGER, Frank , CHAND, Kanishk , FEIX, Felix , MUELLER, Christian , RUMMEL, Eva-Maria , HEITZER, Nicole , ASSMANN, Marie , BERGER, Christian , KANEVCE, Ana
Abstract: Die Erfindung betrifft verschiedene Aspekte zu einer µ-LED oder einer µ-LED Anordnung für Augmented Reality oder Licht Anwendungen, hier insbesondere im Automotive Bereich. Dabei zeichnet sich die µ-LED durch besonders kleine Abmessungen im Bereich weniger µm aus.
-
7.发明申请
公开(公告)号：WO2014029633A1
公开(公告)日：2014-02-27
申请号：PCT/EP2013/066656
申请日：2013-08-08
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： TÅNGRING, Ivar , EBBECKE, Jens , PIETZONKA, Ines
CPC classification number: H01L33/0025 , H01L33/06 , H01L33/14 , H01L33/145 , H01L33/30 , H01L33/60 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterkörper (1) angegeben, der eine Halbleiterschichtenfolge (2) mit einem zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20), einem ersten Barrierebereich (21) und einem zweiten Barrierebereich (22) aufweist. Der aktive Bereich (20) ist zwischen dem ersten Barrierebereich (21) und dem zweiten Barrierebereich (22) angeordnet. In dem ersten Barrierebereich (21) ist zumindest eine Ladungsträgerbarriereschicht (3) angeordnet, die zugverspannt ist. Weiterhin wird ein Halbleiterchip (10) mit einem solchen Halbleiterkörper angegeben.
Abstract translation: 提供了一种光电子半导体本体（1）具有与设置用于产生辐射激活区（20）的半导体层序列（2），第一势垒区（21）和一个第二势垒区（22）。 第一势垒区之间的有源区（20），（21）和布置在所述第二势垒区（22）。 在第一势垒区（21）具有一个载流子阻挡层（3）被布置在至少这是拉应力。 此外，半导体芯片（10）上设置有这样的半导体本体。
-
公开(公告)号：WO2005024961A1
公开(公告)日：2005-03-17
申请号：PCT/DE2004/001708
申请日：2004-07-30
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , STEIN, Wilhelm , WINDISCH, Reiner , WIRTH, Ralph , PIETZONKA, Ines
Inventor： STEIN, Wilhelm , WINDISCH, Reiner , WIRTH, Ralph , PIETZONKA, Ines
IPC: H01L33/00
Abstract: Strahlungemittierendes Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterkörper, umfassend eine erste Hauptfläche (5), eine zweite Hauptfläche (9) und eine Halbleiterschichtenfolge (4) mit einer elektromagnetische Strahlung erzeugenden aktiven Zone (7), wobei die Halbleiterschichtenfolge (4) zwischen der ersten und der zweiten Hauptfläche (5,9) angeordnet ist, eine erste Stromaufweitungsschicht (3) auf der ersten Hauptfläche (5) angeordnet und mit der Halbleiterschichtenfolge (4) elektrisch leitend verbunden ist sowie eine zweite Stromaufweitungsschicht (10) auf der zweiten Hauptfläche (9) angeordnet und mit der Halbleiterschichtenfolge (4) elektrisch leitend verbunden ist.
Abstract translation: 发射辐射的半导体元件具有半导体主体，其包括第一主表面（5），一个第二主表面（9）和一个半导体层序列（4）与电磁辐射产生活性区（7），其中，所述半导体层序列（4）在第一和第二主表面之间 （5,9）被布置设置在第一主表面上的第一电流扩展层（3）（5）和与该半导体层序列（4）导电连接，并且在第二主表面（9）的第二电流扩展层（10）和设置有 半导体层序列（4）导电连接。
-
公开(公告)号：EP1658643B1
公开(公告)日：2018-11-14
申请号：EP04762553.8
申请日：2004-07-30
Applicant: OSRAM Opto Semiconductors GmbH
Inventor： STEIN, Wilhelm , WINDISCH, Reiner , WIRTH, Ralph , PIETZONKA, Ines
-
10.发明申请
公开(公告)号：WO2021063819A1
公开(公告)日：2021-04-08
申请号：PCT/EP2020/076869
申请日：2020-09-25
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： FEIX, Felix , PIETZONKA, Ines , SUNDGREN, Petrus
Abstract: In einer Ausführungsform dient das Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterchips (1) und umfasst: A) Wachsen einer AlInGaAsP-Halbleiterschichtenfolge (3) auf einem Aufwachssubstrat (2) entlang einer Wachstumsrichtung (G), wobei die Halbleiterschichtenfolge (3) eine aktive Zone (33) zur Strahlungserzeugung umfasst und die aktive Zone (33) aus mehreren, sich einander abwechselnden Quantentopfschichten (61) und Barriereschichten (62) zusammengesetzt ist, B) Erzeugen einer strukturierten Maskierungsschicht (5, 34), C) Bereichsweises Durchmischen der Quantentopfschichten (61) und der Barriereschichten (62) mittels Applizieren eines Durchmischungshilfsstoffs (55) durch Öffnungen (50) der Maskierungsschicht (5, 34) hindurch in die aktive Zone (33) in mindestens einem Durchmischungsgebiet (51), und D) Vereinzeln der Halbleiterschichtenfolge (3) in Teilgebiete (39) für die Halbleiterchips (1), wobei die Barriereschichten (62) im Schritt A) aus [(AlxGa1-x)yln1-y]ZP1-Z gewachsen werden mit x ≥ 0,5.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
21
records
(took 0.03 seconds)
