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    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON HALBLEITERBAUELEMENTEN UND HALBLEITERBAUELEMENT
    4.
    发明申请
    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON HALBLEITERBAUELEMENTEN UND HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
    用于生产半导体元件和半导体元件

    公开(公告)号：WO2015124551A1

    公开(公告)日：2015-08-27

    申请号：PCT/EP2015/053278

    申请日：2015-02-17

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： VON MALM, Norwin ,  PFEUFFER, Alexander F. ,  VARGHESE, Tansen ,  KREUTER, Philipp

    IPC: H01L33/38 ,  H01L31/0224

    CPC classification number: H01L23/544 ,  H01L21/76898 ,  H01L31/02245 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/03048 ,  H01L31/035236 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/056 ,  H01L31/0693 ,  H01L31/0735 ,  H01L31/186 ,  H01L31/1892 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/06 ,  H01L33/30 ,  H01L33/32 ,  H01L33/382 ,  H01L33/42 ,  H01L2223/5446 ,  H01L2933/0016 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

    Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von Halbleiterbauelementen (1) mit folgenden Schritten angegeben: a) Bereitstellen einer Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer ersten Halbleiterschicht (21), einer zweiten Halbleiterschicht (22) und einem zwischen der ersten Halbleiterschicht und der zweiten Halbleiterschicht angeordneten, zur Erzeugung und/oder zum Empfangen von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (25); b) Ausbilden einer ersten Anschlussschicht (31) auf der der ersten Halbleiterschicht abgewandten Seite der zweiten Halbleiterschicht; c) Ausbilden einer Mehrzahl von Aussparungen (29) durch die Halbleiterschichtenfolge hindurch; d) Ausbilden einer Leitungsschicht (4) in den Aussparungen zur Herstellung einer elektrisch leitenden Verbindung zwischen der ersten Halbleiterschicht und der ersten Anschlussschicht; und e) Vereinzeln in die Mehrzahl von Halbleiterbauelementen, wobei aus der Halbleiterschichtenfolge für jedes Halbleiterbauelement ein Halbleiterkörper (20) mit zumindest einer der Mehrzahl von Aussparungen hervorgeht und die zumindest eine Aussparung in Draufsicht auf den Halbleiterkörper vollständig von dem Halbleiterkörper umgeben ist. Weiterhin wird ein Halbleiterbauelement angegeben.

    Abstract translation: 据说，包括以下步骤制造多个半导体器件（1）的方法：a）提供（2）具有第一半导体层（21），第二半导体层（22的半导体层序列）和一个所述第一半导体层和第二半导体层之间 布置，提供了一种用于产生和/或用于接收辐射有源区（25）; 第二半导体层b的侧）形成在其上背向所述第一半导体层的第一连接层（31）; c）形成的多个凹部（29）通过半导体层序列穿过其中; d）形成在凹部用于产生所述第一半导体层和第一连接层之间的导电连接的导体层（4）; 以及e）分离所述多个半导体器件，其中，对于每个半导体器件中的半导体层序列中，一个半导体主体（20）与所述多个凹部中的至少一个可以看到和其至少完全包围在半导体本体的半导体本体的平面图的凹部。 此外，半导体器件被提供。

    OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT
    5.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT 审中-公开
    光电组件

    公开(公告)号：WO2017005866A1

    公开(公告)日：2017-01-12

    申请号：PCT/EP2016/066165

    申请日：2016-07-07

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： KREUTER, Philipp ,  VARGHESE, Tansen ,  SCHMID, Wolfgang ,  BRÖLL, Markus

    IPC: H01L33/38

    CPC classification number: H01L33/382

    Abstract: Das optoelektronische Bauelement (100) umfasst eine Halbleiterschichtenfolge (1) mit einer ersten Schicht (10), einer zweiten Schicht (12) und einer zwischen der ersten (10) und zweiten Schicht (12) angeordneten aktiven Schicht (11), wobei die aktive Schicht (11) direkt an die erste (10) und zweite Schicht (12) angrenzt. Eine Strahlungsfläche (13) grenzt direkt an die zweite Schicht (12). Außerdem umfasst das Bauelement (100) eine Mehrzahl von Kontaktinseln (20) zur elektrischen Kontaktierung der ersten Schicht (10) sowie eine Mehrzahl von Durchkontaktierungen (23) zur elektrischen Kontaktierung der zweiten Schicht (12). Die Durchkontaktierungen (23) sind durch die erste Schicht (10) und die aktive Schicht (11) geführt und münden in die zweite Schicht (12). Die Kontaktinseln (20) sind lateral nebeneinander direkt auf einer der Strahlungsfläche (13) abgewandten Rückseite (15) der ersten Schicht (10) aufgebracht. In Draufsicht auf die Rückseite (15) sind die Durchkontaktierungen (23) in Bereichen zwischen den Kontaktinseln (20) angeordnet. Jede Kontaktinsel (20) ist lateral vollständig von einem elektrischen Isolationsbereich (3) umgeben und durch den Isolationsbereich (3) von den übrigen Kontaktinseln (20) in lateraler Richtung beabstandet. Ein Flächenwiderstand der zweiten Schicht (12) beträgt höchstens ein Viertel eines lateralen Flächenwiderstands der ersten Schicht (10).

    Abstract translation: 光电子器件（100）包括具有第一层（10），第二层（12）和第一（10）之间，并且第二层（12）布置在所述活性层（11）的半导体层序列（1），所述有源 层（11）直接连接到第一（10）和第二层（12）相邻。 一种辐射表面（13）相邻的第二层（12）。 另外，部件（100）包括多个接触垫（20），用于对所述第二层（12）电接触的第一层（10）和多个通孔的（23）电接触。 通孔（23）是穿过所述第一层（10）和流出有源层（11）和通向所述第二层（12）。 接触垫（20）在横向上彼此相邻的辐射表面（13）的后侧从（15）背向施加的第一层（10）。 在后侧（15）的平面图，在所述接触垫（20）之间的区域的通孔（23）。 每个接触垫（20）由电绝缘区域（3），并通过在横向上间隔开的其它焊盘（20）的隔离区（3）包围的完全横向。 所述第二层（12）的薄层电阻为至多所述第一层（10）的横向表面电阻的四分之一。

    STRAHLUNGSKÖRPER UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES STRAHLUNGSKÖRPERS
    6.
    发明申请
    STRAHLUNGSKÖRPER UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES STRAHLUNGSKÖRPERS 审中-公开
    辐射本体和方法用于产生辐射BODY

    公开(公告)号：WO2016131871A1

    公开(公告)日：2016-08-25

    申请号：PCT/EP2016/053361

    申请日：2016-02-17

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： KREUTER, Philipp ,  VARGHESE, Tansen

    IPC: H01L33/22 ,  H01L33/44

    CPC classification number: H01L33/22 ,  H01L33/10 ,  H01L33/44 ,  H01L2933/0083

    Abstract: Es wird ein Strahlungskörper (100) mit einem Basiskörper (1) angegeben, der im bestimmungsgemäßen Betrieb elektromagnetische Strahlung erzeugt oder absorbiert. Der Strahlungskörper (100) umfasst zumindest eine Hauptseite (11) mit einer Grobstruktur (2) aus ersten Erhebungen (20) und zumindest eine Strahlungsfläche (12) mit einer Feinstruktur (3) aus zweiten Erhebungen (30). Über die Strahlungsfläche (12) wird die Strahlung aus dem Strahlungskörper (100) ausgekoppelt oder in den Strahlungskörper (100) eingekoppelt, sodass die Strahlung die Feinstruktur (3) passiert und die Feinstruktur (3) dabei für die Strahlung einen graduellen Brechungsindexübergang zwischen an die Strahlungsfläche (12) angrenzenden Materialien bewirkt. Die Strahlung weist ein globales Maximum der Strahlungsintensität bei einer Hauptwellenlänge (λ max ) gemessen im Vakuum auf. Die ersten Erhebungen (20) weisen Höhen und Breiten von jeweils mindestens λ max /n auf, wobei n der Brechungsindex des Materials ist, aus dem die Strahlung auf die Strahlungsfläche (12) trifft. Die zweiten Erhebungen (30) verjüngen sich jeweils hin zum Maximum und weisen jeweils Höhen von mindestens 0,6·λ max /n und Breiten von höchstens λ max /(2n) auf. Der Abstand zwischen benachbarten zweiten Erhebungen beträgt jeweils höchstens λ max /(2n).

    Abstract translation: 公开的是具有基体（1），其生成在正常操作中或吸收的电磁辐射的辐射体（100）。 的辐射体（100）包括至少一个页面（11）具有与所述第一隆起粗略结构（2）（20）和具有微细结构（3）包括第二凸起（30）的至少一个辐射表面（12）。 关于辐射表面（12）向外耦合，从辐射体（100）或辐射耦合到所述辐射体（100），以使辐射穿过的精细结构（3）和精细结构（3），从而为所述辐射之间的逐渐折射率过渡 辐射使表面（12）相邻的材料。 辐射具有辐射强度中的在真空中在测得的峰值波长（λmax）全局最大值。 所述第一凸起（20）具有的高度和宽度中的每个至少的λmax/ n，其中n是从其中辐射至辐射表面（12）施加的材料的折射率的。 所述第二凸起（30）朝相应的最大锥和各自具有至少0.6·λ最大/ N的高度和上至多的λmax/（2N）的宽度。 相邻的第二突出部之间的间隔在每种情况下的最大的λmax/（2N）。

    OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP
    8.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP 审中-公开
    光电子半导体芯片

    公开(公告)号：WO2017005829A1

    公开(公告)日：2017-01-12

    申请号：PCT/EP2016/066060

    申请日：2016-07-07

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： KREUTER, Philipp ,  BRÖLL, Markus ,  MÜLLER, Jens

    IPC: H01L33/38

    CPC classification number: H01L33/382

    Abstract: In mindestens einer Ausführungsform umfasst der optoelektronische Halbleiterchip (1) eine Halbleiterschichtenfolge (2). Die Halbleiterschichtenfolge (2) weist eine erste Seite (21) und eine zweite Seite (23, 24) sowie eine dazwischen liegende aktive Zone (22) auf. Die beiden Seiten zeigen unterschiedliche Leitfähigkeitstypen auf. Von der ersten Seite (21) her durch die aktive Zone (22) hindurch ist die zweite Seite (23, 24) mit einer elektrischen Durchkontaktierung (3) kontaktiert. Die Durchkontaktierung (3) beinhaltet einen Basisbereich (31), der als Zylinder, Kegelstumpf oder Pyramidenstumpf geformt ist und der in lateraler Richtung, senkrecht zu einer Wachstumsrichtung (G) der Halbleiterschichtenfolge (2), ringsum von einer elektrischen Isolationsschicht (32) umgeben ist. Die Durchkontaktierung (3) weist einen Kontaktbereich (33) auf, der als Kegelstumpf oder Pyramidenstumpf oder sphärischer oder asphärischer Körper geformt ist und der entlang der Wachstumsrichtung (G) dem Basisbereich (31) unmittelbar nachfolgt sowie in direktem Kontakt mit der zweiten Seite (23, 24) steht. Ein erster Flankenwinkel (a) des Basisbereichs (31) ist anders als ein zweiter Flankenwinkel (b) des Kontaktbereichs (33).

    Abstract translation: 在光电子半导体芯片（1）的至少一个实施例包括一个半导体层序列（2）。 半导体层序列（2）具有第一侧（21）和第二侧（23，24）和居间有源区（22）。 双方表现出不同的导电类型。 从所述第一侧（21）中记载穿过与电镀通孔（3）接触的第二侧（23，24）的有源区（22）。 通孔（3）包括被成形为圆柱体，圆锥体或截头棱锥和在横向方向垂直于生长方向的半导体层序列的（G）的基座部分（31），（2），所有周围的电绝缘层（32）包围 ， 通孔（3）具有被成形为截头圆锥或截头棱锥形或球面或者非球面体和沿生长方向（G）的基极区域（31）后立即和接触区（33）（以与第二侧23直接接触 ，24）。 基部（31）的第一侧面角（α）比所述接触区域（33）的第二侧面角（b）中不同。

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