Abstract:
Es wird ein Halbleiterbauelement (1) mit einem zur Erzeugung einer Primärstrahlung mit einer ersten Peakwellenlänge vorgesehenen Halbleiterchip (2) und einem Strahlungskonversionselement (3), das auf dem Halbleiterchip (2) angeordnet ist, angegeben. Das Strahlungskonversionselement (3) weist eine Quantenstruktur (30), die die Primärstrahlung zumindest teilweise in Sekundärstrahlung mit einer zweiten Peakwellenlänge umwandelt, und ein für die Primärstrahlung durchlässiges Substrat (35) auf. Weiterhin wird eine Beleuchtungsvorrichtung (11) mit einem solchen Halbleiterbauelement (1) angegeben.
Abstract:
Die Erfindung betrifft eine Leuchtvorrichtung (129), umfassend: - einen Träger (101), - auf welchem zumindest ein optoelektronisches Leuchtmittel (103, 105) zum Emittieren von Licht in einen Abstrahlbereich (122) angeordnet ist, - wobei eine Farbstreuschicht (117) zum Erzeugen einer Farbe mittels einer Streuung von Licht an einer dem Leuchtmittel (103, 105) abgewandten Oberfläche der Farbstreuschicht (117) im Abstrahlbereich (122) gebildet ist. Die Erfindung betrifft ferner ein entsprechendes Verfahren zum Herstellen einer Leuchtvorrichtung (129).
Abstract:
In at least one embodiment of the optoelectronic semiconductor component (1), said component contains a carrier (2) having an upper substrate upper (20). At least one optoelectronic semiconductor chip (3) is arranged on the upper carrier face (20). The semiconductor chip (3) comprises a semiconductor layer sequence (32) having at least one active layer for generating electromagnetic radiation and a radiation-permeable substrate (34). Furthermore, the semiconductor component (1) comprises a reflective potting compound (4) which, starting from the upper carrier face (20), completely surrounds the semiconductor chip (3) in a lateral direction at least up to half the height of the substrate (34).
Abstract:
Es wird ein optoelektronisches Bauelement angegeben. Das optoelektronische Bauelement umfasst - einen Halbleiterchip, der dazu eingerichtet ist, eine elektromagnetische Primärstrahlung zu emittieren, - ein Konversionselement umfassend Konverterpartikel, die dazu eingerichtet sind, die elektromagnetische Primärstrahlung zumindest teilweise in eine elektromagnetische Sekundärstrahlung im grünen Bereich des elektromagnetischen Spektrums zu konvertieren, wobei die Konverterpartikel eine Quantenstruktur mit Barriereschichten und Quantenschichten aufweisen und die Quantenschichten und die Barriereschichten alternierend angeordnet sind.
Abstract:
Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauteil mit einem Halbleiterchip, der ausgebildet ist, um eine elektromagnetische Strahlung zu erzeugen, wobei der Halbleiterchip auf einem Träger angeordnet ist, wobei wenigstens über einer Abstrahlseite des Halbleiterchips eine Konverterschicht angeordnet ist, wobei die Konverterschicht ausgebildet ist, wenigstens einen Teil der vom Halbleiterchip erzeugten Strahlung in der Wellenlänge zu verschieben, wobei auf der Konverterschicht eine Lichtleiterschicht angeordnet ist, wobei auf der Licht- leiterschicht eine erste Schicht angeordnet ist, wobei die Lichtleiterschicht die Strahlung in seitlicher Richtung weg vom Halbleiterchip führt.
Abstract:
Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Anordnung, wobei ein optoelektronisches Halbleiterbauelement auf einem Träger bereitgestellt wird, wobei eine erste Schicht mit einem Matrixmaterial und Streupartikel auf eine Oberseite des Trägers aufgetragen wird, wobei auf die Anordnung eine Zentrifugalkraft oder eine Schwerkraft derart ausgeübt wird, dass die Streupartikel in der ersten Schicht zumindest teilweise in Richtung des Trägers bewegt werden und eine Erhöhung der Konzentration der Streupartikel in der ersten Schicht in der Nähe des Trägers erreicht wird.
Abstract:
Ein optoelektronisches Bauelement (10, 20, 30, 40, 50, 60, 70) umfasst einen ersten Leiterrahmenabschnitt (100), einen zweiten Leiterrahmenabschnitt (200) und einen optoelektronischen Halbleiterchip (400,1400). Der erste Leiterrahmenabschnitt und der zweite Leiterrahmenabschnitt weisen jeweils eine Oberseite (101, 201) auf. Der optoelektronische Halbleiterchip ist auf der Oberseite (101) des ersten Leiterrahmenabschnitts angeordnet. Der erste Leiterrahmenabschnitt, der zweite Leiterrahmenabschnitt und der optoelektronische Halbleiterchip sind gemeinsam in einen Formkörper (500) eingebettet. Die Oberseiten der Leiterrahmenabschnitte sind durch den optoelektronischen Halbleiterchip und den Formkörper vollständig bedeckt.
Abstract:
Ein optoelektronisches Bauelement umfasst einen ersten Leiterrahmenabschnitt und einen zweiten Leiterrahmenabschnitt, die voneinander beabstandet sind. Außerdem umfasst das optoelektronische Bauelement einen optoelektronischen Halbleiterchip, der auf dem ersten Leiterrahmenabschnitt und auf dem zweiten Leiterrahmenabschnitt angeordnet ist. Der erste Leiterrahmenabschnitt und der zweite Leiterrahmenabschnitt weisen jeweils eine Oberseite, eine Unterseite und eine sich zwischen der Oberseite und der Unterseite erstreckende erste Seitenflanke auf. An der ersten Seitenflanke des ersten Leiterrahmenabschnitts ist eine erste seitliche Lötkontaktfläche des optoelektronischen Bauelements ausgebildet.
Abstract:
Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauteil, umfassend: - eine Leiterplatte, - eine auf einer Oberfläche der Leiterplatte angeordnete Lichtquelle, - die zumindest eine von zumindest einer lichtemittierenden Diode gebildete Leuchtfläche aufweist, wobei - die lichtemittierende Diode mit der Leiterplatte elektrisch verbunden ist, wobei - die lichtemittierende Diode mittels einer Vergussmasse zumindest teilweise eingemoldet ist. Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils.
Abstract:
Es wird ein optoelektronisches Bauelement mit einem Licht emittierenden Chip und ein dem Licht emittierenden Chip seitlich umgebendes Gehäuse angegeben. Des Weiteren wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements angegeben, bei dem ein flüssiges Gehäusematerial auf einem Substrat aufgebracht wird.