LEUCHTVORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER LEUCHTVORRICHTUNG
    12.
    发明申请
    LEUCHTVORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER LEUCHTVORRICHTUNG 审中-公开
    发光装置及其制造方法的发光装置

    公开(公告)号:WO2015166022A1

    公开(公告)日:2015-11-05

    申请号:PCT/EP2015/059455

    申请日:2015-04-30

    Abstract: Die Erfindung betrifft eine Leuchtvorrichtung (129), umfassend: - einen Träger (101), - auf welchem zumindest ein optoelektronisches Leuchtmittel (103, 105) zum Emittieren von Licht in einen Abstrahlbereich (122) angeordnet ist, - wobei eine Farbstreuschicht (117) zum Erzeugen einer Farbe mittels einer Streuung von Licht an einer dem Leuchtmittel (103, 105) abgewandten Oberfläche der Farbstreuschicht (117) im Abstrahlbereich (122) gebildet ist. Die Erfindung betrifft ferner ein entsprechendes Verfahren zum Herstellen einer Leuchtvorrichtung (129).

    Abstract translation: 本发明涉及一种发光器件(129),包括: - 支承件(101), - 在其上的至少一种用于在发光区域(122)发射光的光电子照明装置(103,105)被设置, - 其中,颜色散射层(117) 通过在灯(103,105)形成在发光区域(122)的颜色散射层(117)的表面中的一个的光的散射的装置面临由色的产生程。 本发明还涉及一种用于制造发光器件(129)的相应方法。

    OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL

    公开(公告)号:EP2593973A1

    公开(公告)日:2013-05-22

    申请号:EP11725748.5

    申请日:2011-06-16

    Abstract: In at least one embodiment of the optoelectronic semiconductor component (1), said component contains a carrier (2) having an upper substrate upper (20). At least one optoelectronic semiconductor chip (3) is arranged on the upper carrier face (20). The semiconductor chip (3) comprises a semiconductor layer sequence (32) having at least one active layer for generating electromagnetic radiation and a radiation-permeable substrate (34). Furthermore, the semiconductor component (1) comprises a reflective potting compound (4) which, starting from the upper carrier face (20), completely surrounds the semiconductor chip (3) in a lateral direction at least up to half the height of the substrate (34).

    Abstract translation: 在光电子半导体部件(1)的至少一个实施例中,所述部件包含具有上基板鞋帮(20)的载体(2)。 至少一个光电子半导体芯片(3)布置在上载体面(20)上。 半导体芯片(3)包括具有用于产生电磁辐射的至少一个有源层和辐射可渗透基板(34)的半导体层序列(32)。 此外,半导体元件(1)包括反射灌封化合物(4),该反射灌封化合物从上载体面(20)开始在横向方向上完全围绕半导体芯片(3)至少达到基底高度的一半 (34)。

    OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT
    14.
    发明申请

    公开(公告)号:WO2018104395A1

    公开(公告)日:2018-06-14

    申请号:PCT/EP2017/081710

    申请日:2017-12-06

    CPC classification number: H01L33/505 H01L33/502

    Abstract: Es wird ein optoelektronisches Bauelement angegeben. Das optoelektronische Bauelement umfasst - einen Halbleiterchip, der dazu eingerichtet ist, eine elektromagnetische Primärstrahlung zu emittieren, - ein Konversionselement umfassend Konverterpartikel, die dazu eingerichtet sind, die elektromagnetische Primärstrahlung zumindest teilweise in eine elektromagnetische Sekundärstrahlung im grünen Bereich des elektromagnetischen Spektrums zu konvertieren, wobei die Konverterpartikel eine Quantenstruktur mit Barriereschichten und Quantenschichten aufweisen und die Quantenschichten und die Barriereschichten alternierend angeordnet sind.

    HALBLEITERBAUTEIL MIT LICHTLEITERSCHICHT
    15.
    发明申请
    HALBLEITERBAUTEIL MIT LICHTLEITERSCHICHT 审中-公开
    半导体元件与照明层

    公开(公告)号:WO2017093248A1

    公开(公告)日:2017-06-08

    申请号:PCT/EP2016/079129

    申请日:2016-11-29

    CPC classification number: H01L33/50 H01L33/505 H01L33/52 H01L33/60

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauteil mit einem Halbleiterchip, der ausgebildet ist, um eine elektromagnetische Strahlung zu erzeugen, wobei der Halbleiterchip auf einem Träger angeordnet ist, wobei wenigstens über einer Abstrahlseite des Halbleiterchips eine Konverterschicht angeordnet ist, wobei die Konverterschicht ausgebildet ist, wenigstens einen Teil der vom Halbleiterchip erzeugten Strahlung in der Wellenlänge zu verschieben, wobei auf der Konverterschicht eine Lichtleiterschicht angeordnet ist, wobei auf der Licht- leiterschicht eine erste Schicht angeordnet ist, wobei die Lichtleiterschicht die Strahlung in seitlicher Richtung weg vom Halbleiterchip führt.

    Abstract translation:

    本发明涉及具有适于产生电磁辐射的半导体芯片的半导体器件,其中在TR AUML的半导体芯片;至少所述在半导体芯片的发光侧GER,,转换器层 被布置,其中,在形成所述转换器层,至少从上述半导体芯片的辐射所产生的在波长BEAR移位长度,其中的光导层设置在所述转换器层,其中第一层被设置在光导层上的一个部分,其中所述导光层,所述 横向远离半导体芯片的辐射导致

    OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT UND DESSEN HERSTELLUNGSVERFAHREN
    16.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT UND DESSEN HERSTELLUNGSVERFAHREN 审中-公开
    光电半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号:WO2016198577A1

    公开(公告)日:2016-12-15

    申请号:PCT/EP2016/063263

    申请日:2016-06-10

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Anordnung, wobei ein optoelektronisches Halbleiterbauelement auf einem Träger bereitgestellt wird, wobei eine erste Schicht mit einem Matrixmaterial und Streupartikel auf eine Oberseite des Trägers aufgetragen wird, wobei auf die Anordnung eine Zentrifugalkraft oder eine Schwerkraft derart ausgeübt wird, dass die Streupartikel in der ersten Schicht zumindest teilweise in Richtung des Trägers bewegt werden und eine Erhöhung der Konzentration der Streupartikel in der ersten Schicht in der Nähe des Trägers erreicht wird.

    Abstract translation: 本发明涉及其中的光电子半导体器件被提供在载体上的方法和布置,包含基质材料和散射颗粒的第一层涂覆在载体上,其中,一个离心力或重力以这样的方式施加到所述装置的顶面 散射粒子在所述第一层至少部分地在所述载体的方向移动并提高散射粒子的浓度在第一层中的穿用者的附近来实现的。

    OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG
    17.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG 审中-公开
    光电子器件及其制造方法

    公开(公告)号:WO2016102474A1

    公开(公告)日:2016-06-30

    申请号:PCT/EP2015/080803

    申请日:2015-12-21

    Abstract: Ein optoelektronisches Bauelement (10, 20, 30, 40, 50, 60, 70) umfasst einen ersten Leiterrahmenabschnitt (100), einen zweiten Leiterrahmenabschnitt (200) und einen optoelektronischen Halbleiterchip (400,1400). Der erste Leiterrahmenabschnitt und der zweite Leiterrahmenabschnitt weisen jeweils eine Oberseite (101, 201) auf. Der optoelektronische Halbleiterchip ist auf der Oberseite (101) des ersten Leiterrahmenabschnitts angeordnet. Der erste Leiterrahmenabschnitt, der zweite Leiterrahmenabschnitt und der optoelektronische Halbleiterchip sind gemeinsam in einen Formkörper (500) eingebettet. Die Oberseiten der Leiterrahmenabschnitte sind durch den optoelektronischen Halbleiterchip und den Formkörper vollständig bedeckt.

    Abstract translation: 的光电元件(10,20,30,40,50,60,70)包括第一引线框架部分(100),第二引线框架部分(200)和光电子半导体芯片(400.1400)。 第一引线框架部分和第二引线框架部分各自具有上表面(101,201)。 光电子半导体芯片被布置在第一引线框架部分的顶部(101)。 第一导体框架部分,所述第二引线框架部分和所述光电子半导体芯片中的成形体(500)被嵌入到一起。 引线框架部分的顶部完全由光电子半导体芯片和模制覆盖。

    OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT, VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS
    18.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT, VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS 审中-公开
    OPTO电子元件,方法制造光电子器件

    公开(公告)号:WO2016071440A1

    公开(公告)日:2016-05-12

    申请号:PCT/EP2015/075803

    申请日:2015-11-05

    Abstract: Ein optoelektronisches Bauelement umfasst einen ersten Leiterrahmenabschnitt und einen zweiten Leiterrahmenabschnitt, die voneinander beabstandet sind. Außerdem umfasst das optoelektronische Bauelement einen optoelektronischen Halbleiterchip, der auf dem ersten Leiterrahmenabschnitt und auf dem zweiten Leiterrahmenabschnitt angeordnet ist. Der erste Leiterrahmenabschnitt und der zweite Leiterrahmenabschnitt weisen jeweils eine Oberseite, eine Unterseite und eine sich zwischen der Oberseite und der Unterseite erstreckende erste Seitenflanke auf. An der ersten Seitenflanke des ersten Leiterrahmenabschnitts ist eine erste seitliche Lötkontaktfläche des optoelektronischen Bauelements ausgebildet.

    Abstract translation: 的光电元件,其包括第一引线框架部分和被间隔开的第二引线框架部分。 此外,该光电子器件包括布置在所述第一引线框架部分和第二引线框架部分的光电子半导体芯片。 第一引线框架部分和第二引线框架部分各自具有顶部,底部和顶部和底部的第一侧边缘之间延伸。 光电子器件的第一焊垫侧形成在第一引线框架部分的第一侧边缘。

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