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    ANORDNUNG ZUR AUSLEUCHTUNG UND AUFZEICHNUNG EINER SZENE
    2.
    发明申请
    ANORDNUNG ZUR AUSLEUCHTUNG UND AUFZEICHNUNG EINER SZENE 审中-公开

    公开(公告)号：WO2018153996A1

    公开(公告)日：2018-08-30

    申请号：PCT/EP2018/054403

    申请日：2018-02-22

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： SCHULTEN, Dominik ,  SCHUMANN, Michael ,  SCHOLZ, Dominik

    IPC: H04M1/02 ,  H04N5/225 ,  G03B15/05 ,  H04N5/235

    Abstract: Es wird eine Anordnung (1) zur Ausleuchtung und Aufnahme einer Szene in einem Sichtfeld (10) mit einer Lichtquelle (2) zur Beleuchtung des Sichtfelds, einer Ansteuervorrichtung (6) zum Betreiben der Lichtquelle (1) und einer Kamera (4) zur Aufnahme der Szene im Sichtfeld angegeben, wobei - die Lichtquelle (1) eine Vielzahl von Pixeln (31, 32, 33) aufweist, die jeweils zur bereichsweisen Beleuchtung des Sichtfelds eingerichtet sind; - die Ansteuervorrichtung einen Speicher (69) aufweist, in dem Betriebsdaten der Lichtquelle abgespeichert sind; - die Ansteuervorrichtung zum Betreiben der Pixel anhand der Betriebsdaten eingerichtet ist; und - die Anordnung dazu eingerichtet ist, im Betrieb der Anordnung eine Anpassung von zumindest einem Teil der Betriebsdaten im Speicher vorzunehmen.

    VERFAHREN ZUM BETREIBEN EINER BELEUCHTUNGSEINRICHTUNG
    3.
    发明申请
    VERFAHREN ZUM BETREIBEN EINER BELEUCHTUNGSEINRICHTUNG 审中-公开

    公开(公告)号：WO2018153989A1

    公开(公告)日：2018-08-30

    申请号：PCT/EP2018/054390

    申请日：2018-02-22

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： SCHULTEN, Dominik ,  SCHUMANN, Michael ,  SCHOLZ, Dominik

    IPC: G03B15/07 ,  G03B15/02 ,  H05B37/02

    Abstract: Verfahren zum Betreiben einer Beleuchtungseinrichtung (1) mit einem lichtemittierenden Bauteil (10), wobei - das lichtemittierende Bauteil (10) eine Vielzahl von Pixeln (100) umfasst, die dazu eingerichtet sind,eine Vielzahl von Bereichen (B) in einem Sichtfeld (S) zu beleuchten, - das lichtemittierende Bauteil eine Verarbeitungsvorrichtung (5) umfasst, welche Charakterisierungsdaten (D) des lichtemittierenden Bauteils (10) umfasst, und - die Pixel (100) des lichtemittierenden Bauteils (10) abhängig von den Charakterisierungsdaten (D) betrieben werden.

    VERFAHREN ZUM ANSTEUERN EINES LICHTEMITTIERENDEN BAUELEMENTS BEIM AUSLESEN EINES CMOS-KAMERASENSORS UND ANSTEUEREINHEIT
    4.
    发明申请
    VERFAHREN ZUM ANSTEUERN EINES LICHTEMITTIERENDEN BAUELEMENTS BEIM AUSLESEN EINES CMOS-KAMERASENSORS UND ANSTEUEREINHEIT 审中-公开
    在读取CMOS摄像机传感器和控制单元时控制发光组件的方法

    公开(公告)号：WO2018015537A1

    公开(公告)日：2018-01-25

    申请号：PCT/EP2017/068480

    申请日：2017-07-21

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： QUEREN, Désirée ,  SCHULTEN, Dominik

    IPC: H04N5/235 ,  G03B15/05

    CPC classification number: H04N5/2256 ,  G03B15/05 ,  G03B2215/0567 ,  G03B2217/007 ,  H04N5/2354 ,  H04N5/2357 ,  H04N5/3532

    Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Ansteuern eines lichtemittierenden Bauelements beim Auslesen eines CMOS-Kamerasensorsund eine Ansteuereinheit. Die Erfindung stellt ein effizientes technisches Konzept bereit, welches ein verbessertes Auslesen eines von einem lichtemittierenden Bauelement beleuchteten CMOS-Kamerasensors bereitstellt, indem das lichtemittierenden Bauelement (100) im PWM-Modus mit einem pulsweitenmodulierten Ansteuersignal betrieben wird. Durch das pulsweitenmodulierte Ansteuern des lichtemittierenden Bauelements kann in vorteilhafter Weise ferner eine Farbortverschiebung des Bildes des Kamerasensors vermieden werden. Eine Abbildungsqualität von mittels des Kamerasensors erfassten Bildern ist dadurch vorteilhaft erhöht.

    Abstract translation: 本发明涉及一种在读取CMOS相机传感器和驱动单元时驱动发光装置的方法。 本发明提供了一种有效的技术构思，该技术构思通过用脉宽调制驱动信号在PWM模式下操作发光器件（100）来提供由发光器件照射的CMOS相机传感器的改进的读出。 通过发光部件的脉宽调制驱动可以有利地进一步避免相机传感器的图像发射。 由此有利地获得由相机传感器捕获的图像的成像质量

    STRAHLUNGSEMITTIERENDES OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT
    7.
    发明申请
    STRAHLUNGSEMITTIERENDES OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT 审中-公开
    辐射光电组件

    公开(公告)号：WO2016180930A1

    公开(公告)日：2016-11-17

    申请号：PCT/EP2016/060720

    申请日：2016-05-12

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： STOLL, Ion ,  LUGAUER, Hans-Jürgen ,  BERGBAUER, Werner ,  SCHULTEN, Dominik ,  KUNZ, Thorsten ,  HUCKENBECK, Barbara ,  STÖPPELKAMP, Vera ,  LANGE, Stefan

    IPC: F21K99/00 ,  C09K11/77 ,  H01L33/50 ,  C09K11/08

    CPC classification number: H01L33/504 ,  C04B35/44 ,  C04B35/5154 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/444 ,  C04B2235/445 ,  C09K11/665 ,  C09K11/7734 ,  C09K11/7739 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

    Abstract: Es wird ein strahlungsemittierendes optoelektronisches Bauelement angegeben,umfassend einen ersten Halbleiterchip, der im Betrieb des Bauelements eine Primärstrahlung im UV- Bereich des elektromagnetischen Spektrums emittiert und ein Konversionselement umfassend - einen ersten Leuchtstoff der Formel (M 1 -x Eu x ) 10 (PO 4 ) 6 (Cl,F) 2 , wobei M= Sr oder M = Srund ein oder mehrere Elemente, die aus einer Gruppe ausgewählt sind, die Mg, Ca und Ba umfasst undx = 0,01-0,12 oder einen ersten Leuchtstoff der Formel M 1 -y Eu y MgAl 10 O 17 , wobei M = Ba oder M = Ba und ein oder mehrere Elemente, die aus einer Gruppe ausgewählt sind, die Mg, Ca und Sr umfasst und y = 0,01-0,9,der die von dem Halbleiterchip emittierte Primärstrahlung im Betrieb des Bauelements teilweise in eine erste Sekundärstrahlung im blauen Bereich des elektromagnetischen Spektrums konvertiert, -einenzweiten Leuchtstoff der Formel M 1 -p Eu p (Mg 1-z Mn z )Al 10 O 17 , wobei M = Ba oder M = Ba und ein oder mehrere Elemente, die aus einer Gruppe ausgewählt sind, die Mg, Ca und Sr umfasst mit p = 0,01-0,7 und z = 0,05-0,5, der die von dem Halbleiterchip emittierte Primärstrahlung im Betrieb des Bauelements teilweise in eine zweite Sekundärstrahlung im grünen Bereich des elektromagnetischen Spektrums konvertiert, - einen dritten Leuchtstoff der Formel Mg 4 Ge 1-q Mn q (O,F) 6 mit q = 0,001-0,06, der die von dem Halbleiterchip emittierte Primärstrahlung im Betrieb des Bauelements teilweise in eine dritte Sekundärstrahlung im roten Bereich des elektromagnetischen Spektrums konvertiert.

    Abstract translation: 本发明提供一种发射辐射的光电子器件，其包括发射在装置和包括转换元件的操作的电磁光谱的UV范围内的初级辐射的第一半导体芯片 - 下式的第一磷光体（M1-X的Eu x）的10（PO 4） 6（为Cl，F）2，其中M = Sr或Sr和M =一个或选自Mg，Ca和Ba组成的组中选择的多种元素包括和X = 0.01-0.12，或下式的第一荧光体 M1-Y铕ý的MgAl 10 O 17，其中M = Ba或Ba和M =一种或从包含Mg，Ca和Sr，且y = 0.01-0.9，所述的组中选择多种元素 转换部分地在电磁光谱的蓝色区域中的第一次级辐射的装置的操作期间从半导体芯片主辐射发射的光，式M1 p铕p（Mg的1-Z的Mn Z）的Al 10 O 17，其中M = Ba中-einenzweiten荧光体 或M = Ba和一种或多种元素 即，从由Mg，Ca的组中选择的和Sr与包括部分在装置的操作期间p值= 0.01-0.7，并且z = 0.05-0.5，由半导体芯片的初级辐射发射的辐射的 在电磁光谱的绿色区域中的第二次级辐射转换， - 下式的第三发光材料的Mg 4的Ge 1-q中的Mn q（O，F）6其中q = 0.001〜0.06，的操作期间从半导体芯片主辐射发射的光的 部件在电磁光谱的红色区域部分转化为三分之一次级辐射。

    KONVERSIONSELEMENT, OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON KONVERSIONSELEMENTEN
    8.
    发明申请
    KONVERSIONSELEMENT, OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON KONVERSIONSELEMENTEN 审中-公开
    转换元件，其制造转换元件，光电子半导体器件和方法

    公开(公告)号：WO2016087656A1

    公开(公告)日：2016-06-09

    申请号：PCT/EP2015/078697

    申请日：2015-12-04

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： SCHWARZ, Thomas ,  SINGER, Frank ,  ILLEK, Stefan ,  ZITZLSPERGER, Michael ,  GÖÖTZ, Britta ,  SCHULTEN, Dominik

    IPC: H01L33/50

    CPC classification number: H01L33/505 ,  H01L33/486 ,  H01L33/507 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2924/00014

    Abstract: Es wird ein Konversionselement (100) beschrieben. Das Konversionselement (100) umfasst eine Konversionsschicht (16), welche ein wellenlängenkonvertierendes Konversionsmaterial umfasst, eine erste Verkapselungsschicht (30) auf einer ersten Hauptfläche (20) der Konversionsschicht, wobei die erste Verkapselungsschicht eine Dicke zwischen 10 µm und 500 µm aufweist, und eine zweite Verkapselungsschicht (32) auf einer zweiten Hauptfläche (22) der Konversionsschicht, wobei die zweite Verkapselungsschicht eine Dicke zwischen 0,1 µm und 20 µm aufweist. Weiterhin werden ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (200) und ein Verfahren zur Herstellung von Konversionselementen angegeben.

    Abstract translation: 将描述的转换元件（100）。 转换元件（100）包括包含波长转换材料，第一封装层（30）上的转换层，其中，所述第一封装层具有10微米和500微米之间的厚度的第一主表面（20）的转换层（16），和一个 在转换层，其中，所述第二封装层具有0.1微米与20微米之间的厚度的第二主表面（22）的第二封装层（32）。 此外，光电子半导体器件（200）和用于生产转换元件的方法被指定。

    OPTOELEKTRONISCHE ANORDNUNG UND BELEUCHTUNGSVORRICHTUNG
    9.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHE ANORDNUNG UND BELEUCHTUNGSVORRICHTUNG 审中-公开
    亚光电子设备和照明装置

    公开(公告)号：WO2016030374A1

    公开(公告)日：2016-03-03

    申请号：PCT/EP2015/069447

    申请日：2015-08-25

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： GÖÖTZ, Britta ,  VON MALM, Norwin ,  SCHULTEN, Dominik

    IPC: G02F1/13357 ,  G02F1/1335

    CPC classification number: G02B6/0073 ,  G02F1/133603 ,  G02F1/13362 ,  G02F2001/133614 ,  G02F2202/36

    Abstract: Es wird eine optoelektronische Anordnung (1) mit einem zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen Halbleiterchip (2) angegeben, wobei dem Halbleiterchip in Abstrahlungsrichtung (21) ein Strahlungskonversionselement (3) nachgeordnet ist. Das Strahlungskonversionselement weist eine Mehrzahl von Quantenstäbchen (4) mit jeweils einer Längserstreckungsachse (44) auf, wobeieine räumliche Ausrichtung der Längserstreckungsachsen eine Vorzugsrichtung (39) aufweist. Weiterhin wird eine Beleuchtungsvorrichtung (7) mit einer solchen optoelektronischen Anordnung angegeben.

    Abstract translation: 有与用于产生半导体芯片（2）的辐射，其中，在发射方向（21）的半导体芯片，一个辐射转换元件（3）被布置下游的设置提供了一种光电器件（1）。 辐射转换元件具有（4）每个具有延伸的纵向轴线（44），其中，所述纵向延伸的空间取向轴具有优选方向（39）多个量子棒。 此外，照明装置（7）设置有这样的光电装置。

    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG MEHRERER KONVERSIONSELEMENTE, KONVERSIONSELEMENT UND OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT
    10.
    发明申请
    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG MEHRERER KONVERSIONSELEMENTE, KONVERSIONSELEMENT UND OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT 审中-公开
    用于生产多种转换元件，转换元件和光电元件

    公开(公告)号：WO2015189285A1

    公开(公告)日：2015-12-17

    申请号：PCT/EP2015/062964

    申请日：2015-06-10

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： CUI, Hailing ,  VON MALM, Norwin ,  GÖÖTZ, Britta ,  SCHULZ, Robert ,  SCHULTEN, Dominik

    IPC: H01L33/50

    CPC classification number: H01L33/505 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/483 ,  H01L33/502 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/0041

    Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung mehrerer Konversionselemente (10) angegeben, umfassend ein Bereitstellen eines Trägersubstrats (1), ein Einbringen eines Konvertermaterials (3) in ein Matrixmaterial (2), ein Aufbringen des Matrixmaterials (2) mit dem Konvertermaterial (3) auf einzelne Bereiche (8) des Trägersubstrats (1) in einem nicht zusammenhängenden Muster, ein Aufbringen eines Barrieresubstrats (5) auf das Matrixmaterial (2) und auf das Trägersubstrat (1), und ein Vereinzeln des Trägersubstrats (1) mit dem Matrixmaterial (2) und dem Barrieresubstrat (5) in mehrere Konversionselemente (10) entlang von Vereinzelungslinien (V), wobei die Konversionselemente (10) jeweils zumindest einen der Bereiche (8) des Matrixmaterials (2) umfassen.

    Abstract translation: 公开了一种用于制造多个转换元件（10），包括提供载体基底（1），在基体材料（2）的导入的转换器材料（3）的，施加所述基质材料中的方法（2）与所述转换器材料（3） 在一个非连续的模式在载体基底（1），沉积阻挡基板（5）的基体材料（2）和所述载体基板（1），和所述载体基片（1）与所述基质材料的分离的各个区域（8）（2 ）和阻挡基板（5）（成多个转换元件10）沿切割线（V），其中，所述转换元件（10）的每一个包括所述区域中的至少一个（8）基体材料（2）。

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