KODIERVERFAHREN ZUR DATENKOMPRESSION VON LEISTUNGSSPEKTREN EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUTEILS UND DEKODIERVERFAHREN
    2.
    发明申请
    KODIERVERFAHREN ZUR DATENKOMPRESSION VON LEISTUNGSSPEKTREN EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUTEILS UND DEKODIERVERFAHREN 审中-公开
    编码功率谱光电组件和解码数据压缩

    公开(公告)号:WO2015114042A1

    公开(公告)日:2015-08-06

    申请号:PCT/EP2015/051790

    申请日:2015-01-29

    Abstract: Ein Kodierverfahren zur Datenkompression von Leistungsspektren eines optoelektronischen Bauteils, bei dem wenigstens ein Leistungsspektrum des optoelektronischen Bauteils bereitgestellt und bei bestimmten Abtastwellenlängen zum Erzeugen eines diskreten Ausgangsspektrums abgetastet wird. Das diskret Ausgangsspektrum wird zum Erzeugen eines Ausgangsgraphen mit diskreten Ausgangswerten indiziert, wobei die Wellenlängen durch fortlaufende Ausgangsindizes ersetzt werden. Durch eine Transformation des Ausgangsgraphen von einem Ausgangsbereich in einen Bildbereich mithilfe einer diskreten Frequenz-Transformation wird ein Bildgraph mit diskreten Bildwerten erzeugt. Bei einer anschließenden Kompression des Bildgraphen werden relevante und weniger relevante Komponenten des Bildgraphen identifiziert und die weniger relevanten Komponenten aus dem Bildgraphen eliminiert. Der komprimierte Bildgraph wird zum Erzeugen komprimierter Spektraldaten digitalisiert, wobei jedem Bildwert des komprimierten Bildgraphen eine entsprechende Digitalzahl mit einer bestimmten Bittiefe zugeordnet wird.

    Abstract translation: 用于光电装置的功率谱的数据压缩的编码方法中,提供其特征在于,至少所述光电子装置的功率谱,以及在某些Abtastwellenlängen取样用于产生离散的输出频谱。 离散输出频谱被索引用于产生具有离散的输出值,其中,所述波长由连续输出的索引代替的输出曲线图。 通过使用离散频率中的图像区域的输出区域的输出的曲线图的变换变换的图像图表与离散的图像值创建的。 在该图像图形的图像图形相关的和较不相关的组件的随后的压缩被识别并消除从图像图形的较不相关的组件。 压缩后的图像图形是数字化,以产生压缩频谱数据,压缩的图像中的每个图像值的曲线图对应的数字号码是与特定比特深度相关联。

    TRÄGER MIT VERKLEINERTER DURCHKONTAKTIERUNG

    公开(公告)号:WO2020200824A1

    公开(公告)日:2020-10-08

    申请号:PCT/EP2020/057673

    申请日:2020-03-19

    Abstract: Es wird ein Träger (10) angegeben mit einem Basissubstrat (1), zumindest einer Isolierungsschicht (2), zumindest einer inneren Verdrahtungslage (1V), zumindest einer äußeren Verdrahtungslage (2V) und und zumindest einer Durchkontaktierung (21) in der Isolierungsschicht (2), die sich durch die Isolierungsschicht (2) hindurch erstreckt,, wobei - das Basissubstrat und die Isolierungsschicht aus unterschiedlichen Materialien gebildet sind, - das Basissubstrat zur mechanischen Stabilisierung des Trägers ausgeführt ist und die Isolierungsschicht trägt, - die innere Verdrahtungslage in vertikaler Richtung zumindest bereichsweise zwischen dem Basissubstrat und der Isolierungsschicht angeordnet ist, - die äußere Verdrahtungslage durch die Isolierungsschicht von der inneren Verdrahtungslage räumlich getrennt ist, und - die Durchkontaktierung die innere Verdrahtungslage mit der äußeren Verdrahtungslage elektrisch leitend verbindet und einen lateralen Querschnitt mit einer maximalen lateralen Ausdehnung von höchstens 100 µm aufweist. Des Weiteren wird ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Trägers angegeben.

    ANORDNUNG ZUR AUSLEUCHTUNG UND AUFZEICHNUNG EINER SZENE

    公开(公告)号:WO2018153996A1

    公开(公告)日:2018-08-30

    申请号:PCT/EP2018/054403

    申请日:2018-02-22

    Abstract: Es wird eine Anordnung (1) zur Ausleuchtung und Aufnahme einer Szene in einem Sichtfeld (10) mit einer Lichtquelle (2) zur Beleuchtung des Sichtfelds, einer Ansteuervorrichtung (6) zum Betreiben der Lichtquelle (1) und einer Kamera (4) zur Aufnahme der Szene im Sichtfeld angegeben, wobei - die Lichtquelle (1) eine Vielzahl von Pixeln (31, 32, 33) aufweist, die jeweils zur bereichsweisen Beleuchtung des Sichtfelds eingerichtet sind; - die Ansteuervorrichtung einen Speicher (69) aufweist, in dem Betriebsdaten der Lichtquelle abgespeichert sind; - die Ansteuervorrichtung zum Betreiben der Pixel anhand der Betriebsdaten eingerichtet ist; und - die Anordnung dazu eingerichtet ist, im Betrieb der Anordnung eine Anpassung von zumindest einem Teil der Betriebsdaten im Speicher vorzunehmen.

    OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP MIT KONTAKTELEMENTEN UND DESSEN HERSTELLUNGSVERFAHREN

    公开(公告)号:WO2020064943A1

    公开(公告)日:2020-04-02

    申请号:PCT/EP2019/076065

    申请日:2019-09-26

    Abstract: Ein optoelektronischer Halbleiterchip (11) umfasst eine erste Halbleiterschicht (110) von einem ersten Leitfähigkeitstyp, eine zweite Halbleiterschicht (120) von einem zweiten Leitfähigkeitstyp, eine erste und eine zweite Stromverteilungsschicht (123, 132), und ein erstes und ein zweites Kontaktelement (127, 137). Die erste und die zweite Halbleiterschicht (110, 120) bildeneinen Schichtstapel.Die erste Stromverteilungsschicht (123) ist auf einer von der zweiten Halbleiterschicht (150) abgewandten Seite der ersten Halbleiterschicht (140) angeordnet und mit der ersten Halbleiterschicht (110) elektrisch leitend verbunden. Die zweite Stromverteilungsschicht (132) ist auf der von der zweiten Halbleiterschicht (150) abgewandten Seite der ersten Halbleiterschicht (140) angeordnet und mit der zweiten Halbleiterschicht (120) elektrisch leitend verbunden. Das erste Kontaktelement (127) ist mit der ersten Stromverteilungsschicht (123) verbunden. Das zweite Kontaktelement (137) ist mit der zweiten Stromverteilungsschicht (132) verbunden. Das erste oder zweite Kontaktelement (127, 137) erstrecktsich lateral bis zu mindestens einer Seitenfläche (103) des optoelektronischen Halbleiterchips (11).

    CHIPINTEGRIERTE DURCHKONTAKTIERUNG VON MEHRLAGENSUBSTRATEN
    7.
    发明申请
    CHIPINTEGRIERTE DURCHKONTAKTIERUNG VON MEHRLAGENSUBSTRATEN 审中-公开
    通过多层基板的芯片上集成

    公开(公告)号:WO2012059186A1

    公开(公告)日:2012-05-10

    申请号:PCT/EP2011/005304

    申请日:2011-10-21

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zu Herstellung eines Laminats (1, 11) zur Kontaktierung wenigstens eines elektronischen Bauteils (6, 16), bei dem zwischen einer ersten Metallschicht (2, 12) und einer zweiten Metallschicht (3, 18 ) eine isolierende Schicht (4, 14) angeordnet wird, die Metallschichten in zumindest einem Kontaktbereich miteinander elektrisch kontaktiert werden, in der isolierenden Schicht eine Aussparung im Kontaktbereich erzeugt wird oder Aussparungen in den Kontaktbereichen erzeugt werden, zumindest in der ersten Metallschicht wenigstens eine Prägung und/oder wenigstens eine Ausbeulung im Kontaktbereicht erzeugt wird, wobei in den Bereichen der wenigstens einen Prägung und/oder Ausbeulung der Abstand der beiden Metallschichten zueinander reduziert wir, die Metallschichten mit der isolierenden Schicht laminiert werden, wobei die Abmessungen zumindest einer Prägung und/oder zumindest einer Ausbeulung zur Aufnahme wenigstens eines elektronischen Bauteils ausreicht oder ausreichen, zumindest in ein elektronisches Bauteil in wenigstens eine Prägung und/oder wenigstens eine Ausbeulung eingesetzt und dort leitend verbunden wird, so dass das elektronische Bauteil vollumfänglich aufgenommen wird und bezogen auf die Höhe (H) des elektronischen Bauteils zumindest teilweise in die Prägung oder die Ausbeulung aufgenommen wird. Die Erfindung betrifft auch ein Laminat zur Kontaktierung eines elektronischen Bauteils, insbesondere hergestellt mit einem solchen Verfahren.

    Abstract translation: 本发明涉及一种方法,用于接触至少一个电子部件(6,16),产生的层叠体(1,11),其中第一金属层(2,12)和第二金属层(3,18)的绝缘层之间( 4,14被放置),金属层接触在至少一个接触部相互电,在接触区域中产生在绝缘层中的凹部或凹部在接触区域产生的,至少在所述第一金属层,至少一个压印和/或至少一个凸起 在Kontaktbereicht产生,其中在所述至少一个压花和/或所述两个金属层之间的距离的凸出的区域,我们减少到彼此中,金属层被层叠有绝缘层,其中至少一个的尺寸压花和/或用于至少容纳至少一个隆起 足够的电子部件的 或足够,至少在压花和/或使用的至少一个凸起和至少一个电子部件连接有导通,从而使所述电子部件的方式全部并入,并根据所述电子元件的至少部分在压花或高度(H) 凸起被接收。 本发明还涉及一种用于接触的电子部件,特别是通过这样的方法制造的层压材料。

    VERFAHREN ZUM BETREIBEN EINER BELEUCHTUNGSEINRICHTUNG

    公开(公告)号:WO2018153989A1

    公开(公告)日:2018-08-30

    申请号:PCT/EP2018/054390

    申请日:2018-02-22

    Abstract: Verfahren zum Betreiben einer Beleuchtungseinrichtung (1) mit einem lichtemittierenden Bauteil (10), wobei - das lichtemittierende Bauteil (10) eine Vielzahl von Pixeln (100) umfasst, die dazu eingerichtet sind,eine Vielzahl von Bereichen (B) in einem Sichtfeld (S) zu beleuchten, - das lichtemittierende Bauteil eine Verarbeitungsvorrichtung (5) umfasst, welche Charakterisierungsdaten (D) des lichtemittierenden Bauteils (10) umfasst, und - die Pixel (100) des lichtemittierenden Bauteils (10) abhängig von den Charakterisierungsdaten (D) betrieben werden.

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