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公开(公告)号：WO2020094687A1
公开(公告)日：2020-05-14
申请号：PCT/EP2019/080331
申请日：2019-11-06
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： TANGRING, Ivar , SCHMIDTKE, Kathy
Abstract: Ein granuläres, insbesondere pulverartiges, Deck- und/oder Füllmaterial, umfasst eine Vielzahl von Partikeln (11), welche jeweils aus einem Matrixmaterial (13) bestehen, in das wenigstens ein Füllerteilchen (15) aufgenommen ist.
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公开(公告)号：WO2018189237A1
公开(公告)日：2018-10-18
申请号：PCT/EP2018/059280
申请日：2018-04-11
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： TANGRING, Ivar , LAMFALUSI, Tamas
IPC: H01L33/50 , H01L33/62 , H01L33/48 , H01L25/075
CPC classification number: H01L33/505 , H01L25/075 , H01L25/0753 , H01L33/486 , H01L33/502 , H01L33/504 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2933/0041 , H01L2933/0066
Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft ein strahlungsemittierendes Bauelement. Das strahlungsemittierende Bauelement weist einen Träger, einen auf einer Vorderseite des Trägers angeordneten strahlungsemittierenden Halbleiterchip und einen den Halbleiterchip umgebenden Konverter zur Strahlungskonversion auf. Der Halbleiterchip ist ein zur allseitigen Strahlungsemission ausgebildeter Volumenemitter. Der Halbleiterchip ist an einer dem Träger zugewandten Rückseite mit Hilfe von metallischen Kontaktelementen mit dem Träger elektrisch verbunden. Die Kontaktelemente dienen als Abstandshalter, so dass ein Zwischenraum zwischen der Rückseite des Halbleiterchips und der Vorderseite des Trägers vorliegt. Der Konverter umgibt den Halbleiterchip allseitig und ist in dem Zwischenraumzwischen dem Halbleiterchip und dem Trägerangeordnet. Die Erfindung betrifft des Weiteren ein Verfahren zum Herstellen eines strahlungsemittierenden Bauelements.
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公开(公告)号：WO2018095908A1
公开(公告)日：2018-05-31
申请号：PCT/EP2017/079923
申请日：2017-11-21
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： TANGRING, Ivar
CPC classification number: H01L33/505 , H01L33/50 , H01L33/60
Abstract: Es wird ein Bauteil mit einem optoelektronischen Bauelement vorgeschlagen, wobei das Bauelement ausgebildet ist, um eine elektromagnetische Strahlung zu erzeugen, wobei das Bauelement die Strahlung über eine obere Abstrahlseite und seitliche Abstrahlseiten abgibt, wobei über der oberen Abstrahlseite eine obere Konversionsschicht vorgesehen ist, wobei seitlich neben den seitlichen Abstrahlseiten seitliche Konversionsschichten vorgesehen sind, wobei die Konversionsschichten ausgebildet sind, um die Strahlung in der Wellenlänge wenigstens teilweise zu verschieben, wobei seitlich neben den seitlichen Konversionsschichten seitliche Streuschichten vorgesehen sind, wobei über der oberen Konversionssicht eine obere Streuschicht vorgesehen ist, wobei die obere Streuschicht eine Abstrahlöffnung aufweist, wobei die Abstrahlöffnung über der oberen Abstrahlseite angeordnet ist.
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公开(公告)号：WO2018024824A1
公开(公告)日：2018-02-08
申请号：PCT/EP2017/069646
申请日：2017-08-03
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： RÖMER, Rebecca , TANGRING, Ivar , LIN-LEFEBVRE, I-Hsin , RICHTER, Markus , HAUSINGER, Johannes
Abstract: Es wird ein Bauteil (9) mit einem lichtemittierenden Bauelement (1) vorgeschlagen, wobei das Bauelement (1) ausgebildet ist, um elektromagnetische Strahlung zu erzeugen, mit einer Konversionsschicht (2), wobei die Konversionsschicht (2) ausgebildet ist, umeine Wellenlänge der elektromagnetischen Strahlung des Bauelementes (1) wenigstens teilweise zu konvertieren, wobei die Konversionsschicht (2) über einer lichtemittierenden Seite (3) des Bauelementes (1) angeordnet ist, wobei eine für elektromagnetische Strahlung transparente Platte (7) über der Konversionsschicht (2) angeordnet ist, wobei die Platte (7) eine Einstrahlfläche (16) und eine Ausstrahlfläche (17) für elektromagnetische Strahlung aufweist, wobei die Einstrahlfläche (16) der Platte (7) der Konversionsschicht (2) angeordnet ist.
Abstract translation:
本发明涉及一种部件（9），其具有发光器件（1），其中所述组分（1）被适配为产生电磁辐射，具有转换层（2），其中所述转换层（ 2形成），该部件的电磁辐射的umeine波长BEAR长度（1）至少部分地转换，其中所述转换层上的光出射侧（3）的组分（1）的布置（2），其中A F导航用途ř 电磁辐射透明板（7）在所述转换层（2）的布置，所述板（7）Einstrahlfl BEAR的r电磁辐射，其中，所述Einstrahlfl BEAR表面（16）和一个Ausstrahlfl BEAR表面（17），用于导航使用 转换层（2）的板（7）的金属（16）。
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公开(公告)号：WO2021244982A1
公开(公告)日：2021-12-09
申请号：PCT/EP2021/064413
申请日：2021-05-28
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： TANGRING, Ivar
IPC: H01L33/38 , H01L33/40 , H01L2933/0091 , H01L33/382 , H01L33/385 , H01L33/387 , H01L33/42 , H01L33/44
Abstract: Es wird ein strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) angegeben, mit - einer ersten Halbleiterschichtenfolge (2), - einer zweiten Halbleiterschichtenfolge (3), die auf der ersten Halbleiterschichtenfolge (2) angeordnet ist, - einer ersten Kontaktstruktur (5), die zur Injektion von Ladungsträgern in die erste Halbleiterschichtenfolge (2) ausgebildet ist, und - einer Kontaktschichtenfolge (7), die zur Injektion von Ladungsträgern in die zweite Halbleiterschichtenfolge (3) ausgebildet ist, wobei - die erste Kontaktstruktur (5) und die Kontaktschichtenfolge (7) in lateralen Richtungen in Draufsicht überlappungsfrei ausgebildet sind, und - die Kontaktschichtenfolge (7) einen Schichtwiderstand aufweist, der sich in Richtung der ersten Kontaktstruktur (5) vergrößert.
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Patent Agency Ranking16.发明申请
公开(公告)号：WO2021239542A1
公开(公告)日：2021-12-02
申请号：PCT/EP2021/063301
申请日：2021-05-19
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： TANGRING, Ivar
Abstract: In einer Ausführungsform umfasst das optoelektronische Halbleiterbauteil (1) einen Träger (2), durch den zum Teil eine Montageseite (61) des Halbleiterbauteils (1) gebildet ist. Ein optoelektronischer Halbleiterchip (3) befindet sich an einer Hauptseite (20) des Trägers (2). Außerdem umfasst das Halbleiterbauteil (1) eine Linse (4) für den Halbleiterchip (3), die den Halbleiterchip (3) vollständig überdeckt und die den Träger (2) in mindestens einem Querschnitt senkrecht zur Hauptseite (20) gesehen beidseitig seitlich überragt.
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公开(公告)号：WO2020193233A1
公开(公告)日：2020-10-01
申请号：PCT/EP2020/056914
申请日：2020-03-13
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： TANGRING, Ivar
Abstract: Es wird ein Licht emittierendes Halbleiterbauelement (101) angegeben, das einen Licht emittierenden Halbleiterchip (100) mit einer Halbleiterschichtenfolge (1) mit einer Lichtauskoppelfläche (10) und einer dielektrischen Auskoppelschicht (2) unmittelbar auf der Lichtauskoppelfläche und ein Abdeckmaterial (3) mit einem transparenten Kunststoff auf der Auskoppelschicht aufweist, wobei der transparente Kunststoff einen temperaturabhängigen ersten Brechungsindex und die Auskoppelschicht einen zweiten Brechungsindex aufweist, wobei bei Raumtemperatur der erste Brechungsindex größer als der zweite Brechungsindex ist und wobei eine Differenz zwischen dem ersten Brechungsindex und dem zweiten Brechungsindex bei Raumtemperatur größer ist als bei einer maximalen Betriebstemperatur. Weiterhin werden ein Verfahren zur Herstellung des Licht emittierenden Halbleiterbauelements und eine Verwendung des Licht emittierenden Halbleiterbauelements angegeben.
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公开(公告)号：WO2020187815A1
公开(公告)日：2020-09-24
申请号：PCT/EP2020/057033
申请日：2020-03-16
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： TANGRING, Ivar , HUBER, Michael
Abstract: Ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (10) umfasst eine erste Halbleiterschicht (110) von einem ersten Leitfähigkeitstyp und eine zweite Halbleiterschicht (120) von einem zweiten Leitfähigkeitstyp. Das optoelektronische Halbleiterbauelement (10) umfasst ferner eine erste Kontaktschicht (130), die in direktem Kontakt mit der ersten Halbleiterschicht (110) angeordnet ist und elektrisch leitfähig ist, und eine erste isolierende Schicht (125), die über der ersten und der zweiten Halbleiterschicht (110, 120) ausgebildet ist, sowie eine zweite Stromaufweitungsstruktur (135), die mit der zweiten Halbleiterschicht (120) elektrisch verbunden ist. Eine maximale laterale Ausdehnung der zweiten Halbleiterschicht (120) ist größer als die maximale laterale Ausdehnung der ersten Halbleiterschicht (110), so dass eine Stufenstruktur ausgebildet ist und die erste isolierende Schicht (125) als konforme Schicht über der Stufenstruktur der ersten und der zweiten Halbleiterschicht ausgebildet ist. Das optoelektronische Halbleiterbauelement umfasst ferner eine zweite isolierende Schicht (127) zwischen einer horizontalen Oberfläche der ersten Kontaktschicht (130) und der zweiten Stromaufweitungsstruktur (135). Eine Schichtdicke der zweiten isolierenden Schicht (127) ist kleiner als die kleinste Schichtdicke der ersten isolierenden Schicht (125) über der Stufenstruktur.
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公开(公告)号：WO2020115010A1
公开(公告)日：2020-06-11
申请号：PCT/EP2019/083406
申请日：2019-12-03
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： BELLYNCK, Gregory , TANGRING, Ivar
Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements umfasst Schritte zum Bereitstellen eines Trägers mit einer über einer Oberseite des Trägers angeordneten optoelektronischen Halbleiterchipkomponente, zum Anordnen eines ersten Vergussmaterials über der Oberseite des Trägers, zum Anordnen eines zweiten Vergussmaterials über dem ersten Vergussmaterial, wobei das zweite Vergussmaterial eine höhere Dichte aufweist als das erste Vergussmaterial, und zum Einwirkenlassen einer Kraft auf das erste Vergussmaterial und das zweite Vergussmaterial derart, dass das zweite Vergussmaterial in Richtung zur Oberseite des Trägers wandert.
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公开(公告)号：WO2018083187A1
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：PCT/EP2017/078080
申请日：2017-11-02
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： TANGRING, Ivar , RICHTER, Markus
Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von Strahlungsemittierenden Halbleiterbauelementen. Das Verfahren umfasst ein Bereitstellen einer Leuchtstoff enthaltenden Konversionsschicht und ein Anordnen von Strahlungsemittierenden Halbleiterchips auf der Konversionsschicht. Die Halbleiterchips werden mit einer Vorderseite auf der Konversionsschicht angeordnet. Die Halbleiterchips weisen Kontakte an einer Rückseite auf. Ein weiterer Schritt des Verfahrens ist ein Verdicken der Konversionsschicht neben und zwischen den Halbleiterchips durch Aufbringen einer Leuchtstoff enthaltenden Füllmasse. Die verdickte Konversionsschicht grenzt an die Vorderseite und an Seitenflächen der Halbleiterchips an. Das Verfahren umfasst ferner ein Ausbilden einer reflektiven Schicht auf der Konversionsschicht und auf den Halbleiterchips im Bereich der Rückseite der Halbleiterchips, wobei eine rückseitige Oberfläche der Kontakte der Halbleiterchips unbedeckt bleibt. Des Weiteren werden die reflektive Schicht und die Konversionsschicht durchtrennt, um vereinzelte Halbleiterbauelemente zu bilden, welche einen einzelnen Halbleiterchip, einen auf der Vorderseite und auf den Seitenflächen des Halbleiterchips angeordneten Teil der Konversionsschicht und einen im Bereich der Rückseite auf dem Halbleiterchip und auf der Konversionsschicht angeordneten Teil der reflektiven Schicht aufweisen. Die Erfindung betrifft darüber hinaus ein Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造发射辐射的半导体组件的方法。 该方法包括提供包含磷光体的转换层并在转换层上设置发射辐射的半导体芯片。 半导体芯片在转换层上以正面布置。 半导体芯片在背面具有触点。 该方法的另一个步骤是通过应用含有发光材料的发光材料来增加半导体芯片旁边和半导体芯片之间的转换层的厚度。 增厚的转换层邻接半导体芯片的正面和侧面。 该方法还包括在形成转换层和R中导航的范围的半导体芯片上的反射层使用的半导体芯片的下侧，其中，A R导航用途ckseitige表面承受的半导体芯片表面的触点保持未被覆盖。 此外，所述反射层和所述转换层被切割，以形成包括一个单一的半导体芯片，一个在前面和Seitenfl BEAR设置在转换层的半导体芯片的部分的表面和R中导航的范围分离的半导体器件中的半导体芯片上使用后侧和 已经布置在反射层的转换层部分上。 本发明还涉及一种发射辐射的半导体器件
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