公开(公告)号：WO2016012232A1

公开(公告)日：2016-01-28

申请号：PCT/EP2015/065475

申请日：2015-07-07

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ALBRECHT, Tony ,  LAMFALUSI, Tamas ,  SCHULZ, Roland ,  SINGER, Frank ,  SABATHIL, Matthias

IPC: F21K99/00 ,  H01L25/075 ,  H01L33/60 ,  H01L33/40 ,  F21Y103/00

CPC classification number: H01L25/0753 ,  F21K9/64 ,  H01L33/405 ,  H01L33/60 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

Abstract: Es wird ein Beleuchtungsmodul (1) mit einem Montagekörper (3), der sich zwischen einer Rückseite (31) und einer der Rückseite gegenüberliegenden Vorderseite (30) erstreckt, und mit einer Mehrzahl von Halbleiterbauelementen (2), die zur Erzeugung von Strahlung vorgesehen sind, angegeben, wobei - der Montagekörper an der Rückseite eine Mehrzahl von Ausnehmungen (35) aufweist, in denen die Halbleiterbauelemente angeordnet sind, - der Montagekörper für die in den Halbleiterbauelementen erzeugte Strahlung durchlässig ist und die Strahlung an der Vorderseite des Montagekörpers austritt, - auf der Rückseite des Montagekörpers eine Kontaktschicht (5) angeordnet ist, mit der die Halbleiterbauelemente über Verbindungsleitungen elektrisch leitend verbunden sind, und - auf der Rückseite des Montagekörpers eine Reflektorschicht (6) angeordnet ist, die zumindest die Ausnehmungen vollständig überdeckt.

Abstract translation: 它是一种照明模块（1）包括：安装体（3），其后侧（31）和后侧的前侧（30）相对中的一个之间延伸，并且多个半导体元件（2）提供了一种用于产生辐射 所指出的，其特征在于， - 在所述背面的安装体具有多个凹部（35），其中半导体部件布置， - 所述安装体以在半导体器件的辐射是透明的产生，并且在前面的辐射的安装体出现， - 上 安装体的背面，接触层（5）被布置成，与该半导体元件被电经由连接线连接，以及 - 布置在所述安装体的背面具有反射器层（6），其至少完全覆盖凹部。

公开(公告)号：WO2018189236A1

公开(公告)日：2018-10-18

申请号：PCT/EP2018/059277

申请日：2018-04-11

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： TANGRING, Ivar ,  LAMFALUSI, Tamas

IPC: H01L33/50 ,  H01L33/62 ,  H01L33/48 ,  H01L25/075

CPC classification number: H01L33/505 ,  H01L25/075 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/486 ,  H01L33/502 ,  H01L33/504 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/0066

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft ein strahlungsemittierendes Bauelement. Das strahlungsemittierende Bauelement weist einen Träger, einen auf einer Vorderseite des Trägers angeordneten strahlungsemittierenden Halbleiterchip und einen den Halbleiterchip umgebenden Konverter zur Strahlungskonversion auf. Der Halbleiterchip ist ein zur allseitigen Strahlungsemission ausgebildeter Volumenemitter. Der Halbleiterchip ist an einer dem Träger zugewandten Rückseite mit Hilfe von metallischen Kontaktelementen mit dem Träger elektrisch verbunden. Die Kontaktelemente dienen als Abstandshalter, so dass ein Zwischenraum zwischen der Rückseite des Halbleiterchips und der Vorderseite des Trägers vorliegt. Der Konverter umgibt den Halbleiterchip allseitig und ist in dem Zwischenraumzwischen dem Halbleiterchip und dem Trägerangeordnet. Die Erfindung betrifft des Weiteren ein Verfahren zum Herstellen eines strahlungsemittierenden Bauelements.

公开(公告)号：WO2017194620A1

公开(公告)日：2017-11-16

申请号：PCT/EP2017/061215

申请日：2017-05-10

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ALBRECHT, Tony ,  LAMFALUSI, Tamas ,  GATZHAMMER, Christian

IPC: H01L33/54 ,  H01L33/48 ,  H01L25/075 ,  H01L33/50

Abstract: Ein optoelektronisches Bauteil mit: einem optoelektronischen Halbleiterchip (100) umfassend eine Anschlussfläche (100b), eine der Anschlussfläche (100b) gegenüberliegende Deckfläche (100a) und laterale Seitenflächen (100c), welche die Anschlussfläche (100b) und die Deckfläche (100a) miteinander verbinden, einem ersten Vergusskörper (21) und einem zweiten Vergusskörper (22), wobei der erste Vergusskörper (21) alle lateralen Seitenflächen (100c) und die Deckfläche (100a) des Halbleiterchips (100) bedeckt, der erste Vergusskörper (21) eine Bodenfläche (21b) aufweist, die bündig mit der Anschlussfläche (100b) des Halbleiterchips (100) abschließt, der zweite Vergusskörper (22) eine Bodenfläche (22b) aufweist, die bündig mit der Bodenfläche (21b) des ersten Vergusskörpers (21) abschließt, der zweite Vergusskörper (22) alle dem Halbleiterchip (100) abgewandten Seitenflächen (100c) des erstens Vergusskörpers (21) vollständig bedeckt, und eine der Anschlussfläche (100c) gegenüberliegende Deckfläche (22a) des zweiten Vergusskörpers (22) konvex gekrümmt ist.

Abstract translation:

一种光电子器件，包括：包括Anschlussfl BEAR表面（100B）的光电子半导体芯片（100），Anschlussfl BEAR表面（100B）对导航用途berliegende Deckfl BEAR表面（100A）和横向Seitenfl＆AUML之一;陈 （100℃）连接Anschlussfl BEAR连接表面（100A）至彼此，第一Vergussk＆oUML ;;枝（100B）和所述Deckfl＆AUML体（21）和第二Vergussk＆oUML;主体（22），其中所述第一Vergussk＆oUML;主体（21） 体（21）具有与所述Anschlussfl＆AUML一个Bodenfl＆AUML平齐;在半导体芯片（100）覆盖第一Vergussk＆oUML的枝（100A）;所有横向Seitenfl BEAR表面（100℃）和具有表面Deckfl BEAR（21B）中，b导航用途枝（ 半导体芯片的100B可锁定的）（100）ROAD吨，第二Vergussk＆oUML;主体（22）具有Bodenfl BEAR表面（22B）其中b与Bodenfl BEAR大街可锁定rpers导航用途冲洗（21）;枝（21B）的第一Vergussk＆ouml的; t，第二VergusskÖlper（22）全部背离半导体芯片（100） ÑSeitenfl BEAR表面第一Vergussk＆OUML的（100℃）; MMT; rpers（22）凸出冠导航用途rpers（21）完全承担不断覆盖，并且Anschlussfl BEAR表面（100℃）对导航用途berliegende第二Vergussk＆OUML的Deckfl BEAR表面（22a）的一个 是

公开(公告)号：WO2018189237A1

公开(公告)日：2018-10-18

申请号：PCT/EP2018/059280

申请日：2018-04-11

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： TANGRING, Ivar ,  LAMFALUSI, Tamas

IPC: H01L33/50 ,  H01L33/62 ,  H01L33/48 ,  H01L25/075

CPC classification number: H01L33/505 ,  H01L25/075 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/486 ,  H01L33/502 ,  H01L33/504 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/0066

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft ein strahlungsemittierendes Bauelement. Das strahlungsemittierende Bauelement weist einen Träger, einen auf einer Vorderseite des Trägers angeordneten strahlungsemittierenden Halbleiterchip und einen den Halbleiterchip umgebenden Konverter zur Strahlungskonversion auf. Der Halbleiterchip ist ein zur allseitigen Strahlungsemission ausgebildeter Volumenemitter. Der Halbleiterchip ist an einer dem Träger zugewandten Rückseite mit Hilfe von metallischen Kontaktelementen mit dem Träger elektrisch verbunden. Die Kontaktelemente dienen als Abstandshalter, so dass ein Zwischenraum zwischen der Rückseite des Halbleiterchips und der Vorderseite des Trägers vorliegt. Der Konverter umgibt den Halbleiterchip allseitig und ist in dem Zwischenraumzwischen dem Halbleiterchip und dem Trägerangeordnet. Die Erfindung betrifft des Weiteren ein Verfahren zum Herstellen eines strahlungsemittierenden Bauelements.

公开(公告)号：WO2012107261A1

公开(公告)日：2012-08-16

申请号：PCT/EP2012/050713

申请日：2012-01-18

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  EIBL, Johann ,  ENGL, Karl ,  LAMFALUSI, Tamas ,  MAUTE, Markus

Inventor： EIBL, Johann ,  ENGL, Karl ,  LAMFALUSI, Tamas ,  MAUTE, Markus

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/58 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01L33/382 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Ein optoelektronischer Halbleiterchip (100) mit einer Epitaxieschichtenfolge (102) umfasst eine dotierte Epitaxieschicht (104) mit einem ersten Bereich (116) und einem zweiten Bereich (118) und eine geschützte Struktur (108, 106). Der erste Bereich (116) der dotierten Epitaxieschicht (104) überdeckt die geschützte Struktur (108, 106) vollständig. Die äußere Oberfläche (119) der dotierten Epitaxieschicht (104) weist im ersten Bereich (116) eine erste Rauheit und im zweiten Bereich (118) eine zweite Rauheit auf.

Abstract translation: 的光电子半导体芯片（100）的外延层（102）包括具有第一区域（116）和第二区域（118）和受保护的结构（108，106）一个掺杂外延层（104）。 完全覆盖保护结构（108，106）掺杂的外延层（104）的所述第一部分（116）。 掺杂的外延层（104）的外表面（119）具有在具有第一表面粗糙度的第一区域（116）和在所述第二区域（118）具有第二粗糙度。

公开(公告)号：WO2018086909A1

公开(公告)日：2018-05-17

申请号：PCT/EP2017/077491

申请日：2017-10-26

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LAMFALUSI, Tamas ,  RICHTER, Markus

IPC: H01L33/62 ,  H01L33/48 ,  H01L33/56 ,  H01L33/64

Abstract: Es wird ein Leiterrahmen (1) für einen strahlungsemittierenden Halbleiterchip (7) mit einem ersten Element (2) mit einer ersten Haupterstreckungsebene, einem zweiten Element (3) mit einer zweiten Haupterstreckungsebene und einem dritten Element (4) mit einer dritten Haupterstreckungsebene angegeben, wobei -die erste Haupterstreckungsebene, die zweite Haupterstreckungsebene und die dritte Haupterstreckungsebene parallel zueinander angeordnet sind, -die drei Elemente (2, 3, 4) in einer Stapelrichtung (R) übereinander angeordnet sind, und -das dritte Element (4) eine Auflagefläche (9) für den Halbleiterchip (7) aufweist, die kleiner ist als eine Montagefläche (8) des Halbleiterchips (7). Weiterhin werden ein optoelektronisches Bauelement und ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements angegeben.

Abstract translation: （7）具有第一主平面的第一元件（2）

有一个引线框（1）F导航用途R A发射辐射的半导体芯片，（3），其具有延伸的第二主平面的第二构件和第三构件 （4）设置有第三主延伸平面，其中-the第一主平面，延伸的第二主平面，和延伸的第三主面被布置成平行于彼此，-the三个元件（2，3，4）的层叠方向（R）导航使用制备其他布置， 以及 - 第三元件（4）具有用于半导体芯片（7）的支撑表面（9），其小于半导体芯片（7）的安装表面（8）。 此外，指定了光电子部件和用于制造光电子部件的方法

公开(公告)号：WO2017085063A1

公开(公告)日：2017-05-26

申请号：PCT/EP2016/077743

申请日：2016-11-15

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SCHLERETH, Thomas ,  LAMFALUSI, Tamas ,  TÅNGRING, Ivar

IPC: F21K9/23 ,  H01L25/075 ,  H01L33/54 ,  H01L33/56

CPC classification number: H01L25/0753 ,  F21K9/23 ,  H01L33/54 ,  H01L33/56 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2924/181 ,  H05K3/284 ,  H05K2201/10106 ,  H05K2201/10113 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: Es wird ein LED-Filament (14) mit einem Trägerelement (2) mit einer reflektierenden ersten Hauptfläche (5), auf der eine Vielzahl an LED-Chips (4) in einer Reihe entlang einer Haupterstreckungsrichtung (3) aufgebracht ist und einer ersten elektrischen Kontaktstelle (10) auf einem ersten Endbereich (15) der ersten Hauptfläche (5) des Trägerelements (2) angegeben. Die LED-Chips (4) sind hierbei seriell elektrisch verschaltet sind. Es wird ein weiteres LED-Filament, zwei Verfahren zur Herstellung eines LED-Filaments sowie eine Retrofitlampe mit einem LED-Filament angegeben.

Abstract translation: 具有支撑构件（2）的LED灯丝（14）具有反射的第一主表面（5），多个LED芯片（4）排成一列 沿着主延伸方向（3）和第一电接触点（10）被施加在所示的牵引带元件（2）的第一主表面（5）的第一端部部分（15）上。 在这种情况下，LED芯片（4）串联电连接。 还有另一种LED灯丝，两种制造LED灯丝的方法，以及一种带有LED灯丝的改型灯。

公开(公告)号：WO2016202919A1

公开(公告)日：2016-12-22

申请号：PCT/EP2016/063876

申请日：2016-06-16

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： JAEGER, Harald ,  EIGENMANN, Fabian ,  LAMFALUSI, Tamas

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/62

CPC classification number: H01L33/486 ,  H01L23/49861 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L25/167 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10161 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/0715

Abstract: Ein optoelektronisches Bauelement umfasst einen Träger und einen auf einer Oberseite des Trägers angeordneten optoelektronischen Halbleiterchip. Der Träger weist einen in ein Formmaterial eingebetteten ersten Leiterrahmenabschnitt auf. Eine Oberseite des ersten Leiterrahmenabschnitts schließt an der Oberseite des Trägers bündig mit dem Formmaterial ab. Der optoelektronische Halbleiterchip ist teilweise auf der Oberseite des ersten Leiterrahmenabschnitts und teilweise auf dem Formmaterial angeordnet.

Abstract translation: 的光电元件，其包括载体和设置在所述载体光电子半导体芯片的顶表面上。 所述载体具有一个嵌入在模制材料的第一引线框架部分。 第一引线框架部分的上表面包括与模制材料的载体平齐的上侧。 光电子半导体芯片被部分地布置在所述第一引线框架部分的顶部和部分在成型材料。