公开(公告)号：DE102015114088A1

公开(公告)日：2017-03-02

申请号：DE102015114088

申请日：2015-08-25

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BEHR BARBARA ,  WEIMAR ANDREAS ,  WENDT MATHIAS ,  ZENGER MARCUS

IPC: H01L23/482 ,  H01L21/60 ,  H01L33/40

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Bauelement (100) aufweisend eine erste Komponente (1), eine zweite Komponente(2), ein Verbindungselement (3), das zwischen der ersten Komponente (1) und der zweiten Komponente (2) angeordnet ist, wobei das Verbindungselement (3) zumindest eine erste Phase (31) und eine zweite Phase (32) aufweist, wobei die erste Phase (31) ein erstes Metall (Me1) mit einer Konzentration (c11), ein zweites Metall (Me2) mit einer Konzentration (c12) und ein drittes Metall (Me3) mit einer Konzentration (c13) umfasst, wobei die zweite Phase (32) das erste Metall (Me1) mit einer Konzentration (c25), das zweite Metall (Me2) und das dritte Metall (Me3) umfasst, wobei das erste Metall (Me1), das zweite Metall (Me2) und das dritte Metall (Me3) voneinander verschieden sind und geeignet sind, bei einer Verarbeitungstemperatur von kleiner 200 °C zu reagieren, wobei gilt: c11 ≥ c25 und c11 ≥ c13 ≥ c12.

公开(公告)号：DE102018125901A1

公开(公告)日：2020-04-23

申请号：DE102018125901

申请日：2018-10-18

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： WENDT MATHIAS ,  KATZ SIMEON ,  PORTEN PASCAL

IPC: H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L23/492 ,  H05K3/34

Abstract: Das Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements (100) umfasst einen Schritt A), in dem ein Halbleiterchip (2) mit einer Unterseite (20), mit einer Mehrzahl von Kontaktstiften (21) und mit zumindest einem Justagestift (25) bereitgestellt werden, die von der Unterseite hervorstehen. Die Kontaktstifte sind zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterchips eingerichtet. Der Justagestift verschmälert sich in Richtung weg von der Unterseite und steht weiter von der Unterseite hervor als die Kontaktstifte. In einem Schritt B) wird ein Anschlussträger (1) mit einer Oberseite (10), in die mehrere Kontaktvertiefungen (11) und zumindest eine Justagevertiefung (15) eingebracht sind, bereitgestellt. Die Kontaktvertiefungen sind jeweils mit einem Lötmaterial (12) zumindest teilweise gefüllt. In einem Schritt C) wird das Lötmaterial in den Kontaktvertiefungen auf eine Fügetemperatur erhitzt, bei der das Lötmaterial zumindest teilweise schmilzt. In einem Schritt D) wird der Halbleiterchip auf den Anschlussträger aufgesetzt, wobei die Kontaktstifte jeweils in eine Kontaktvertiefung und der Justagestift in die Justagevertiefung eingeführt werden. Die Kontaktstifte werden dabei in das aufgeschmolzene Lötmaterial eingetaucht.

公开(公告)号：DE102018118717A1

公开(公告)日：2020-02-06

申请号：DE102018118717

申请日：2018-08-01

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： WENDT MATHIAS ,  KATZ SIMEON ,  PORTEN PASCAL

IPC: H01L21/60 ,  H01L27/085 ,  H01L27/15 ,  H01L33/62

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform umfasst das Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements (100) einen Schritt A), in dem ein Halbleiterchip (2) mit einer Unterseite (20) und einer Mehrzahl von Kontaktstiften (21), die von der Unterseite hervorstehen, bereitgestellt wird. In einem Schritt B) wird ein Anschlussträger (1) mit einer Oberseite (10), in die mehrere Vertiefungen (11) eingebracht sind, bereitgestellt. Die Vertiefungen sind jeweils mit einem Lötmaterial (12) zumindest teilweise gefüllt. Die Lötmaterialien unterschiedlicher Vertiefungen hängen nicht zusammen. Die Vertiefungen weisen einen größeren Durchmesser als die Kontaktstifte auf und die Anordnung der Vertiefungen in der Oberseite des Anschlussträgers ist an die Anordnung der Kontaktstifte an der Unterseite des Halbleiterchips angepasst, so dass beim Aufsetzen des Halbleiterchips auf den Anschlussträger jeder Kontaktstift einer Ausnehmung zugeordnet werden kann. In einem Schritt C) wird das Lötmaterial in den Vertiefungen auf eine Fügetemperatur erhitzt, bei der das Lötmaterial zumindest teilweise schmilzt. In einem Schritt D) wird der Halbleiterchip auf den Anschlussträger aufgesetzt, wobei die Kontaktstifte jeweils einer Vertiefung zugeordnet werden und dabei in das aufgeschmolzene Lötmaterial eingetaucht werden.

公开(公告)号：DE102015111040A1

公开(公告)日：2017-01-12

申请号：DE102015111040

申请日：2015-07-08

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： WENDT MATHIAS

IPC: C04B37/02 ,  H01L33/02

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Verbinden von zumindest zwei Komponenten (1, 2) mit den Schritten: A) Bereitstellen zumindest einer ersten Komponente (1) und einer zweiten Komponente (2), B) Aufbringen zumindest einer Spenderschicht (3) auf die erste und/oder die zweite Komponente (1, 2), wobei die Spenderschicht (3) mit Sauerstoff (31) angereichert ist, C) Aufbringen einer Metallschicht (4) auf die Spenderschicht (3), die erste oder die zweite Komponente (1, 2), D) Aufheizen zumindest der Metallschicht (4) auf eine erste Temperatur (T1), so dass die Metallschicht (4) aufgeschmolzen wird und die erste Komponente (1) und die zweite Komponente (2) miteinander verbunden werden, und E) Aufheizen der Anordnung auf eine zweite Temperatur (T2), so dass der Sauerstoff (31) aus der Spenderschicht (3) in die Metallschicht (4) übergeht und die Metallschicht (4) sich zu einer stabilen Metalloxidschicht (5) umwandelt, wobei die Metalloxidschicht (5) eine höhere Schmelztemperatur als die Metallschicht (4) aufweist, wobei zumindest die Spenderschicht (3) und die Metalloxidschicht (5) die erste Komponente (1) mit der zweiten Komponente (2) miteinander verbindet.