公开(公告)号：BRPI0812099A2

公开(公告)日：2014-11-25

申请号：BRPI0812099

申请日：2008-05-28

Applicant: PYREOS LTD

Inventor： GIEBELER CARSTEN ,  SCHREITER MATTHIAS ,  PAULUS CHRISTIAN

IPC: G01J5/04 ,  G01J5/10 ,  G01J5/22

公开(公告)号：DE102008053083B4

公开(公告)日：2011-07-28

申请号：DE102008053083

申请日：2008-10-24

Applicant: PYREOS LTD

Inventor： GIEBELER CARSTEN

IPC: G01J1/42 ,  G01J1/04 ,  H01L31/0232

Abstract: Infrarotlichtdetektor mit einem ersten Substrat (2), das eine Mehrzahl an nebeneinander liegenden Sensorchips (8) mit jeweils einer Bestrahlungsfläche (9) aufweist, die mit Infrarotlicht bestrahlbar sind, das von den Sensorchips (8) in elektrische Signale umwandelbar ist, und einem zweiten Substrat (3), das eine Mehrzahl an Fenstern (10) aufweist, die jeweils einer der Bestrahlungsflächen (9) zugeordnet sind und unmittelbar benachbart zu der ihr zugeordneten Bestrahlungsfläche (9) angeordnet und eingerichtet sind, Infrarotlicht von einer vorbestimmten Wellenlänge auszublenden, wobei die Substrate (2, 3) nur an ihren Außenrändern miteinander befestigt sind und die Abmaße (11) jedes Fensters (10) und dessen Abstand (12) zur ihm zugeordneten Bestrahlungsfläche (9) derart dimensioniert sind, dass das von jedem Fenster (10) durchgelassene Infrarotlicht vollständig auf den ihm zugeordneten Sensorchip (8) trifft.

公开(公告)号：DE102009037111B4

公开(公告)日：2011-07-21

申请号：DE102009037111

申请日：2009-08-11

Applicant: PYREOS LTD

Inventor： GIEBELER CARSTEN ,  CONWAY NEIL ,  CHAMBERLAIN TIM

IPC: G01J5/34

Abstract: Infrarotlichtdetektor mit einem Sensorchip (4), der ein aus einem pyroelektrisch sensitiven Material hergestelltes Dünnschichtelement (5) aufweist, mit einem elektrischen Isolator, mindestens einem elektronischen Bauteil (17, 18) in Dünnschichtbauweise, das einen Teil einer Ausleseelektronik bildet, und einer Dünnschichtmembran (2), auf dessen einen Oberfläche der Sensorchip (4) und das elektronische Bauteil (17, 18) unmittelbar aufgebracht und somit nebeneinander liegend integriert angebaut sind, sodass das elektronische Bauteil (17, 18) mit dem Dünnschichtelement (5) elektrisch leitend gekoppelt ist, und an das elektronische Bauteil (17, 18) ein Signalverstärker (22) anschließbar ist, mit dem unter Zusammenwirken mit dem elektronischen Bauteil (17, 18) ein vom Sensorchip (4) abgegebenes elektrisches Signal verstärkbar ist.

公开(公告)号：DE102009017845B4

公开(公告)日：2011-07-21

申请号：DE102009017845

申请日：2009-04-17

Applicant: PYREOS LTD

Inventor： GIEBELER CARSTEN ,  WRIGHT JEFFREY ,  CHAMBERLAIN TIM

IPC: G01J1/42 ,  H01L37/00

Abstract: Infrarotlichtdetektor mit mindestens einem Infrarotlichtsensor (4 bis 6), der einen Trägermembranabschnitt (2) sowie mindestens zwei Sensorchips (7 bis 10), die nebeneinander liegend an dem Trägermembranabschnitt (2) befestigt sind und jeweils ein aus pyroelektrisch sensitivem Material hergestelltes Schichtelement (11) aufweisen, das von einer Basiselektrode (12) und einer Kopfelektrode (13) elektrisch kontaktiert und derart eingerichtet ist, dass zwischen der Kopfelektrode (13) und der Basiselektrode (12) eines jeden Schichtelements (11) jeweils eine Differenzspannung anliegt, wenn die Schichtelemente (11) mit Infrarotlicht bestrahlt sind, und jeweils für zwei benachbart angeordnete Sensorchips (7 bis 10) eine Kopplungsleitung (14 bis 16) aufweist, mit der die Kopfelektrode (13) des einen Sensorchips (7 bis 9) und die Basiselektrode (12) des anderen Sensorchips (8 bis 10) elektrisch leitend miteinander gekoppelt sind, so dass die Schichtelemente (11) der Sensorchips (7 bis 10) in einer Reihenschaltung geschaltet sind, die an ihrem einen Ende eine der Basiselektroden (17) und an ihrem anderen Ende...

公开(公告)号：DE102007024903A1

公开(公告)日：2008-12-11

申请号：DE102007024903

申请日：2007-05-29

Applicant: PYREOS LTD

Inventor： GIEBELER CARSTEN ,  SCHREITER MATTHIAS ,  ZAPF JOERG

IPC: H01L37/00 ,  B81C3/00 ,  G01J1/02 ,  G01J5/10 ,  G01J5/34

Abstract: In a device for the detection of thermal radiation and a method for production of such a device, a stack is formed with a detector support having a detector element for converting the thermal radiation into an electric signal, a circuit support with a read-out circuit for reading out the electrical signal and a cover to shield the detector element. The detector support and the cover are so arranged that a first stack cavity is formed between the detector element and the cover and a second stack cavity is formed between detector support and the circuit support. The first stack cavity and/or the second stack cavity is evacuated and hermetically sealed. In the manufacturing operation, functionalized silicon-substrates are stacked upon one another, firmly bonded together and subsequently sub-divided. Preferably, the detector elements are pyro-electric detector elements. The device finds application in motion detectors, presence reporters and thermal-image cameras.

公开(公告)号：DE102007024902A1

公开(公告)日：2008-12-11

申请号：DE102007024902

申请日：2007-05-29

Applicant: PYREOS LTD

Inventor： SCHREITER MATTHIAS ,  PAULUS CHRISTIAN ,  GIEBELER CARSTEN

IPC: H01L37/00 ,  B81C1/00 ,  G01J1/02 ,  G01J5/10 ,  G01J5/34 ,  H01L31/0203

公开(公告)号：BRPI0812099B1

公开(公告)日：2018-06-19

申请号：BRPI0812099

申请日：2008-05-28

Applicant: PYREOS LTD

Inventor： GIEBELER CARSTEN ,  PAULUS CHRISTIAN ,  SCHREITER MATTHIAS

IPC: G01J5/04 ,  G01J5/10 ,  G01J5/22

公开(公告)号：DE102014106661A1

公开(公告)日：2014-11-27

申请号：DE102014106661

申请日：2014-05-12

Applicant: PYREOS LTD

Inventor： BROWN SPYROS ,  CHAMBERLAIN TIM ,  HURWITZ JONATHAN EPHRAIM DAVID ,  GIEBELER CARSTEN

IPC: G06F3/01

Abstract: Eine Schalterbetätigungseinrichtung (100) zum Betätigen eines Schalters (103) durch vier mögliche Arten (111 bis 114) von nicht-taktilen Translationsgesten, die mit einem Wärme emittierenden Teil (115) auszuüben sind, weisen einen Gestensensor (1), der eingerichtet ist vom Teil (115) emittierte Wärme mittels mindestens vier nebeneinander angeordneter Pixel (21 bis 24) zu detektieren und pro Pixel (21 bis 24), die jeweils einen Dünnfilm aus pyroelektrischem Material aufweisen, ein Signal (51 bis 54) mit einem Signalausschlag (58) entsprechend dem zeitlichen Intensitätsverlauf der vom Dünnfilm des entsprechenden Pixels (21, 22, 23, 24) detektierten Wärme auszugeben, eine Signalauswerteeinheit (101), mit der aus dem zeitlichen Aufeinanderfolgen der Signalausschläge (58) die Ausübung einer der Arten (111 bis 114) der Translationsgesten ermittelbar ist, und einen Aktuator (104) auf, der von der Signalauswerteeinheit (101) angesteuert und, sobald die Ausübung einer der Arten (111 bis 114) der Translationsgesten ermittelt ist, den Schalter (103) betätigt, wobei vier der Pixel (21 bis 24) jeweils in einer der Ecken eines konvexen Vierecks (11) angeordnet sind, dessen eine der Diagonalen (12) im wesentlichen parallel zur Längsrichtung (31) und die andere Diagonale (13) im wesentlichen parallel zur Querrichtung (32) sind.

公开(公告)号：DE102013108280B3

公开(公告)日：2014-10-09

申请号：DE102013108280

申请日：2013-08-01

Applicant: PYREOS LTD

Inventor： GIEBELER CARSTEN ,  CONWAY NEIL

IPC: H01L37/00 ,  B81C1/00 ,  G01J5/34 ,  H01L27/16

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines Mikrosystems (1) mit Pixel, weisend die Schritte auf: Bereitstellen eines Siliziumwafers; Herstellen einer thermischen Siliziumoxidschicht an der Oberfläche des Siliziumwafers als eine Basisschicht (5) mit einer Dicke zwischen 200 nm und 1000 nm durch Oxidation des Siliziumwafers; Herstellen einer Siliziumoxiddünnschicht unmittelbar auf der Basisschicht (5) als eine Trägerschicht (6) mit einer Dicke von 100 nm bis 700 nm durch ein thermisches Abscheideverfahren; Herstellen einer Platinschicht unmittelbar auf der Trägerschicht (6) mit einem thermischen Abscheideverfahren mit einer Dicke von 40 nm bis 200 nm, wodurch ein Zwischenprodukt aufweisend den Siliziumwafer, die Basisschicht (5), die Trägerschicht (6) und die Platinschicht hergestellt wird; Abkühlen des Zwischenprodukts auf Raumtemperatur; pixelartige Strukturierung der Platinschicht durch Abtragen von überflüssigen Bereichen der Platinschicht, wodurch auf der Trägerschicht (5) von den verbleibenden Bereichen der Platinschicht pixelförmig Bodenelektroden (8, 12) der Pixel (7, 8) ausgebildet werden; Materialabtragung an der der Basisschicht (5) abgewandten Seite des Siliziumwafers, so dass ein Rahmen (3) verbleibt und von dem Rahmen (3) eine Membran (4) gebildet von der Basisschicht (5) und der Trägerschicht (6) aufgespannt wird; Fertigstellen des Mikrosystems (1).

公开(公告)号：RU2465685C2

公开(公告)日：2012-10-27

申请号：RU2009144002

申请日：2008-05-28

Applicant: PYREOS LTD

Inventor： GIEBELER CARSTEN ,  SCHREITER MATTHIAS ,  ZAPF JRG

IPC: G01J5/10 ,  H01L27/16

Abstract: Устройство (1) дляобнаружениятепловогоизлученияв видестопы (10) из: поменьшеймереоднойподложки (11) датчика, содержащейдатчик (111) дляпреобразованиятепловогоизлученияв электрическийсигнал; поменьшеймереоднойподложки (12) контурас поменьшеймереоднимсчитывающимконтуром (121, 122) длясчитыванияэлектрическогосигнала; поменьшеймереоднойкрышки (13), покрывающейдатчик; вкоторомдлякаждогоизуказанныхэлементов: крышка (13), подложка (12) иподложка (11) датчикаиспользуетсясоответствующаяпластина; причемподложкадатчикапомещенамеждуподложкойконтураи крышкой; причемуказаннаястопа (10) представляетсобойслоистуюструктуру; причемподложкадатчикаи крышкарасположеныдруготносительнодругатак, чтомеждудатчикомнаподложкеи крышкойимеетсяпоменьшеймереоднаперваяполость (14), ограниченнаяподложкойдатчикаи крышкой; подложкаконтураи подложкадатчикарасположеныдруготносительнодругатак, чтомеждунимиимеетсяпоменьшеймереоднавтораяполость (15), ограниченнаяэтимиподложками; перваяи/иливтораяполостивакуумированыиливыполненыс возможностьюихвакуумирования. Такжепредложенспособизготовленияуказанногоустройства. Устройствосогласноизобретениюиспользуютв датчикахдвижения, датчикахприсутствияи втепловизорах. Изобретениеобеспечиваетвозможностьсозданиякомпактногоустройствадляобнаружениятепловогоизлучения, котороеимеетуменьшенныепосравнениюс известнымигабариты. 3 н. и 12 з.п. ф-лы, 3 ил.